Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Характеристики спиновых светоизлучающих диодов, полученных с использованием углеродных слоев

Работа поддержана Российским научным фондом , №25-29-00368

Калентьева И.Л.¹, Ведь М.В.¹, Вихрова О.В.¹, Данилов Ю.А.¹, Демина П.Б.¹, Дорохин М.В.¹, Здоровейщев А.В.¹, Лесников В.П.¹, Нежданов А.В.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: istery@rambler.ru

Поступила в редакцию: 24 апреля 2026 г.

В окончательной редакции: 24 апреля 2026 г.

Принята к печати: 24 апреля 2026 г.

Выставление онлайн: 14 июля 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература

Проведены комплексные исследования лабораторных образцов спиновых светоизлучающих диодов на основе арсенид-галлиевых структур, имеющих в составе контакта наноразмерный углеродный слой, полученный методом импульсного лазерного нанесения. Показано, что введение углеродного слоя в структуру диода с ферромагнитным инжектором на основе сплава Co_0.45Pt_0.55 способствует значительному повышению интенсивности электролюминесценции светодиодов, снижению их рабочих токов и повышению температуры эксплуатации (интенсивное излучение сохраняется до комнатной температуры). Ключевые слова: спиновый светоизлучающий диод, импульсное лазерное нанесение, углеродный слой, электролюминесценция.

А.В. Здоровейщев, М.В. Дорохин, О.В. Вихрова, П.Б. Демина, А.В. Кудрин, А.Г. Темирязев, М.П. Темирязева. ФТТ, 58 (11), 2186 (2016). DOI: 10.21883/ftt.2016.11.43737.8k [A.V. Zdoroveyshchev, M.V. Dorokhin, O.V. Vikhrova, P.B. Demina, A.V. Kudrin, A.G. Temiryazev, M.P. Temiryazeva. Phys. Solid State, 58 (11), 2267 (2016). DOI: 10.1134/s1063783416110391]
Ю.А. Данилов, М.В. Ведь, О.В. Вихрова, Н.В. Дикарева, М.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, В.А. Ковальский, Р.Н. Крюков, А.В. Кудрин, В.П. Лесников, П.А. Юнин, А.М. Андреев. ФТП, 54 (9), 868 (2020). DOI: 10.21883/ftp.2020.09.49823.15 [Yu.A. Danilov, M.V. Ved', O.V. Vikhrova, N.V. Dikareva, M.N. Drozdov, B.N. Zvonkov, V.A. Koval'skii, R.N. Kryukov, A.V. Kudrin, V.P. Lesnikov, P.A. Yunin, A.M. Andreev. Semiconductors, 54 (9), 868 (2020). DOI: 10.1134/s1063782620090079]
Z. Tao, D. Zhou, H. Yin, B. Cai, T. Huo, J. Ma, Z. Di, N. Hu, Z. Yang, Y. Su. Mater. Sci. Semicond. Process., 111, 104989 (2020). DOI: 10.1016/j.mssp.2020.104989
X. Yu, Y. Dai, Y. Lu, C. Liu, Y. Yan, R. Shen, Z. Yang, L. Feng, L. Sun, Y. Liu, S. Lin. Adv. Sci., 10, 2204058 (2023). DOI: 10.1002/advs.202204058
M.V. Dorokhin, O.V. Vikhrova, P.B. Demina, I.L. Kalentyeva, P.S. Vergeles, E.B. Yakimov, V.P. Lesnikov, B.N. Zvonkov, M.V. Ved, Yu.A. Danilov, A.V. Zdoroveyshchev. Appl. Radiation Isotopes, 179, 110030 (2022). DOI: 10.1016/j.apradiso.2021.110030
O.V. Vikhrova, M.V. Dorokhin, Yu.A. Danilov, V.P. Lesnikov, P.B. Demina, N.V. Dikareva, M.V. Ved', A.V. Zdoroveyshchev, I.L. Kalentyeva, R.N. Kriukov, A.V. Nezhdanov. Opt. Mater., 174, 117899 (2026). DOI: 10.1016/j.optmat.2026.117899
A.C. Ferrari. Solid State Commun., 143, 47 (2007). DOI: 10.1016/j.ssc.2007.03.052
A.C. Ferrari, D.M. Basko. Nature Nanotechnology, 8, 235 (2013). DOI: 10.1038/nnano.2013.46
X. Li, S. Lin, X. Lin, Z. Xu, P. Wang, S. Zhang, H. Zhong, W. Xu, Z. Wu, W. Fang. Opt. Express, 24 (1), 134 (2016). DOI: 10.1364/oe.24.000134
S.J. Zhang, S.S. Lin, X.Q. Li, X.Y. Liu, H.A. Wu, W.L. Xu, P. Wang, Z.Q. Wu, H.K. Zhong, Z.J. Xu. Nanoscale, 8, 226 (2016). DOI: 10.1039/c5nr06345k
S. Tongay, M. Lemaitre, X. Miao, B. Gila, B.R. Appleton, A.F. Hebard. Phys. Rev. X, 2, 011002 (2012). DOI: 10.1103/physrevx.2.011002
C.-C. Tang, M.-Y. Li, L.J. Li, C.C. Chi, J.-C. Chen. Appl. Phys. Lett., 101, 202104 (2012). DOI: 10.1063/1.4767387
U. Khan, N.O. Adesina, J. Xu. Key Engineer. Mater., 907, 24 (2022). DOI: 10.4028/www.scientific.net/kem.907.24
D.K. Schroder. Semiconductor material and device characterization (Wiley, Hoboken, New Jersey, 2006), DOI: 10.1002/0471749095
Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.matprop.ru/GaAs_basic
Z.A. Ansari, T.J. Singh, S.M. Islam, S. Singh, P. Mahala, A. Khang, K.J. Singh. Optik, 182, 500 (2019). DOI: 10.1016/j.ijleo.2019.01.078
B.G. Singidas, A.E. De los Reyes, H.R. Bardolaza, J.D.E. Vasquez, A.A. Salvador, E.S. Estacio, R.V. Sarmago. Appl. Phys. Lett., 117, 171105 (2020). DOI: 10.1063/5.0015145
H.H. Yoon, W. Song, S. Jung, J. Kim, K. Mo, G. Choi, H.Y. Jeong, J.H. Lee, K. Park. ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 47182 (2019). DOI: 10.1021/acsami.9b12074
Q.N.D. Lung, R.J. Chu, E. Yeon, Y. Kim, M.A. Madarang, W.J. Choi, D. Jung. Adv. Mater. Interfaces, 12, 2401011 (2025). DOI: 10.1002/admi.202401011

Учредители

Издатель