Изучена возможность получения варисторных структур путем прессования порошка металлического Ni (ПНК УТ-1), частицы которого предварительно покрывались слоем туннельно-прозрачного диэлектрика Al₂O₃. Наращивание диэлектрического покрытия осуществлялось методом атомно-слоевого осаждения с применением установки для формирования планарных структур. Оптимальный режим роста слоев Al₂O₃ отрабатывался на планарных образцах, на лучшем из которых получен однородный по толщине (63 nm) слой Al₂O₃ при температуре подложки 250 ^oС, а вольт-амперные характеристики структур Ni/Al₂O₃/Ni демонстрируют высокий коэффициент нелинейности (вплоть до 200). Наращивание диэлектрического покрытия в тех же условия на порошках позволило получить слой Al₂O₃ толщиной около 30 nm на поверхности зерен Ni. Из полученного порошка методом прессования сформированы варисторные структуры с коэффициентом нелинейности около 30. Наблюдаемая нестабильная работа варисторных структур Ni/Al₂O₃ обусловлена неоднородностью покрытия Ni-зерен слоями Al₂O₃. Ключевые слова: варистор, металл-диэлектрический варистор, атомно-слоевое осаждение, порошок никеля, диэлектрические покрытия порошков, туннелирование через треугольный барьер.