Выполнен сравнительный анализ технологий MKID и RFTES, каждая из которых пригодна для создания изображающих матриц с большим числом пикселей, благодаря схожей методике считывания на основе высокодобротных СВЧ-резонаторов. Рассмотрены эволюционные изменения данных технологий, а также концептуальные отличия между этими детекторами, включая диапазон рабочих температур, особенности считывания, физическую природу отклика и пороговую чувствительность NEP, при этом за критерий сравнения приняты одинаковые технологические ограничения на сечение структур, используемых в качестве поглотителей. Анализ показывает, что RFTES на основе пленок гафния может достигнуть NEP~1·10^-19 W/√Hz при температуре ~300 mK, тогда как MKID с поглотителем из алюминия достигают этого уровня теоретически лишь при охлаждении до ~150 mK. В случае применения пленок гафния для MKID такой порог необходимо снизить до ~60 mK, что является следствием различий в природе собственных шумов для этих двух технологий. Ключевые слова: приемник электромагнитного излучения, технологии MKID и RFTES, сверхпроводник, пленки гафния, СВЧ-резонатор, болометр, СКВИД-усилитель, Noise-equivalent power (NEP), куперовская пара.