Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2026, выпуск 8 » Статья стр. 1610
<<<>>>
Влияние облучения электронами с энергией 0.9 MeV на электрофизические параметры кристаллов β-Ga2O3
Бауман Д.А.1, Давыдовская К.С.2, Панов Д.Ю.1, Спиридонов В.А.1, Богданов П.А.1, Лундин В.В.2, Лундина Е.Ю., Романов А.Е.1,2, Козловский В.В.2,3, Лебедев А.А.2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 2025 г.
В окончательной редакции: 10 мая 2026 г.
Принята к печати: 12 мая 2026 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2026 г.
PDF версия
Проведено исследование изменения свойств объемных кристаллов β-Ga2O3, выращенных методом Чохральского, при облучении электронами с энергией 0.9 MeV. С помощью вольт-фарадных измерений была измерена концентрация носителей. Обнаружено, что скорость удаления носителей зависит от дозы облучения и уменьшается почти на порядок. Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследован спектр глубоких уровней в кристалле до и после облучения. Анализ спектров оптического пропускания показал уменьшение поглощения в длинноволновой области после облучения. Ключевые слова: оксид галлия, β-Ga2O3, облучение электронами, радиационная стойкость.
  1. S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro. Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018). DOI: 10.1063/1.5006941
  2. E. Farzana, M.F. Chaiken, T.E. Blue, A.R. Arehart, S.A. Ringel. APL Mater., 7, 022502 (2019). DOI: 10.1063/1.5054606
  3. A.Y. Polyakov, V.I. Nikolaev, I.N. Meshkov, K. Siemek, P.B. Lagov, E.B. Yakimov, A.I. Pechnikov, O.S. Orlov, A.A. Sidorin, S.I. Stepanov, I.V. Shchemerov, A.A. Vasilev, A.V. Chernykh, A.A. Losev, A.D. Miliachenko, I.A. Khrisanov, Yu.S. Pavlov, U.A. Kobets, S.J. Pearton. J. Appl. Phys., 132, 035701 (2022). DOI: 10.1063/5.0100359
  4. S. Yadav, S. Dash, A.K. Patra, G.R. Umapathy, S. Ojha, S.P. Patel, R. Singh, Y.S. Katharria. ECS J. Solid State Sci. Technol., 9, 045015 (2020). DOI: 10.1149/2162-8777/ab8b49
  5. M. Liu, M. Hua, X. Tian, Z. Wang, H. Gao, W. Wang, Y. Chen, C. Zhang, S. Zhao, Q. Feng, Y. Hao. Appl. Phys. Lett., 123, 212103 (2023). DOI: 10.1063/5.0170417
  6. J. Kim, S.J. Pearton, C. Fares, J. Yang, F. Ren, S. Kima, A.Y. Polyakov. J. Mater. Chem. C, 7, 10 (2019). DOI: 10.1039/C8TC04193H
  7. Z. Zhang, T. Wang, L. Xiao, C. Liu, J. Zhou, Y. Zhang, C. Qi, G. Ma, M. Huo. IEEE Trans. Еlectron Dev., 71, 1676 (2024). DOI: 10.1109/TED.2023.3334713
  8. C. Remple, J. Huso, M.H. Weber, J.S. McCloy, M.D. McCluskey. J. Appl. Phys., 135, 185702 (2024). DOI: 10.1063/5.0196824
  9. L. Ren, J. Lv. Mater. Today Comm., 36, 106621 (2023). DOI: 10.1016/j.mtcomm.2023.106621
  10. T. Wang, S. Wang, B. Zhou, Y. Tang, L. Wang, B. Li, C. Liu, Z. Wu, Y. Yang, B. Mei, C. Qi, Y. Zhang, M. Liu. ECS J. Sol. State Sci. Tech., 10, 115001 (2021). DOI: 10.1149/2162-8777/ac2e4d
  11. T.-H. Dang, M. Konczykowski, H. Jaffr\`es, V.I. Safarov, H.-J. Drouhin. JVST A, 40, 033416 (2022). DOI: 10.1116/6.0001821
  12. D.A. Bauman, D.Iu. Panov, V.A. Spiridonov, A.V. Kremleva, A.V. Asach, E.V. Tambulatova, A.V. Sakharov, A.E. Romanov. JVST A, 41 (5), 053203 (2023). DOI: 10.1116/6.0002644
  13. D.A. Bauman, D.I. Panov, D.A. Zakgeim, V.A. Spiridonov, A.V. Kremleva, A.A. Petrenko, P.N. Brunkov, N.D. Prasolov, A.V. Nashchekin, A.M. Smirnov, M.A. Odnoblyudov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Phys. Status Solidi A, 218 (20), 2100335 (2021). DOI: 10.1002/pssa.202100335
  14. С. Lehmann. Interaction of radiation with solids and elementary defect production (North-Holland, Amsterdam, 1977), p. 139
  15. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974). DOI: 10.1063/1.1663719
  16. V.V. Kozlovski, A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova. J. Appl. Phys., 117, 155702 (2015). DOI: 10.1063/1.4918607
  17. J. Yang, F. Ren, S.J. Pearton, G. Yang, J. Kim, A. Kuramata. J. Vac. Sci. Technol. B, 35, 031208 (2017). DOI: 10.1116/1.4983377
  18. A.A. Lebedev, K.S. Davydovskaya, A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovski. J. Surface Investigation, X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 11, 924 (2017)
  19. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, I.V. Shchemerov, E.B. Yakimov, S.J. Pearton, C. Fares, J. Yang, F. Ren, J. Kim, P.B. Lagov, V.S. Stolbunov, A. Kochkova. Appl. Phys. Lett., 113, 092102 (2018). DOI: 10.1063/1.5049130
  20. A.Y. Polyakov, A.A. Vasilev, I.V. Shchemerov, A.V. Chernykh, I.V. Shetinin, E.V. Zhevnerov, A.I. Kochkova, P.B. Lagov, A.V. Miakonkikh, Yu.S. Pavlov, U.A. Kobets, I.-H. Lee, A. Kuznetsov, S.J. Pearton. J. Alloys Compounds, 945, 169258 (2023). DOI: 10.1016/j.jallcom.2023.169258
  21. A.Y. Polyakov, V.I. Nikolaev, E.B. Yakimov, F. Ren, S.J. Pearton, J. Kim. J. Vac. Sci. Technol. A, 40, 020804 (2022). DOI: 10.1116/6.0001701
  22. M.E. Ingebrigtsen, J.B. Varley, A.Yu. Kuznetsov, B.G. Svensson, G. Alfieri, A. Mihaila, U. Badstubner, L. Vines. Appl. Phys. Lett., 112, 042104 (2018). DOI: 10.1063/1.5020134
  23. K. Irmscher, Z. Galazka, M. Pietsch, R. Uecker, R. Fornari. J. Appl. Phys., 110, 063720 (2011). DOI: 10.1063/1.3642962
  24. Z. Galazka. J. Appl. Phys., 131, 031103 (2022). DOI: 10.1063/5.0076962
  25. Д.А. Закгейм, Д.Ю. Панов, В.А. Спиридонов, А.В. Кремлева, А.М. Смирнов, Д.А. Бауман, А.Е. Романов, М.А. Одноблюдов, В.Е. Бугров. Письма в ЖТФ, 46 (22), 43 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.22.50308.18499
  26. D.A. Bauman, D.I. Panov, V.A. Spiridonov, A.Yu. Ivanov, P.A. Bogdanov, W.V. Lundin, E.Yu. Lundina, A.F. Tsatsulnikov, M.V. Tokarev, B.Y. Ber, S.S. Rachkov, D.Yu. Kazantsev, P.N. Brunkov, A.E. Romanov. J. Vac. Sci. Tech. A, 43, 042804 (2025). DOI: 10.1116/6.0004535

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme