Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2026, выпуск 8 » Статья стр. 1525
<<<>>>
Численный анализ технологического решения, позволяющего уменьшить наведенный нагрев в фотонных чипах
Министерство образования и науки РФ , Изготовление и характеризация образцов были выполнены с использованием УНУ «КУТГИ» - «Комплекса оборудований для исследования технологий гетерогенной интеграции и кремний-углеродных нанотехнологий», 125020501540-9
Гальченко Л.Д.1,2, Дрязгов М.А. 1, Вовк Н.А.1, Тархов М.А.1
1Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Email: lidgalo@gmail.com, dryazgovm@gmail.com, vovkolg2011@gmail.com, Tmafuz@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 февраля 2026 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2026 г.
PDF версия
Проведено моделирование процесса наведенного нагрева кольцевых микрорезонаторов из Si3N4 в тонком слое SiO2 на подложке Si. Предложена топология перфорирования чипа, которая позволяет уменьшить эффект наведенного нагрева в 17 раз и повысить эффективность перестройки резонансной длины волны в 1.61 раза по сравнению с чипом без перфорации. Ключевые слова: наведенный нагрев, нитрид кремния, перфорирование, кольцевые микрорезонаторы.
  1. V. Van, T.A. Ibrahim, P.P. Absil, F.G. Johnson, R. Grover, P.-T. Ho. IEEE J. Selected Topics in Quant. Electron., 08 (3), 705 (2002). https://doi.org/10.1109/JSTQE.2002.1016376
  2. A. Yalcin, K.C. Popat, J.C. Aldridge, T.A. Desai, J. Hryniewicz, N. Chbouki, B.E. Little, O. King, V. Van, S. Chu, D. Gill, M. Anthes-Washburn, M.S. Unlu, B.B. Goldberg. IEEE J. Selected Topics in Quant. Electron., 12 (1), 148 (2006)
  3. C.-Y. Chao, W. Fung, L. Guo. IEEE J. Selected Topics in Quant. Electron., 12 (1), 134 (2006)
  4. I.I. Faruque, G.F. Sinclair, D. Bonneau, J.G. Rarity, M.G. Thompson. Opt. Express, 26 (16), 20379 (2018)
  5. C. Xiang, M. Davenport, J. Khurgin, P. Morton, J. Bowers. IEEE J. Selected Topics in Quant. Electron., 24 (4), 1 (2017)
  6. D. Lin, X. Xu, P. Zheng, H. Yang, G. Hu, B. Yun, Y. Cui. IEEE Photon. J., 11 (5), 1 (2019)
  7. B. Stern, X. Ji, A. Dutt, M. Lipson. Opt. Lett., 42, 4541 (2017)
  8. D. Spencer, M. Davenport, T. Komljenovic, S. Srinivasan, J. Bowers. Opt. Express, 24, 13511 (2016)
  9. J. Guo, G.A. Vawter, M.J. Shaw, G.R. Hadley, P. Esherick, A. Jain, C.R. Alford, C.T. Sullivan. Opt. Components Mater. SPIE, 5350, 13 (2004)
  10. X. Ji, S. Roberts, M. Corato Zanarella, M. Lipson. APL Photon., 6, 071101 (2021)
  11. M. Borghi, C. Castellan, S. Signorini, A. Trenti, L. Pavesi. J. Opt., 19 (9), 093002 (2017)
  12. K. Koshelev, S. Kruk, E. Melik-Gaykazyan, J.-H. Choi, A. Bogdanov, H.-G. Park, Y. Kivshar. Science, 367 (6475), 288 (2020)
  13. H. El Dirani, L. Youssef, C. Petit-Etienne, S. Kerdiles, P. Grosse, C. Monat, E. Pargon, C. Sciancalepore. Opt. Еxpress, 27 (21), 30726 (2019)
  14. Y. Xuan, Y. Liu, L.T. Varghese, A.J. Metcalf, X. Xue, P.-H. Wang, K. Han, J.A. Jaramillo-Villegas, A. Al Noman, C. Wang, S. Kim, M. Teng, Y. Lee. Optica, 3 (11), 1171 (2016)
  15. A. Mumlyakov, N. Dmitriev, M. Shibalov, I. Filippov, I. Trofimov, A. Danilin, V. Lobanov, I. Bilenko, M. Tarkhov. Phys. Rev. Appl., 22, 11 (2024)
  16. D. Bonneville. Low-cost and versatile fabrication of silicon-compatible photonic integrated circuits for active devices and sensors (Ph.D. dissertation, McMaster University, Hamilton, Ontario, Department of Engineering Physics, 2022)
  17. P.-H. Wang, H.-Y. Zheng, Y.-H. Liu, N.-L. Hou, C.-H. Chen, H.-W. Chen, C.-M. Wang, APL Photon., 9, 08 (2024)
  18. Y. Su, Y. Zhang, C. Qiu, X. Guo, L. Sun. Adv. Mater. Technol., 5 (8), 1901153 (2020)
  19. J. Broeng, D. Mogilevstev, S.E. Barkou, A. Bjarklev. Opt. Fiber Technol., 5 (3), 305 (1999)
  20. D. Bulla, B.-H. Borges, M. Romero, N. Morimoto, L. Neto. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 50 (1), 9 (2002)
  21. K. Suzuki, K. Yamaguchi, Y. Kurata, O. Moriwaki. J. Opt. Society America B, 42, 2343 (2025)
  22. M. Sumetsky, D.J. DiGiovanni, Y. Dulashko, X. Liu, E.M. Monberg, T.F. Taunay. Opt. Express, 20 (10), 10684 (2012)
  23. U. Levy, K. Campbell, A. Groisman, S. Mookherjea, Y. Fainman. Appl. Phys. Lett., 88 (11), 111107 (2006)
  24. N. Dmitriev, A. Mumlyakov, M. Shibalov, I. Filippov, G. Molodtsova, I. Trofimov, D. Brukvina, I. Bilenko, M. Tarkhov. Phys. Rev. Appl., 24, 11 (2025)
  25. Z. Li, B. Lopez-Rodriguez, N. Sharma, R. van der Kolk, Th. Scholte, H. Smedes, R. Tufan Erdogan, J. Chang, H. Voncken, J. Gao, A.W. Elshaari, S. Groblacher, I.E. Zadeh. APL Photon., 10 (10), (2025)
  26. S. Liu, T. Xu, B. Wang, D. Wang, Q. Xiao, L. Fan, C. Huang. Optica, 12 (7), 1113 (2025)
  27. S. Szunerits, D.R. Walt. Analytical Chem., 74 (7), 1718 (2002)
  28. A. Ribeiro, W. Bogaerts. Opt. Express, 25 (24), 29778 (2017)
  29. H. Rhee, H. Kwon, C.-K. Kim, H. Kim, J. Yoo, Y. Kim. J. Vacuum Sci. Technol. B: Microelectronics and Nanometer Structures, 26, 576 (2008)
  30. B. Pan, J. Bourderionnet, V. Billault, G. Dande, M. Dahlem, J.H. Song, S. Dwivedi, D.C. Altamirano, C. Cummins, S.S. Saseendran, P. Helin, J. Ramirez, D. Neel, E. Soltanian, J. Zhang, G. Roelkens. Photon. Res., 12 (11), 2508 (2024)
  31. P.D. Desai. J. Рhys. Сhem. Reference Data, 15 (3), 967 (1986)
  32. C.Y. Ho, R.W. Powell, P.E. Liley. J. Рhys. Сhem. Reference Data, 1 (2), 279 (1972)
  33. K.C. Mills, L. Courtney. ISIJ International, 11, Suppl, S130 (2000)
  34. A. Arbabi, L.L. Goddard. Opt. Lett., 38 (19), 3878 (2013)
  35. CRC Handbook of Chemistry and Physics (88th Edition, 88th ed. CRC Press, 2007)
  36. J.K. Srivastava, M. Prasad, J.B. Wagner. J. Electrochem. Society, 132 (4), 955 (1985). [Online]. Available: https://doi.org/10.1149/1.2113993
  37. X. Liu, P. Ying, X. Zhong, J. Xu, Y. Han, S. Yu, X. Cai. Opt. Lett., 45, 6318 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme