Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2026, выпуск 8 » Статья стр. 1489
>>>
Оксид галлия как материал силовой электроники
Российский научный фонд, 25-72-10020
Щемеров И.В. 1, Поляков А.Я. 1, Николаев В.И. 2, Якимов Е.Б. 1,2, Васильев А.А. 1, Алексанян Л.А. 1, Черных А.В. 1, Черных С.В. 1
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: schemerov.iv@misis.ru, poliakov.ai@misis.ru, nikolaev.v@mail.ioffe.ru, yakimov@iptm.ru, aavasilev@misis.ru, laleksanian@misis.ru, av.chernykh@misis.ru, sv.chernykh@misis.ru
Поступила в редакцию: 1 января 2026 г.
В окончательной редакции: 30 января 2026 г.
Принята к печати: 9 февраля 2026 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2026 г.
PDF версия
Приведено описание основных электрических и электрофизических параметров оксида галлия, которые характеризуют его как материал силовой электроники четвертого поколения. Относительно высокий уровень подвижности носителей заряда, огромные пробивные напряжения (более 8 MV/cm) и относительная простота изготовления делают этот материал одним из наиболее перспективных полупроводников ближайших десятилетий. Одновременно с тем массовому внедрению оксида галлия мешают две важнейшие проблемы: невысокая теплопроводность и сложности с получением проводимости p-типа. Будет дан обзор основных приемов, используемых для изготовления силовых выпрямительных диодов на основе оксида галлия, показаны возможности его применения, реализованные как в России, так и за рубежом, а также описаны возможные пути к решению основных проблем его использования: создание гетероструктур и ионный перенос. Ключевые слова: оксид галлия, диод Шоттки, силовая электроника, пробивное напряжение.
  1. S.J. Pearton, F. Ren, A.Y. Polyakov, E.B. Yakimov, L. Chernyak, A. Haque. J. Vacuum Sci. Technol. A, 43 (2025). https://doi.org/10.1116/6.0004444
  2. I. Cora, Zs. Fogarassy, R. Fornari, M. Bosi, A. Revcnik, B. Pecz. Acta Mater., 183, 216 (2020). https://doi.org/10.1016/j.actamat.2019.11.019
  3. J. Wang, H. Guo, C.-Z. Zhu, Q. Cai, G.-F. Yang, J.-J. Xue, D.-J. Chen, Y. Tong, B. Liu, H. Lu, R. Zhang, Y.-D. Zheng. IEEE Electron Dev. Lett., 1 (2020). https://doi.org/10.1109/LED.2020.2995446
  4. F. Zhang, X. Liu, J. Zhou, Q. Liao, T. Sun, X. Liu, Y. Peng, D. Guo, P. Wang, H. Li. AIP Adv., 12 (2022). https://doi.org/10.1063/5.0103229
  5. T. Matsumoto, M. Aoki, A. Kinoshita, T. Aono. J. Appl. Phys., 13, 1578 (1974). https://doi.org/10.1143/JJAP.13.1578
  6. H. He, M.A. Blanco, R. Pandey. Appl. Phys. Lett., 88, 261904 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2218046
  7. S.J. Pearton, J. Yang, P.H. Cary, F. Ren, J. Kim, M.J. Tadjer, M.A. Mastro. Appl. Phys. Rev., 5, 11301 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5006941
  8. М.А. Рожков, Е.С. Колодезный, А.М. Смирнов, В.Е. Бугров, А.Е. Романов. Mater. Phys. Mech., 24, 194 (2015)
  9. J. Yang, S. Ahn, F. Ren, S.J. Pearton, S. Jang, A. Kuramata. IEEE Electron Dev. Lett., 38, 906 (2017). https://doi.org/10.1109/LED.2017.2703609
  10. J. Yang, F. Ren, M. Tadjer, S.J. Pearton, A. Kuramata. AIP Adv., 8 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5034444
  11. J. Millan, P. Friedrichs, A. Mihaila, V. Soler, J. Rebollo, V. Banu, P. Godignon. 2015 Intern. Semiconductor Conf. (CAS), IEEE, 11 (2015). https://doi.org/10.1109/SMICND.2015.7355148
  12. J.-S. Li, H.-H. Wan, C.-C. Chiang, T.J. Yoo, M.-H. Yu, F. Ren, H. Kim, Y.-T. Liao, S.J. Pearton. ECS J. Solid State Sci. Technol., 13, 035003 (2024). https://doi.org/10.1149/2162-8777/ad3457
  13. A.Y. Polyakov, E.B. Yakimov, V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, A.V. Miakonkikh, A. Azarov, I.-H. Lee, A.A. Vasilev, A.I. Kochkova, I.V. Shchemerov, A. Kuznetsov, S.J. Pearton. Crystals (Basel), 13, 1400 (2023). https://doi.org/10.3390/cryst13091400
  14. T. Gake, Y. Kumagai, F. Oba. Phys. Rev. Mater., 3, 44603 (2019). https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044603
  15. A.Y. Polyakov, E.B. Yakimov, I.V. Shchemerov, A.A. Vasilev, A.I. Kochkova, V.I. Nikolaev, S.J. Pearton. J. Phys. D Appl. Phys., 58, 063002 (2025). https://doi.org/10.1088/1361-6463/ad8e6e
  16. S.-R. Park, Z. Chi, C. Sartel, S.-M. Koo, M. Fregnaux, Y. Zheng, S. Douglas, L. Penman, F. Massabuau, T. Tchelidze, J.-M. Chauveau, E. Chikoidze. Mater. Sci. Semicond. Process., 200, 110003 (2025). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110003
  17. F. Zhou, H. Gong, M. Xiao, Y. Ma, Z. Wang, X. Yu, L. Li, L. Fu, H.H. Tan, Y. Yang, F.-F. Ren, S. Gu, Y. Zheng, H. Lu, R. Zhang, Y. Zhang, J. Ye. Nat. Commun., 14, 4459 (2023). https://doi.org/10.1038/s41467-023-40194-0
  18. Z. Han, G. Jian, X. Zhou, Q. He, W. Hao, J. Liu, B. Li, H. Huang, Q. Li, X. Zhao, G. Xu, S. Long. IEEE Electron Dev. Lett., 44, 1680 (2023). https://doi.org/10.1109/LED.2023.3305389
  19. H.H. Gong, X.X. Yu, Y. Xu, X.H. Chen, Y. Kuang, Y.J. Lv, Y. Yang, F.-F. Ren, Z.H. Feng, S.L. Gu, Y.D. Zheng, R. Zhang, J.D. Ye. Appl. Phys. Lett., 118 (2021). https://doi.org/10.1063/5.0050919
  20. D.A. Bauman, D.Yu. Panov, V.A. Spiridonov, A.V. Kremleva, M.A. Odnoblyudov, A.V. Asach, V.A. Krylov, G.N. Isachenko, E.V. Tambulatova, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Sci. Tech. J. Information Technologies, Mechanics and Optics, 21, 880 (2021). https://doi.org/10.17586/2226-1494-2021-21-6-880-886
  21. S.J. Pearton, F. Ren, M. Tadjer, J. Kim. J. Appl. Phys., 124 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5062841
  22. Y. Xu, F. Mu, Y. Wang, D. Chen, X. Ou, T. Suga. Ceram. Int., 45, 6552 (2019). https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2018.11.220
  23. W. Xu, T. You, F. Mu, Z. Shen, J. Lin, K. Huang, M. Zhou, A. Yi, Z. Qu, T. Suga, G. Han, X. Ou. ACS Appl. Electron. Mater., 4, 494 (2022). https://doi.org/10.1021/acsaelm.1c01102
  24. A. Yoshikawa, V. Kochurikhin, T. Tomida, I. Takahashi, K. Kamada, Y. Shoji, K. Kakimoto. Sci. Rep., 14, 14881 (2024). https://doi.org/10.1038/s41598-024-65420-7
  25. K. Kamada, R. Sasaki, T. Tomida, I. Takahashi, M. Yoshino, T. Horiai, R. Murakami, V. Kochurikhin, Y. Shoji, K. Kakimoto, A. Yoshikawa. Crystals (Basel), 13, 921 (2023). https://doi.org/10.3390/cryst13060921
  26. Y. He, F. Zhao, B. Huang, T. Zhang, H. Zhu. Materials, 17, 1870 (2024). https://doi.org/10.3390/ma17081870
  27. Y.-W. Huan, S.-M. Sun, C.-J. Gu, W.-J. Liu, S.-J. Ding, H.-Y. Yu, C.-T. Xia, D.W. Zhang. Nanoscale Res. Lett., 13, 246 (2018). https://doi.org/10.1186/s11671-018-2667-2
  28. L. Li. Carbon Trends, 7, 100153 (2022). https://doi.org/10.1016/j.cartre.2022.100153
  29. M. Labed, J.Y. Min, E.S. Jo, N. Sengouga, C. Venkata Prasad, Y.S. Rim. ACS Appl. Electron. Mater., 5, 3198 (2023). https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00259
  30. P.H. Carey, J. Yang, F. Ren, D.C. Hays, S.J. Pearton, A. Kuramata, I.I. Kravchenko. J. Vacuum Sci. Technol. B, 35 (2017). https://doi.org/10.1116/1.4995816
  31. L.A.M. Lyle. J. Vacuum Sci. Technol. A, 40 (2022). https://doi.org/10.1116/6.0002144
  32. A. Sood, D.-S. Wuu, F.-G. Tarntair, N.T. Sao, T.-L. Wu, N. Tumilty, H.-C. Kuo, S.J. Pratap, R.-H. Horng. Mater. Today Adv., 17, 100346 (2023). https://doi.org/10.1016/j.mtadv.2023.100346
  33. H. Liu, Y. Wang, Y. Lv, S. Han, T. Han, S. Dun, H. Guo, A. Bu, Z. Feng. IEEE Electron Dev. Lett., 44, 1048 (2023). https://doi.org/10.1109/LED.2023.3279431
  34. A.Y. Polyakov, I. Shchemerov, E.B. Yakimov, A. Chernykh, S. Chernykh, A. Vasilev, N. Matros, A. Romanov, L. Alexanyan, E.E. Yakimov, S.J. Pearton. Mater. Adv., 6, 8635 (2025). https://doi.org/10.1039/D5MA00831J
  35. J. Yang, F. Ren, M. Tadjer, S.J. Pearton, A. Kuramata. ECS J. Solid State Sci. Technol., 7, Q92 (2018). https://doi.org/10.1149/2.0241805jss
  36. N. Allen, M. Xiao, X. Yan, K. Sasaki, M.J. Tadjer, J. Ma, R. Zhang, H. Wang, Y. Zhang. IEEE Electron Dev. Lett., 40, 1399 (2019). https://doi.org/10.1109/LED.2019.2931697
  37. H.-K. Lee, V. Janardhanam, J.-K. Mun, T.-H. Jang, K.-H. Shim, H.J. Yun, J. Won, C.-J. Choi. Mater. Sci. Semicond. Process., 191, 109371 (2025). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109371
  38. X. Xu, Y. Deng, T. Li, D. Chen, F. Wang, C. Yu, H. Qi, Y. Wang, H. Zhang, X. Lu. Appl. Phys. Lett., 125 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0212785
  39. J. Yang, C. Fares, R. Elhassani, M. Xian, F. Ren, S.J. Pearton, M. Tadjer, A. Kuramata. ECS J. Solid State Sci. Technol., 8, Q3159 (2019). https://doi.org/10.1149/2.0211907jss
  40. D. Liu, Y. Huang, Z. Zhang, D. Chen, Q. Feng, H. You, J. Zhang, C. Zhang, Y. Hao. ECS J. Solid State Sci. Technol., 10, 125001 (2021). https://doi.org/10.1149/2162-8777/ac3afd
  41. S. Kumar, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki. Appl. Phys. Express, 15, 054001 (2022). https://doi.org/10.35848/1882-0786/ac620b
  42. Y. Shen, X. Qi, L. Gu, Y.-C. Liu, Q.-C. Zhang, H.-P. Ma. 2024 10th Intern. Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS), IEEE, 360 (2024). https://doi.org/10.1109/SSLCHINAIFWS64644.2024. 10835386
  43. J. Yang, M. Xian, P. Carey, C. Fares, J. Partain, F. Ren, M. Tadjer, E. Anber, D. Foley, A. Lang, J. Hart, J. Nathaniel, M.L. Taheri, S.J. Pearton, A. Kuramata. Appl. Phys. Lett., 114 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5100256
  44. X. Zhou, J. Yang, H. Zhang, Y. Liu, G. Xie, W. Liu. Nanomaterials, 14, 978 (2024). https://doi.org/10.3390/nano14110978
  45. R. Sharma, M. Xian, M.E. Law, M. Tadjer, F. Ren, S.J. Pearton. J. Vacuum Sci. Technol. A, 38 (2020). https://doi.org/10.1116/6.0000693
  46. H. Chen, H. Wang, K. Sheng. IEEE Electron Dev. Lett., 44, 21 (2023). https://doi.org/10.1109/LED.2022.3222878
  47. P.H. Carey, J. Yang, F. Ren, R. Sharma, M. Law, S.J. Pearton. ECS J. Solid State Sci. Technol., 8, Q3221 (2019). https://doi.org/10.1149/2.0391907jss
  48. Z. Hu, H. Zhou, Q. Feng, J. Zhang, C. Zhang, K. Dang, Y. Cai, Z. Feng, Y. Gao, X. Kang, Y. Hao. IEEE Electron Dev. Lett., 1 (2018). https://doi.org/10.1109/LED.2018.2868444
  49. C. Wang, J. Zhang, S. Xu, C. Zhang, Q. Feng, Y. Zhang, J. Ning, S. Zhao, H. Zhou, Y. Hao. J. Phys. D Appl. Phys., 54, 243001 (2021). https://doi.org/10.1088/1361-6463/abe158
  50. H. Dong, W. Mu, Y. Hu, Q. He, B. Fu, H. Xue, Y. Qin, G. Jian, Y. Zhang, S. Long, Z. Jia, H. Lv, Q. Liu, X. Tao, M. Liu. AIP Adv., 8 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5031183
  51. Z. Feng, Y. Cai, Z. Li, Z. Hu, Y. Zhang, X. Lu, X. Kang, J. Ning, C. Zhang, Q. Feng, J. Zhang, H. Zhou, Y. Hao. Appl. Phys. Lett., 116 (2020). https://doi.org/10.1063/5.0010561
  52. E. Farzana, S. Roy, N.S. Hendricks, S. Krishnamoorthy, J.S. Speck. Appl. Phys. Lett., 123 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0171876
  53. E. Farzana, A. Bhattacharyya, N.S. Hendricks, T. Itoh, S. Krishnamoorthy, J.S. Speck. APL Mater., 10 (2022). https://doi.org/10.1063/5.0121903
  54. Y. Gao, Z. Xu, X. Tian, Q. Feng, X. Lu, C. Zhang, J. Zhang, Y. Hao. J. Alloys Compd., 900, 163120 (2022). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.163120
  55. S. Roy, A. Bhattacharyya, C. Peterson, S. Krishnamoorthy. Appl. Phys. Lett., 122 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0137935
  56. N. Sun, H.H. Gong, T.C. Hu, F. Zhou, Z.P. Wang, X.X. Yu, F.-F. Ren, S.L. Gu, H. Lu, R. Zhang, J.D. Ye. Appl. Phys. Lett., 125 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0231974
  57. Z. Hongpeng, L. Guo, C. Chen, R. Jia, L. Yuan, B. Peng, Y. Zhang, S. Luan, H. Zhang, Y. Zhang. SCIENTIA SINICA Phys., Mechan. Astronom. (2023). https://doi.org/10.1360/SSPMA-2022-0498
  58. Z. Xia, H. Chandrasekar, W. Moore, C. Wang, A.J. Lee, J. McGlone, N.K. Kalarickal, A. Arehart, S. Ringel, F. Yang, S. Rajan. Appl. Phys. Lett., 115 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5130669
  59. K.J. Liddy, N.S. Hendricks, W. Wang, A.M. Adams, Z. Weber, K.D. Leedy, J.-P. Bega, A.E. Islam, A.J. Green. APL Electron. Dev., 1 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0283825
  60. Y. Gao, A. Li, Q. Feng, Z. Hu, Z. Feng, K. Zhang, X. Lu, C. Zhang, H. Zhou, W. Mu, Z. Jia, J. Zhang, Y. Hao. Nanoscale Res. Lett., 14, 8 (2019). https://doi.org/10.1186/s11671-018-2849-y
  61. H. Zhou, Q. Feng, J. Ning, C. Zhang, P. Ma, Y. Hao, Q. Yan, J. Zhang, Y. Lv, Z. Liu, Y. Zhang, K. Dang, P. Dong, Z. Feng. IEEE Electron Dev. Lett., 40, 1788 (2019). https://doi.org/10.1109/LED.2019.2939788
  62. S. Dhara, N.K. Kalarickal, A. Dheenan, C. Joishi, S. Rajan. Appl. Phys. Lett., 121 (2022). https://doi.org/10.1063/5.0123284
  63. Y. Kwon, G. Lee, S. Oh, J. Kim, S.J. Pearton, F. Ren. Appl. Phys. Lett., 110 (2017). https://doi.org/10.1063/1.4979028
  64. G. Alfieri, A. Mihaila, P. Godignon, J.B. Varley, L. Vines. J. Appl. Phys., 130 (2021). https://doi.org/10.1063/5.0050416
  65. Y. Deng, D. Chen, T. Li, M. Zhu, X. Xu, H. Zhang, X. Lu. Micro Nanostructures, 199, 208073 (2025). https://doi.org/10.1016/j.micrna.2025.208073
  66. J. Yang, S. Ahn, F. Ren, S. Pearton, R. Khanna, K. Bevlin, D. Geerpuram, A. Kuramata. J. Vacuum Sci. Technol. B, 35 (2017). https://doi.org/10.1116/1.4982714
  67. Q. Li, J. Liu, W. Hao, X. Xu, Z. Han, S. He, X. Xu, G. Xu, S. Long. Appl. Phys. Lett., 126 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0248466
  68. J. Wan, H. Wang, C. Zhang, C. Wang, H. Cheng, J. Ye, Y. Zhang, K. Sheng. Appl. Phys. Lett., 126 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0251699
  69. G.T. Dang, T. Kawaharamura, M. Furuta, M.W. Allen. IEEE Trans. Electron Dev., 62, 3640 (2015). https://doi.org/10.1109/TED.2015.2477438
  70. Z. Yu, R. Wang, Z. Wang, M. Xu, T. Hou, B. Fu, D. Gong, Y. Shi. Vacuum, 233, 113959 (2025). https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2024.113959
  71. X. Han, X. Xu, Z. Wang, D. Chen, Y. Deng, D. Chen, H. Zhang, H. Qi. Appl. Phys. Lett., 127 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0276330
  72. D.C. Sheridan, G. Niu, J.N. Merrett, J.D. Cressler, J.B. Dufrene, J.B. Casady, I. Sankin. Proceed. 13th Intern. Symposium on Power Semiconductor Devices \& ICs. IPSD '01 (IEEE Cat. No.01CH37216), Inst. Electr. Eng. Jpn, n.d., p. 191-194 (2001). https://doi.org/10.1109/ISPSD.2001.934587
  73. M. Xiao, B. Wang, J. Spencer, Y. Qin, M. Porter, Y. Ma, Y. Wang, K. Sasaki, M. Tadjer, Y. Zhang. Appl. Phys. Lett., 122 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0142229
  74. W. Hao, F. Wu, W. Li, G. Xu, X. Xie, K. Zhou, W. Guo, X. Zhou, Q. He, X. Zhao, S. Yang, S. Long. Intern. Electron Dev. Meeting (IEDM), IEEE, 9.5.1 (2022). https://doi.org/10.1109/IEDM45625.2022.10019468
  75. B. Wang, M. Xiao, J. Spencer, Y. Qin, K. Sasaki, M.J. Tadjer, Y. Zhang. IEEE Electron Dev. Lett., 44, 221 (2023). https://doi.org/10.1109/LED.2022.3229222
  76. Q. Chang, B. Hou, L. Yang, M. Jia, Y. Zhu, M. Wu, M. Zhang, Q. Zhu, H. Lu, J. Xu, C. Shi, J. Du, Q. Yu, M. Li, X. Zou, H. Sun, X. Ma, Y. Hao. Appl. Phys. Lett., 126 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0243637
  77. M. Xian, R. Elhassani, C. Fares, F. Ren, M. Tadjer, S.J. Pearton. J. Vacuum Sci. Technol. B, 37 (2019). https://doi.org/10.1116/1.5127511
  78. Z.-C. Zhang, Y. Wu, C. Lu, S. Ahmed. Appl. Phys. A, 124, 637 (2018). https://doi.org/10.1007/s00339-018-2053-z
  79. N.S. Al-Mamun, J.-S. Li, A. Haque, D.E. Wolfe, F. Ren, S. Pearton. APL Electron. Dev., 1 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0250729
  80. S. Bu, Y. Wang, X. Zheng, S. Yue, D. Lin, L. Yi, V. Melikyan, X. Ma, Y. Hao. Appl. Phys. Lett., 126 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0260529
  81. A.K. Bhat, S.C. Vanjari, M.D. Smith, M. Kuball. Appl. Phys. Lett., 127 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0278110
  82. Y. Feng, H. Zhou, S. Alghamdi, S. Wasly, Y. Hao, J. Zhang. Appl. Phys. Lett., 126 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0260146
  83. C. De Santi, A. Nardo, M.H. Wong, K. Goto, A. Kuramata, S. Yamakoshi, H. Murakami, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Meneghini. Microelectron. Reliability, 100-101, 113453 (2019). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2019.113453
  84. D.N. Ramdin, H.-L. Huang, C. Chae, S. Dhara, S. Rajan, J. Hwang, L.J. Brillson. APL Mater., 12 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0228825
  85. H.-L. Huang, C. Chae, J. Hwang. J. Appl. Phys., 131 (2022). https://doi.org/10.1063/5.0087053
  86. H.-L. Huang, J.M. Johnson, C. Chae, A. Senckowski, M.H. Wong, J. Hwang. Appl. Phys. Lett., 122 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0156009
  87. K. Egbo, W.A. Callahan, S. Sohel, C. Chae, B. Tellekamp, J. Hwang, A. Zakutayev. APL Energy, 3 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0251435
  88. X. Xia, M. Xian, C. Fares, F. Ren, M. Tadjer, S.J. Pearton. J. Vacuum Sci. Technol. A, 39 (2021). https://doi.org/10.1116/6.0001211
  89. M.-H. Lee, R.L. Peterson. APL Mater., 7 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5054624
  90. M.-H. Lee, R.L. Peterson. ECS J. Solid State Sci. Technol., 8, Q3176 (2019). https://doi.org/10.1149/2.0321907jss
  91. K. Heinselman, P. Walker, A. Norman, P. Parilla, D. Ginley, A. Zakutayev. J. Vacuum Sci. Technol. A, 39 (2021). https://doi.org/10.1116/6.0001003
  92. Z. Li, X. Zhang, L. Zhang, T. Chen, G. Guo, D. Zhao, Y. Hu, Z. Zou, G. Yu, W. Mu, Z. Zeng, B. Zhang. Vacuum, 240, 114445 (2025). https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2025.114445
  93. R. Schewski, G. Wagner, M. Baldini, D. Gogova, Z. Galazka, T. Schulz, T. Remmele, T. Markurt, H. von Wenckstern, M. Grundmann, O. Bierwagen, P. Vogt, M. Albrecht. Appl. Phys. Express, 8, 011101 (2015). https://doi.org/10.7567/APEX.8.011101
  94. M. Kracht, A. Karg, M. Feneberg, J. Blasing, J. Schormann, R. Goldhahn, M. Eickhoff. Phys. Rev. Appl., 10, 024047 (2018). https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.10.024047
  95. V.I. Nikolaev, S.V. Shapenkov, R.B. Timashov, A.I. Pechnikov, A.I. Stepanov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka. Mater. Today Commun., 49, 113943 (2025). https://doi.org/10.1016/j.mtcomm.2025.113943
  96. A.V. Myasoedov, I.S. Pavlov, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev. J. Appl. Phys., 135 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0189133
  97. T. Wakamatsu, Y. Isobe, H. Takane, K. Kaneko, K. Tanaka. J. Appl. Phys., 135 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0207432
  98. D. Yang, B. Kim, J. Oh, T.H. Lee, J. Ryu, S. Park, S. Kim, E. Yoon, Y. Park, H.W. Jang. ACS Appl. Mater. Interfaces, 14, 5598 (2022). https://doi.org/10.1021/acsami.1c21845
  99. S.Y. Oh, Y.J. Jeong, I. Kang, J.-H. Park, M.J. Yeom, D.-W. Jeon, G. Yoo. Micromachines (Basel), 15, 133 (2024). https://doi.org/10.3390/mi15010133
  100. A.Y. Polyakov, N.B. Smirnov, I.V. Shchemerov, E.B. Yakimov, V.I. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.I. Pechnikov, A.V. Chernykh, K.D. Shcherbachev, A.S. Shikoh, A. Kochkova, A.A. Vasilev, S.J. Pearton. APL Mater., 7, 51103 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5094787
  101. A. Polyakov, V. Nikolaev, S. Stepanov, A. Almaev, A. Pechnikov, E. Yakimov, B.O. Kushnarev, I. Shchemerov, M. Scheglov, A. Chernykh, A. Vasilev, A. Kochkova, L. Guzilova, S.J. Pearton. J. Phys. D Appl. Phys., 55, 495102 (2022). https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac962f
  102. Y. Oshima, K. Kawara, T. Shinohe, T. Hitora, M. Kasu, S. Fujita. APL Mater., 7 (2019). https://doi.org/10.1063/1.5051058
  103. M.S. Williams, M. Alonso-Orts, M. Schowalter, A. Karg, S. Raghuvansy, J.P. McCandless, D. Jena, A. Rosenauer, M. Eickhoff, P. Vogt. APL Mater., 12 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0180041
  104. R. Jinno, C.S. Chang, T. Onuma, Y. Cho, S.T. Ho, D. Rowe, M.C. Cao, K. Lee, V. Protasenko, D.G. Schlom, D.A. Muller, H.G. Xing, D. Jena. Sci. Adv., 7 (2021). https://doi.org/10.1126/sciadv.abd5891
  105. R. Sharma, P.K. Singh, K. Baraik, H. Srivastava, S.K. Mandal, N. Pothana, S. Khan, R.S. Devan, T. Ganguli, R. Jangir. J. Appl. Phys., 138 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0284059
  106. V.I. Nikolaev, S.V. Shapenkov, R.B. Timashov, A.I. Stepanov, M.P. Scheglov, A.V. Chikiryaka, A.Y. Polyakov, S.J. Pearton. J. Alloys Compd., 994, 174687 (2024). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2024.174687
  107. O.F. Vyvenko, S.V. Shapenkov, E.V. Ubyivovk, A.S. Bondarenko, G.V. Varygin, A.I. Pechnikov, V.I. Nikolaev. Phys. Status Solidi (b), 262 (2025). https://doi.org/10.1002/pssb.202400435
  108. E.B. Yakimov, A.Y. Polyakov, V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, M.P. Scheglov, E.E. Yakimov, S.J. Pearton. Nanomaterials, 13, 1214 (2023). https://doi.org/10.3390/nano13071214
  109. A. Polyakov, I. Lee, V. Nikolaev, A. Pechnikov, A. Miakonkikh, M. Scheglov, E. Yakimov, A. Chikiryaka, A. Vasilev, A. Kochkova, I. Shchemerov, A. Chernykh, S. Pearton. Adv. Mater. Interfaces (2023). https://doi.org/10.1002/admi.202300394
  110. S. Wang, J. Jian, C. Xu, X. Dong, J. Yang, M. Zou, W. Liu, Q. Tu, M. Li, C. Cao, X. Liu. A Mater., 18, 2630 (2025). https://doi.org/10.3390/ma18112630
  111. Y. Wang, J. Cao, H. Song, C. Zhang, Z. Xie, Y.H. Wong, C.K. Tan. Appl. Phys. Lett., 123 (2023). https://doi.org/10.1063/5.0172161
  112. Y. Wang, Y. Guan, C. Zhang, J. Cao, X. Chen, Q. Ouyang, Y.H. Wong, G. Hu, C.K. Tan. Appl. Phys. Lett., 126 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0245828
  113. A.Yu. Ivanov, Sh.Sh. Sharofidinov, D.I. Panov, A.V. Kremleva, D.A. Bauman, A.E. Romanov. Sci. Tech. J. Information Technologies, Mechanics and Optics, 24, 943 (2024). https://doi.org/10.17586/2226-1494-2024-24-6-943-948
  114. Y. Gao, X. Tian, Q. Feng, X. Lu, C. Zhang, J. Zhang, Y. Hao. Appl. Surf. Sci., 616, 156457 (2023). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2023.156457
  115. C. Liao, X. Lu, T. Xu, P. Fang, Y. Deng, H. Luo, Z. Wu, Z. Chen, J. Liang, Y. Pei, G. Wang. IEEE Trans. Electron Dev., 69, 5722 (2022). https://doi.org/10.1109/TED.2022.3200642
  116. D. Herath Mudiyanselage, B. Da, J. Adivarahan, D. Wang, Z. He, K. Fu, Y. Zhao, H. Fu. Electronics (Basel), 13, 1234 (2024). https://doi.org/10.3390/electronics13071234
  117. F. Zhang, K. Saito, T. Tanaka, M. Nishio, M. Arita, Q. Guo. Appl. Phys. Lett., 105 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4900522
  118. C.-C. Wang, S.-H. Yuan, S.-L. Ou, S.-Y. Huang, K.-Y. Lin, Y.-A. Chen, P.-W. Hsiao, D.-S. Wuu. J. Alloys Compd., 765, 894 (2018). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2018.06.270
  119. R. Karthiga, S. Ravi, B.M.R. Manasa, C. Sivamani, N. Vinodhkumar. Micro and Nanostructures, 207, 208289 (2025). https://doi.org/10.1016/j.micrna.2025.208289
  120. A. Nandi, R. Mandia, I. Sanyal, X. Ji, X. Zheng, D.J. Smith, D. Cherns, J. Pomeroy, M. Kuball. APL Mater., 13 (2025). https://doi.org/10.1063/5.0276605
  121. X. Lu, X. Zhou, H. Jiang, K.W. Ng, Z. Chen, Y. Pei, K.M. Lau, G. Wang. IEEE Electron Dev. Lett., 41, 449 (2020). https://doi.org/10.1109/LED.2020.2967418
  122. Y. Hong, X. Zheng, Y. He, H. Zhang, W. Zhang, J. Zhang, X. Ma, Y. Hao. Mater. Sci. Semicond. Process., 185, 108987 (2025). https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108987
  123. Y. Jin, W. Wu, L. Li, J. Chen, J. Zhang, Y. Zuo, J. Fu. Appl. Surf. Sci., 255, 4673 (2009). https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2008.12.029
  124. W.A. Callahan, K. Egbo, C.-W. Lee, D. Ginley, R. O'Hayre, A. Zakutayev. Appl. Phys. Lett., 124 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0185566
  125. V.N.S. Kumaran, M. Venkatesh, A. Mubarakali, A.S. Alqahtani, P. Parthasarathy. J. Mater. Sci. in Electron., 35, 1710 (2024). https://doi.org/10.1007/s10854-024-13430-6
  126. C.N. Saha, N.J. Nipu, U. Singisetti. Appl. Phys. Express, 18, 071001 (2025). https://doi.org/10.35848/1882-0786/adeb43
  127. A.F.M.A.U. Bhuiyan, Z. Feng, J.M. Johnson, H.-L. Huang, J. Sarker, M. Zhu, M.R. Karim, B. Mazumder, J. Hwang, H. Zhao. APL Mater., 8 (2020). https://doi.org/10.1063/1.5140345
  128. Y. Wang, X. Zheng, J. Zhu, A. Pan, S. Bu, Y. Hong, J. Zhang, L. Guo, X. Ma, Y. Hao. Appl. Phys. Lett., 124 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0204051
  129. A.Y. Polyakov, D.S. Saranin, I.V. Shchemerov, A.A. Vasilev, A.A. Romanov, A.I. Kochkova, P. Gostischev, A.V. Chernykh, L.A. Alexanyan, N.R. Matros, P.B. Lagov, A.S. Doroshkevich, R.Sh. Isayev, Yu.S. Pavlov, A.M. Kislyuk, E.B. Yakimov, S.J. Pearton. Sci. Rep., 14, 27936 (2024). https://doi.org/10.1038/s41598-024-78531-y
  130. S. He, J. Wen, J. Liu, W. Hao, X. Zhou, T. Wang, Z. Zhang, J. Liu, G. Xu, S. Yang, S. Long. Appl. Phys. Lett., 125 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0237616
  131. H. Zhou, K. Maize, J. Noh, A. Shakouri, P.D. Ye. ACS Omega, 2, 7723 (2017). https://doi.org/10.1021/acsomega.7b01313
  132. Y. Wang, W. Xu, T. You, F. Mu, H. Hu, Y. Liu, H. Huang, T. Suga, G. Han, X. Ou, Y. Hao. Sci. China Phys. Mech. Astron., 63, 277311 (2020). https://doi.org/10.1007/s11433-020-1533-0
  133. T. Matsumae, Y. Kurashima, H. Umezawa, K. Tanaka, T. Ito, H. Watanabe, H. Takagi. Appl. Phys. Lett., 116 (2020). https://doi.org/10.1063/5.0002068
  134. P. Li, J. Ewing, M.S. Wong, Y. Yao, H. Li, S. Gandrothula, J.M. Smith, M. Iza, S. Nakamura, S.P. DenBaars. APL Mater., 12 (2024). https://doi.org/10.1063/5.0222618
  135. K. Kaneko, S. Fujita, T. Shinohe, K. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 62, SF0803 (2023). https://doi.org/10.35848/1347-4065/acd125
  136. X. Yu, W. Xu, Y. Wang, B. Qiao, R. Shen, J. Zhou, Z. Li, T. You, Z. Shen, K. Zhang, F.-F. Ren, D. Tang, X. Ou, G. Han, Y. Kong, T. Chen, S. Gu, Y. Zheng, J. Ye, R. Zhang. IEEE Electron Dev. Lett., 44, 1951 (2023). https://doi.org/10.1109/LED.2023.3327134
  137. W. Xu, Y. Wang, T. You, X. Ou, G. Han, H. Hu, S. Zhang, F. Mu, T. Suga, Y. Zhang, Y. Hao, X. Wang. 2019 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), IEEE, 12.5.1 (2019). https://doi.org/10.1109/IEDM19573.2019.8993501
  138. Z. Qu, Y. Xie, T. Zhao, W. Xu, Y. He, Y. Xu, H. Sun, T. You, G. Han, Y. Hao, X. Ou. ACS Appl. Mater. Interfaces, 16, 57816 (2024). https://doi.org/10.1021/acsami.4c08074
  139. W. Xu, T. You, Y. Wang, Z. Shen, K. Liu, L. Zhang, H. Sun, R. Qian, Z. An, F. Mu, T. Suga, G. Han, X. Ou, Y. Hao, X. Wang. Fundamental Research, 1, 691 (2021). https://doi.org/10.1016/j.fmre.2021.11.003
  140. P. Sittimart, S. Ohmagari, T. Matsumae, H. Umezawa, T. Yoshitake. AIP Adv., 11 (2021). https://doi.org/10.1063/5.0062531

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme