Вышедшие номера
Локализация и усиление терагерцового излучения графенсодержащей фотонной ячейкой
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, FEUF-2026-0005
Елисеева С.В. 1, Семенцов Д.И. 1, Василевская Т.М. 2
1Инженерно-физический факультет высоких технологий, Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2Кафедра летной эксплуатации и безопасности полетов, Ульяновский институт гражданской авиации им. Главного маршала авиации Б.П. Бугаева, Ульяновск, Россия
Email: eliseeva-sv@yandex.ru, sementsovdi42@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 июля 2025 г.
В окончательной редакции: 20 декабря 2025 г.
Принята к печати: 13 января 2026 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2026 г.

Исследованы спектральные свойства фотонной ячейки, состоящей из двух боковых зеркал и центрального слоя параэлектрика с высокой диэлектрической проницаемостью. Каждое из зеркал состоит из слоя полупроводника и нанесенного на него монослоя графена. В ближнем терагерцовом диапазоне мнимая часть диэлектрической проницаемости графена отрицательна и возможно усиление взаимодействующего с ним излучения, связанное с дрейфом носителей. В резонаторном слое за счет высокой диэлектрической проницаемости параэлектрика создается высокая плотность волнового поля. С помощью температуры, а также внешних электрического и магнитного полей может быть реализовано эффективное управление фотонными спектрами прохождения, отражения и усиления. Ключевые слова: фотонная ячейка, полупроводник, графен, параэлектрик, фотонные спектры, терагерцовый диапазон, усиление.
  1. M. Inoue, M. Levy, A.V. Baryshev. Magnetophotonics: From theory to applications. (Springer Science \& Business Media, 2013)
  2. В.Б. Казанский, В.Р. Туз, В.В. Хардиков. Электродинамическая теория композитных сред (Харьковский нац. ун-т им. В.Н. Каразина, 2015)
  3. С.Я. Ветров, И.В. Тимофеев, В.П. Тимофеев. Фотонные кристаллы (СФУ, 2013)
  4. А.В. Сарафанникова, А.И. Гарифуллин, Р.Х. Гайнутдинов. Тез. докл. XXIV Объединенной международной молодежной научной школы (Казань, Россия, 2020), с. 95
  5. V. Kumar, B. Suthar, J. Malik, A. Kumar, Kh.S. Singh, T. Singh, A. Bhargva. Photonics and optoelectronics 2, 17 (2013). URL: IDhttps://www.airitilibrary.com/Article/Detail/ P20150529006-201301-201508100021-201508100021-19-25
  6. С.В. Елисеева, В.А. Остаточников, Д.И. Семенцов. ФТТ, 55 (1), 61 (2013). [S.V. Eliseeva, V.A. Ostatochnikov, D.I. Sementsov. Phys. Sol. St., 55 (1), 73 (2013). DOI: 10.1134/S1063783413010137]
  7. С.В. Елисеева, Д.И. Семенцов. Опт. и спектр. 109 (5), 790 (2010). [S.V. Eliseeva, D.I. Sementsov. Opt. Spectr., 109 (5), 729 (2010). DOI: 10.1134/S0030400X10110123]
  8. T. Goto, A.V. Dorofeenko, A.M. Merzlikin, A.V. Baryshev, A.P. Vinogradov, M. Inoue, A.A. Lisyansky, A.B. Granovsky. Phys. Rev. Lett. 101, 113902 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevLett.101.113902
  9. S.V. Eliseeva, P.A. Itrin, D.I. Sementsov. Photonics., 10 (12), 1318 (2023). DOI: 10.3390/photonics10121318
  10. T. Otsuji, S.A. Boubanga-Tombet, A. Satou, D. Yadav, H. Fukidome, T. Watanabe, T. Suemitsu, A.A. Dubinov, V.V. Popov, W. Knap, V. Kachorovskii, K. Narahara, M. Ryzhii, V. Mitin, M.S. Shur, V. Ryzhii. Nanophotonics., 11, 1677 (2022). DOI: 10.1515/nanoph-2021-0651
  11. Ф.Г. Басс, А.А. Булгаков, А.П. Тетервов. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками (Наука, М., 1989)
  12. D. Svintsov. Phys. Rev. B., 100, 195428 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevB.100.195428
  13. M.Yu. Morozov, I.M. Moiseenko, V.V. Popov. J. Phys.: Condens., Matter., 30, 08LT02 (2018). DOI: 10.1088/1361-648X/aaa648
  14. I.M. Moiseenko, V.V. Popov, D.V. Fateev. Phys. Rev. B. 103 (19), 195430 (2021). DOI: 10.1103/ PhysRevB.103.195430
  15. I.M. Moiseenko, V.V. Popov, D.V. Fateev. Semiconductors, 55 (1), S30 (2021). DOI: 10.1134/ S1063782621080133
  16. О.А. Голованов, Г.С. Макеева, В.В. Вареница. Надежность и качество сложных систем, 4 (8), 26 (2014)
  17. M.H. Liu. Phys. Rev. B --- Condensed. Matter and Mater. Phys., 87 (12), 125427 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.87.125427
  18. P. Olbrich, J. Kamann, M. Konig, J. Munzert, L. Tutsch, J. Eroms, D. Weiss, Ming-Hao Liu, L.E. Golub, E.L. Ivchenko, V.V. Popov, D.V. Fateev, K.V. Mashinsky, F. Fromm, Th. Seyller, S.D. Ganichev. Phys. Rev. B., 93 (7), 075422 (2016). DOI: 10.1103/PhysRevB.93.075422
  19. В.В. Шунаев, А.А. Петрунин, А.В. Ушаков, О.Е. Глухова. ЖТФ. 94 (3), 372 (2024). [V.V. Shunaev, A.A. Petrunin, A.V. Ushakov, O.G. Glukhova. Tech. Phys., 94 (3), 372 (2024). DOI: 10.61011/JTF.2024.03.57374.314-23]
  20. J. Xia, F. Chen, J. Li, N. Tao. Nature Nanotechnology, 4 (8), 505 (2009). DOI: 10.1038/nnano.2009.177
  21. В.М. Фридкин. Сегнетоэлектрики-полупроводники (Наука, М., 1976)
  22. S. Kamba. APL Mater., 9, 020704 (2021). DOI: 10.1063/5.0036066
  23. А. Замудио-Лара, С.В. Кошевая, В.В. Гримальский, Ф. Яньез-Кортес. Вiстi вищих учбових закладiв. Радiоелектронiка, 58, 33 (2015)
  24. M. Misra, K. Kotani, I. Kawayama, H. Murakami, M. Tonouchi. Appl. Phys. Lett., 87, 182909 (2005). DOI: 10.1063/1.2128039
  25. В.Г. Орлов, Г.С. Сергеев. ФТТ, 55 (11), 2105 (2013). [V.G. Orlov, G.S. Sergeev. Physics of the Solid State, 55 (11), 2215 (2013). DOI: 10.1134/S1063783413110188]
  26. З.З. Алисултанов, Р.П. Мейланов. ФТП, 48 (7), 951 (2014). [Z.Z. Alisultanov, R.P. Meilanov. Semiconductors, 48 (7), 924 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614070021]
  27. I.V. Fedorova, S.V. Eliseeva, D.I. Sementsov. Superlattices and Microstructures, 117, 488 (2018). DOI: 10.1016/j.spmi.2018.03.030
  28. M. Born, E. Wolf. Principles of optics: electromagnetic theory of propagation, interference and diffraction of light (Elsevier, 2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.