Исследовано формирование тонких поверхностных слоев нанопористого Ge при облучении гладких монокристаллических подложек c-Ge при комнатной температуре однозарядными ²⁰⁹Bi⁺ и двухзарядными ²⁰⁹Bi⁺⁺ ионами с различными значениями энергий облучения 18 и 72 keV, соответственно. Доза облучения варьировалась от 1.3·10¹⁵ до 1.3·10¹⁷ ion/cm². Анализ морфологии поверхности нанопористых слоев для различных значений доз выполнен методом высокоразрешающей сканирующей электронной микроскопии. Измерение изменяющегося уровня поверхности после облучения было проведено на сканирующем зондовом микроскопе. Установлено, что при энергии 18 keV в процессе ионного распыления образуется нанопористый слой, состоящий из плотноупакованных нанонитей, при этом происходит понижение уровня поверхности до 200 nm при 1.0·10¹⁷ ion/cm². При более высокой энергии 72 keV формируется распухаемый нанопористый слой, возвышающийся над исходным уровнем поверхности на 100 nm при 6.2·10¹⁵ ion/cm², морфология которого определяется тонкими разнесенными между собой нанонитями. Обсуждаются концептуальные сценарии взаимодействия ускоренных ионов с поверхностью c-Ge, определяющие характер преобразования морфологии и уровня облучаемой поверхности с ростом дозы. Ключевые слова: ионная имплантация, нанопористый германий, ионы висмута, морфология поверхности, распыление, распухание.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.