Широкополосный детектор ИК-излучения на основе лазерно-индуцированного графена
Минобразования РФ, ИФМ УрО РАН
Минобразования РФ, УдмФИЦ УрО РАН, 1022040600237-3-1.3.2
Сухоруков Ю.П.
1, Телегин А.В.
1, Зонов Р.Г.
2, Михеев Г.М.
21Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Удмуртский федеральный исследовательский центр Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия

Email: suhorukov@imp.uran.ru, telegin@imp.uran.ru, znv@udman.ru, mikheev@udman.ru
Поступила в редакцию: 25 июля 2025 г.
В окончательной редакции: 1 октября 2025 г.
Принята к печати: 8 октября 2025 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2026 г.
Разработан быстродействующий широкополосный детектор инфракрасного излучения на основе лазерно-индуцированного графена, полученного методом лазерного пиролиза тонкой полиимидной пленки. Спектральная характеристика фотоотклика детектора согласуется со спектром излучения абсолютно черного тела, за исключением особенностей, обусловленных оптической схемой установки. В отличие от стандартных болометров частотная характеристика детектора на основе лазерно-индуцированного графена определена двумя различными физическими механизмами, что приводит к слабому спаду чувствительности на частотах порядка 1-10 kHz и выше. Высокая эффективность поглощения излучения в широком спектральном диапазоне (1 <λ <21 μm) и относительно высокая чувствительность (~ 0.16 %/W) позволили рассматривать данный детектор как перспективную основу для создания технологически простых и недорогих приемников инфракрасного излучения. Ключевые слова: болометрический приемник, ИК-диапазон, лазерный пиролиз, полиимидная пленка, модуляция излучения, спектр абсолютно черного тела.
- K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, Da Jiang, Ya. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Fetisov. Science, 306, 666 (2004). DOI: 10.1126/science.1102896
- D.R. Cooper, B. D'Anjou, N. Ghattamaneni, B. Harack, M. Hilke, A. Horth, N. Majlis, M. Massicotte, L. Vandsburger, E. Whiteway. Intern. Schol. Research Notic., 2012 (1), 501686 (2012). DOI: 10.5402/2012/501686
- V. Singh, D. Joung, L. Zhai, S. Das, S.I. Khondaker, S. Seal. Prog. Mater. Sci., 56, 1178 (2011). DOI: 10.1016/J.PMATSCI.2011.03.003
- П.Б. Сорокин, Л.А. Чернозатонский. УФН, 183 (2), 113 (2013). DOI: 10.3367/UFNr.0183.201302a.0113 [P.B. Sorokin, L.A. Chernozatonskii. Phys. Usp., 56, 105 (2013). DOI: 10.3367/UFNe.0183.201302a.0113]
- A.C. Ferrari, J.C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K.S. Novoselov, S. Roth, A.K. Geim. Phys. Rev. Lett., 97, 187401 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevLett.97.187401
- A.V. Klekachev, A. Nourbakhsh, I. Asselberghs, A.L. Stesmans, M.M. Heyns, S. De Gendt. Electrochem. Soc. Inter., 22 (1), 63 (2013). DOI: 10.1149/2.F07131if
- F.H.L. Koppens, T. Mueller, Ph. Avouris, A.C. Ferrari, M.S. Vitiello, M. Polini. Nat. Nanotechnol., 9 (10), 780 (2014). DOI: 10.1038/nnano.2014.215
- C.W.J. Beenakker. Rev. Mod. Phys., 80, 1337 (2008). DOI: 10.1103/RevModPhys.80.1337
- Xu Du, D.E. Prober, H. Vora, C. Mckitterick. Graphene 2D Mater., 1, 1 (2014). DOI: 10.2478/gpe-2014-0001
- Y. Xie, M. Han, R. Wang, H. Zobeiri, X. Deng, P. Zhang, X. Wang. ACS Nano, 13, 5385 (2019). DOI: 10.1021/acsnano.9b00031
- A.L. Gorkina, E.P. Gilstein, A.G. Nasibulin, A.P. Tsapenko, Y.G. Gladush. Infrared radiation detector based on single-layered carbon nanotubes and graphene (Patent RU162342U1, 2016)
- J.E. Elwood, K.S. Ashok. Thermal detectors using graphene and oxides of graphene and methods of making the same (Patent US 10937914 (B1), 2021)
- R.G. Zonov, K.G. Mikheev, A.A. Chulkina, I.A. Zlobin, G.M. Mikheev. Diamond Related Mater., 148, 111409 (2024). DOI: 10.1016/j.diamond.2024.111409
- S. Evlashin, P. Dyakonov, R. Khmelnitsky, S. Dagesyan, A. Klokov, A. Sharkov, P. Timashev, S. Minaeva, K. Maslakov, S. Svyakhovskiy, N. Suetin. ACS Appl. Mater. Interf., 8, 28880 (2016). DOI: 10.1021/acsami.6b10145
- J. Lin, Z. Peng, Y. Liu, F. Ruiz-Zepeda, R. Ye, E.L.G. Samuel, M.J. Yacaman, B.I. Yakobson, J.M. Tour. Nat. Commun., 5, 5714 (2014). DOI: 10.1038/ncomms6714
- A. Bianco, H.M. Cheng, T. Enoki, Y. Gogotsi, R.H. Hurt, N. Koratkar, T. Kyotani, M. Monthioux, C.R. Park, J.M.D. Tascon, J. Zhang. Carbon, 65, 1 (2013). DOI: 10.1016/j.carbon.2013.08.038
- Y. Guo, C. Zhang, Y. Chen, Z. Nie. Nanomaterials, 12, 2336 (2022). DOI: 10.3390/nano12142336
- L. Lan, X. Le, H. Dong, J. Xie, Y. Ying, J. Ping. Biosens. Bioelectron., 165, 112360 (2020). DOI: 10.1016/j.bios.2020.112360
- M.G. Stanford, C. Zhang, J.D. Fowlkes, A. Hoffman, I.N. Ivanov, P.D. Rack, J.M. Tour, A. Ho, I.N. Ivanov, P.D. Rack, J.M. Tour. ACS Appl. Mater. Interfaces., 12, 10902 (2020). DOI: 10.1021/acsami.0c01377
- H. Wang, H. Wang, Y. Wang, X. Su, C. Wang, M. Zhang, M. Jian, K. Xia, X. Liang, H. Lu, S. Li, Y. Zhang, Laser. ACS Nano, 14, 3219 (2020). DOI: 10.1021/acsnano.9b08638
- M. Dosi, I. Lau, Y. Zhuang, D.S.A. Simakov, M.W. Fowler, M.A. Pope. ACS Appl. Mater. Interfaces, 11, 6166 (2019). DOI: 10.1021/acsami.8b22310
- M.G. Stanford, K. Yang, Y. Chyan, C. Kittrell, J.M. Tour. ACS Nano., 13, 3474 (2019). DOI: 10.1021/acsnano.8b09622
- N.T. Garland, E.S. McLamore, N.D. Cavallaro, D. Mendivelso-Perez, E.A. Smith, D. Jing, J.C. Claussen. ACS Appl. Mater. Interfaces, 10, 39124 (2018). DOI: 10.1021/acsami.8b10991
- W. Yan, W. Yan, T. Chen, J. Xu, Q. Tian, D. Ho. ACS Appl. Nano Mater., 3, 2545 (2020). DOI: 10.1021/acsanm.9b02614
- C. Yi, Y. Hou, K. He, W. Li, N. Li, Z. Wang, B. Yang, S. Xu, H. Wang, C. Gao, Z. Wang, G. Gu, Z. Wang, L. Wei, C. Yang, M. Chen. ACS Appl. Mater. Interfaces, 12, 19563 (2020). DOI: 10.1021/acsami.0c02774
- G. Li, W.-C. Law, K.C. Chan. Green Chem., 20, 3689 (2018). DOI: 10.1039/C8GC01347K
- L. Huang, L. Ling, J. Su, Y. Song, Z. Wang, B.Z. Tang, P. Westerhoff, R. Ye. ACS Appl. Mater. Interfaces, 12, 51864 (2020). DOI: 10.1021/acsami.0c16596
- C.M. Tittle, D. Yilman, M.A. Pope, C.J. Backhouse. Adv. Mater. Technol., 3, 1700207 (2018). DOI: 10.1002/admt.201700207
- L. Cheng, W. Guo, X. Cao, Y. Dou, L. Huang, Y. Song, J. Su, Z. Zeng, R. Ye. Mater. Chem. Front., 5, 4874 (2021). DOI: 10.1039/d1qm00437a
- J. Li, Z. Jing, F. Zha, Y. Yang, Q. Wang, Z. Lei. ACS Appl. Mater. Interfaces, 6, 8868 (2014). DOI: 10.1021/am5015937
- T. Darmanin, F. Guittard. J. Mater. Chem. A, 4, 3197 (2016). DOI: 10.1039/C5TA09253A
- C.R. Szczepanski, F. Guittard, T. Darmanin. Adv. Colloid Interface Sci., 241, 37 (2017). DOI: 10.1016/j.cis.2017.01.002
- R. Ye, D.K. James, J.M. Tour. Adv. Mater., 31, 1803621 (2019). DOI: 10.1002/adma.201803621
- W. Song, J. Zhu, B. Gan, S. Zhao, H. Wang, C. Li, J. Wang. Small, 14, 1702249 (2018). DOI: 10.1002/smll.201702249
- W. Ma, J. Zhu, Z. Wang, W. Song, G. Cao. Mater. Today Energy, 18, 100569 (2020). DOI: 10.1016/j.mtener.2020.100569
- J. Cai, C. Lv, A. Watanabe. J. Mater. Chem. A, 4, 1671 (2016). DOI: 10.1039/C5TA09450J
- P. Zaccagnini, D. di Giovanni, M.G. Gomez, S. Passerini, A. Varzi, A. Lamberti. Electrochim. Acta, 357, 136838 (2020). DOI: 10.1016/j.electacta.2020.136838
- D. Yang, C. Bock. J. Power Sources, 337, 73 (2017). DOI: 10.1016/j.jpowsour.2016.10.108
- Y. Wang, Y. Zhao, L. Qu. J. Energy Chem., 59, 642 (2021). DOI: 10.1016/j.jechem.2020.12.002
- J. Yi, J. Chen, Z. Yang, Y. Dai, W. Li, J. Cui, F. Ciucci, Z. Lu, C. Yang, Adv. Energy Mater., 9, 1901796 (2019). DOI: 10.1002/aenm.201901796
- R. Ye, Z. Peng, T. Wang, Y. Xu, J. Zhang, Y. Li, L.G. Nilewski, J. Lin, J.M. Tour. ACS Nano, 9, 9244 (2015). DOI: 10.1021/acsnano.5b04138
- D.X. Luong, K. Yang, J. Yoon, S.P. Singh, T. Wang, C.J. Arnusch, J.M. Tour. ACS Nano, 13, 2579 (2019). DOI: 10.1021/acsnano.8b09626
- Y. Chyan, R. Ye, Y. Li, S.P. Singh, C.J. Arnusch, J.M. Tour, ACS Nano, 12, 2176 (2018). DOI: 10.1021/acsnano.7b08539
- L. Huang, S. Xu, Z. Wang, K. Xue, J. Su, Y. Song, S. Chen, C. Zhu, B.Z. Tang, R. Ye. ACS Nano, 14, 12045 (2020). DOI: 10.1021/acsnano.0c05330
- R.M. Torrente-Rodri guez, H. Lukas, J. Tu, J. Min, Y. Yang, C. Xu, H.B. Rossiter, W. Gao. Matter, 3, 1981 (2020). DOI: 10.1016/j.matt.2020.09.027
- K.G. Mikheev, R.G. Zonov, T.N. Mogileva, A.E. Fateev, G.M. Mikheev. Opt. Laser Technol., 141, 107143 (2021). DOI: 10.1016/j.optlastec.2021.107143
- X. Yu, N. Li, S. Zhang, C. Liu, L. Chen, S. Han, Y. Song, M. Han, Z. Wang. J. Power Sources, 478, 229075 (2020). DOI: 10.1016/j.jpowsour.2020.229075
- К.Г. Михеев, Р.Г. Зонов, Д.Л. Булатов, А.В. Сюгаев, Г.М. Михеев. Письма в ЖТФ, 50 (20), 3 (2024)
- К.Г. Михеев, Р.Г. Зонов, Н.В. Чучкалов, Г.М. Михеев. ФТТ, 66 (2), 280 (2024). DOI: 10.61011/FTT.2024.02.57252.5
- K.G. Mikheev, R.G. Zonov, D.L. Bulatov, A.E. Fateev, G.M. Mikheev. Tech. Phys. Lett., 46, 458 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020050119
- C. Zhang, Y. Xie, H. Deng, T. Tumlin, C. Zhang, J.W. Su, P. Yu, J. Lin. Small, 13, 1604197 (2017). DOI: 10.1002/smll.201604197
- Yu.P. Sukhorukov, A.V. Telegin, K.G. Mikheev, R.G. Zonov, L.I. Naumova, G.M. Mikheev. Opt. Mater., 133, 112957 (2022). DOI: 10.1016/j.optmat.2022.112957
- R.G. Zonov, K.G. Mikheev, D.L. Bulatov, T.N. Mogileva, A.V. Syugaev, G.M. Mikheev. Diam. Relat. Mater., 157, 112529 (2025). DOI: 10.1016/j.diamond.2025.112529
- K.G. Mikheev, R.G. Zonov, T.N. Mogileva, A.E. Fateev, G.M. Mikheev. Opt. Laser Technol., 141, 107143 (2021). DOI: 10.1016/j.optlastec.2021.107143
- A.V. Kuksin, A.Y. Gerasimenko, Y.P. Shaman, E.P. Kitsyuk, A.A. Shamanaev, A.V. Sysa, E.M. Eganova, M.M. Slepchenkov, M.V. Poliakov, A.A. Pavlov, O.E. Glukhova. Appl. Surf. Sci., 664, 160222 (2024). DOI: 10.1016/j.apsusc.2024.160222
- N.P. Nekrasov, D.T. Murashko, P.N. Vasilevsky, A.Y. Gerasimenko, V.K. Nevolin, I.I. Bobrinetskiy. Semiconductors, 58, 1109 (2024). DOI: 10.1134/S1063782624700131
- J. Zhai, Z. Yu, J. Hu. Manuf. Process, 146, 211 (2025). DOI: 10.1016/j.jmapro.2025.05.001
- N.N. Nghia, D.T.C. Minh, N.H. Hieu. Microchem. J., 213, 113713 (2025). DOI: 10.1016/j.microc.2025.113713
- К.Г. Михеев, Р.Г. Зонов, А.В. Сюгаев, Д.Л. Булатов, Г.М. Михеев. ФТТ, 64, 587 (2022). DOI: 10.21883/ftt.2022.05.52341.277
- Z. Yin, S. Chen, C. Hu, J. Li, X. Yang. Opt. Laser Technol., 176, 110998 (2024). DOI: 10.1016/j.optlastec.2024.110998
- X. Li, W. Cai, K.S. Teh, M. Qi, X. Zang, X. Ding, Y. Cui, Y. Xie, Y. Wu, H. Ma, Z. Zhou, Q.A. Huang, J. Ye, L. Lin. ACS Appl. Mater. Interfaces, 10, 26357 (2018). DOI: 10.1021/acsami.8b10301
- A. Rabti, S. Baachaoui, M. Zouari, N. Raouafi. J. Pharm. Biomed. Anal. Open, 5, 100069 (2025). DOI: 10.1016/j.jpbao.2025.100069
- I.V. Antonets, E.A. Golubev, V.G. Shavrov, V.I. Shcheglov. J. Radio Electron., 3, 1684 (2020). DOI: 10.30898/1684-1719.2020.3.7
- P.L. Richards. J. Appl. Phys., 76 (1), 1 (1994). DOI: 10.1063/1.357128
- Б.Н. Формозов. Аэрокосмические фотоприемные устройства в видимом и инфракрасном диапазонах (СПбГУАП, СПб, 2002)
- А.Н. Александров, В.А. Никитин. УФН, 56 (5), 3 (1955)
- D.S.L. Abergel, V. Apalkov, J. Berashevich, K. Ziegler, T. Chakraborty. Adv. Phys., 59 (4), 261 (2010). DOI: 10.1080/00018732.2010.487978
- А.В. Елецкий, И.М. Искандарова, А.А. Книжник, Д.Н. Красиков. УФН, 181 (3), 233 (2011). DOI: 10.3367/UFNe.0181.201103a.0233
- Р.А. Браже, А.И. Кочаев, Р.М. Мефтахутдинов. Графены и их физические свойства (УлГТУ, Ульяновск, 2016)
- J.J. Bae, J.H. Yoon, S. Jeong, B.H. Moon, J.T. Han, H.J. Jeong, G.W. Lee, H.R. Hwang, Y.H. Lee, S.Y. Jeong, S.C. Lim. Nanoscale, 7, 15695 (2015). DOI: 10.1039/C5NR04039F
- J. Yan, M.H. Kim, J.A. Elle, A.B. Sushkov, G.S. Jenkins, H.W.M. Milchberg, M.S. Fuhrer, H.D. Drew. Nat. Nanotechnol., 7, 472 (2012). DOI: 10.1038/nnano.2012.88
- К.Г. Михеев, Р.Г. Зонов, Н.В. Чучкалов, Г.М. Михеев. ФТТ, 66, 280 (2024). DOI: 10.61011/FTT.2024.02.57252.5
- Q. Wang, Y. Wu, X. Deng, L. Xiang, K. Xu, Y. Li, Y. Xie. Nanomaterials, 12, 495 (2022). DOI: 10.3390/nano12030495