Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2026, выпуск 2 » Статья стр. 383
<<<>>>
Формирование перспективных для электронно-лучевой и экстремально-ультрафиолетовой нанолитографии тонкопленочных резистивных материалов на основе оловоорганических оксокластеров
Захарина М.Ю. 1, Арсеньева К.В. 1, Батенькин М.А. 1, Конев А.Н. 1, Ковылин Р.С. 1, Локтева А.А. 1, Пестов А.Е.2, Нечай А.Н.2, Лопатин А.Я.2, Перекалов А.А.2, Чесноков С.А. 3, Пискунов А.В. 3, Федюшкин И.Л. 3
1Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН)
2Институт физики микроструктур РАН --- филиал Федерального государственного бюджетного научного учреждения "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики РАН", Афонино, Кстовский р-он, Нижегородская обл., Россия
3Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлоорганической химии им. Г.А. Разуваева Российской академии наук (ИМХ РАН), Нижний Новгород, Россия
Email: m.zakharina@mail.ru, kselenia22@gmail.com, batenkinmax@iomc.ras.ru, alex-kon@mail.ru, Roman@iomc.ras.ru, lokteva@iomc.ras, sch@iomc.ras.ru, pial@iomc.ras.ru, igorfed@iomc.ras.ru
Поступила в редакцию: 25 апреля 2025 г.
В окончательной редакции: 14 октября 2025 г.
Принята к печати: 15 октября 2025 г.
Выставление онлайн: 5 января 2026 г.
PDF версия
Разработаны условия формирования на поверхности подложки из монокристаллического кремния пленок толщиной 10-60 nm из органических растворов алкильных и неалкильных оксокластеров олова ТОС-21 и TinS с шероховатостью менее 1 nm для пленок на основе ТОС-21. Экспонирование пленок электронным лучом или излучением с длиной волны 13.5 nm позволило сформировать на поверхности подложки микроструктуры из оловосодержащего вещества. Ключевые слова: оксокластер, негативный резист, тонкие пленки, электронно-лучевая литография, экстремально-ультрафиолетовая литография, нанолитография.
  1. N. Mojarad, J. Gobrecht, Y.Ekinci. Scientific Reports, 5, 9235 (2015). DOI: 10.1038/srep09235
  2. R. Fallica, J.K. Stowers, A. Grenville, An. Frommhold, A.P.G. Robinson, Ya. Ekinci. J. Micro/Nanolith., MEMS MOEMS, 15 (3), 033506 (2016). DOI: 10.1117/1.JMM.15.3.033506
  3. T. Manouras, P. Argitis. Nanomaterials, 10, 15932 (2020). DOI: 10.3390/nano10081593
  4. Dow Corning XR-1541 E-Beam Resist Product Information
  5. H. Namatsu, T. Yamaguchi, M. Nagase, K. Yamazaki, K. Kurihara. Microelectron Eng., 41-42, 331 (1998). DOI: 10.1016/S0167-9317(98)00076-8
  6. H. Namatsu, Y. Takahashi, K. Yamazaki, T. Yamaguchi, M. Nagase, K. Kurihara, J. Vac. Sci. Technol., 16 (B), 69 (1998). DOI: 10.1116/1.589837
  7. A.E. Grigorescu, M.C. van der Krogt, C.W. Hagen, P. Kruit. J. Vacuum Sci. Technol. B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement and Phenomena, 25 (6), 1998 (2007). DOI: 10.1116/1.2794316
  8. H. Duan, H. Hu, H.K. Hui, Z. Shen, J.K.W. Yang. Nanotechnology, 24 (18), 185301 (2013). DOI: 10.1088/0957-4484/24/18/185301
  9. A.E. Grigorescu, C.W. Hagen. Nanotechnology, 20, 292001 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/29/292001
  10. V. Sidorkin, A. Grigorescu, H. Salemink, E. Drift. Microelectronic Engineering, 86, 749 (2009). DOI: 10.1016/j.mee.2008.12.071
  11. А.А. Татаринцев, А.В. Шишлянников, К.В. Руденко, А.Е. Рогожин, А.Е. Иешкин. Микроэлектроника, 49 (3), 163 (2020). DOI: 10.31857/S0544126920030060
  12. G.M. Schmid, L.E. Carpenter, J.A. Liddle. J. Vac. Sci. Technol., 22 (6), 3497 (2004). DOI: 10.1116/1.1825014
  13. M. Haffner, A. Haug, A. Heeren, M. Fleischer, H. Peisert, T. Chaasse, D.P. Kern. J. Vac. Sci. Technol., 25 (6), 2045 (2007). DOI: 10.1116/1.2794324
  14. S. Choi, N. Jin, V. Kumar, M. Shannon, I. Adesida. J. Vac. Sci. Technol., 25 (6), 2085 (2007). DOI: 10.1116/1.2794315
  15. А.В. Мяконьких, А.В. Шишлянников, А.А. Татаринцев, В.О. Кузьменко, К.В. Руденко, Е.С. Горнев. Микроэлектроника, 50 (5), 333 (2021). DOI: 10.31857/S0544126921050045
  16. А.В. Мяконьких, Н.А. Орликовский, А.Е. Рогожин, А.А. Татаринцев, К.В. Руденко. Микроэлектроника, 3, 179 (2018). DOI: 10.7868/S0544126918030018
  17. I. Junarsa, M.P. Stoykovich, P.F. Nealey, Y. Ma, F. Cerrina. J. Vac. Sci. Technol., 23 (1), 138 (2005). DOI: 10.1116/1.1849213
  18. Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.cxro.lbl.gov
  19. B. Cardineau, R. Del Re, M. Marnell, H. Al-Mashat, M. Vockenhuber, Y. Ekinci, C. Sarma, D.A. Freedman, R.L. Brainard. Microelectronic Engineering, 127, 44 (2014). DOI: 10.1016/j.mee.2014.04.024
  20. C. Eychenne-Baron, F. Ribot, C. Sanchez. J. Organometallic Chem., 567, 137 (1998). DOI: 10.1016/S0022-328X(98)00676-7
  21. J. Haitjema, L. Wu, A. Giuliani, L. Nahon, S. Castellanos, A.M. Brouwer. Phys. Chem. Chem. Phys., 23, 20909 (2021). DOI: 10.1039/d1cp03148a
  22. D. Wang, Zh.-N. Chen, Q.-R. Ding, Ch.-Ch. Feng, S.-T. Wang, W. Zhuang, L. Zhang. CCS Chem., 2, 2607 (2020). DOI: 10.31635/ccschem.020.202000546
  23. G. Lim, K. Lee, S. Choi, H.J. Yoon. Coordination Chem. Rev., 493, 215307 (2023). DOI: 10.1016/j.ccr.2023.215307
  24. I. Bespalov, Y. Zhang, J. Haitjema, R.M. Tromp, S. Jan van der Molen, A.M. Brouwer, J. Jobst, S. Castellanos. ACS Appl. Mater. Interfaces, 12, 9881 (2020). DOI: 10.1021/acsami.9b19004
  25. N. Thakur, L.-T. Tseng, M. Vockenhuber, Ya. Ekinci, S. Castellanos. J. Article Open Access Open Access J. of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS, 18 (4), 43504 (2019). DOI: 10.1117/1.JMM.18.4.043504
  26. L. Wu, J. Liu, M. Vockenhuber, Y. Ekinci, S. Castellanos. Eur. J. Inorg. Chem., 2019 (38), 4136 (2019). DOI: 10.1002/ejic.201900745
  27. J. Haitjema, Y. Zhang, M. Vockenhuber, D. Kazazis, Y. Ekinci, A.M. Brouwer. J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, 16, 1 (2017). DOI: 10.1117/1.JMM.16.3.033510
  28. D. Wang, X. Yi, L. Zhang. Sci. China Chem., 65, 114 (2022). DOI: 0.1007/s11426-021-1092-2
  29. F. Wu, B.J. Harper, D.A. Marsh, S. Saha, T. Diulus, J.M. Amador, D.A. Keszler, G.S. Herman, B.L.S. Maddux, S.L. Harper. Environ Toxicol Chem., 38, 2651 (2019). DOI: 10.1002/etc.4580
  30. Электронный ресурс. Режим доступа: https://henke.lbl.gov/optical_constants/filter2.html
  31. А.Я. Лопатин, В.И. Лучин, А.Н. Нечай, А.А. Перекалов, А.Е. Пестов, Д.Г. Реунов, Н.И. Чхало. ЖТФ, 94 (8), 1323 (2024). DOI: 10.61011/JTF.2024.08.58560.142-24
  32. П.Н. Аруев, М.М. Барышева, Б.Я. Бер, Н.В. Забродская, В.В. Забродский, А.Я. Лопатин, А.Е. Пестов, М.В. Петренко, В.Н. Полковников, Н.Н. Салащенко, В.Л. Суханов, Н.И. Чхало. Квантовая электроника, 42 (10), 943 (2012). [P.N. Aruev, M.M. Barysheva, B.Ya. Ber, N.V. Zabrodskaya, V.V. Zabrodskii, A.Ya. Lopatin, A.E. Pestov, M.V. Petrenko, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, V.L. Sukhanov, N.I. Chkhalo. Quant. Electron, 42, 943 (2012). DOI: 10.1070/QE2012v042n10ABEH014901]
  33. A. Grenville, J. Anderson, B. Clark, P. De Schepper, J. Edson, M. Greer, K. Jiang, M. Kocsis, S. Meyers, J. Stowers, A. Telecky, D. De Simone, G. Vandenberghe. In: Proceedings of SPIE --- The International Society for Optical Engineering, 9425, 94250S (2015). DOI: 10.1117/12.2086006
  34. D.De Simone, Y. Vesters, G. Vandenberghe. Advanced Opt. Technol., 6 (3-4), 163 (2017). DOI: 10.1515/aot-2017-0021

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme