Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2026
- 1 2
2025
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние типа подложки-носителя на резистивные и оптические свойства AlGaAs/GaInAs светоизлучающих инфракрасных диодов

Малевская А.В.

¹, Калюжный Н.А.

¹, Салий Р.А.

¹, Солдатенков Ф.Ю.

¹, Малевский Д.А.

¹, Андреев В.М.

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, nickk@mail.ioffe.ru, r.saliy@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru, dmalevsky@scell.ioffe.ru, vmandreev@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 6 мая 2025 г.

В окончательной редакции: 30 сентября 2025 г.

Принята к печати: 6 октября 2025 г.

Выставление онлайн: 5 января 2026 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Выполнены исследования различных конструкций светоизлучающих инфракрасных (840 nm) диодов на основе AlGaAs/GaInAs-гетероструктур с множественными квантовыми ямами, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Снижение оптических потерь излучения в светоизлучающих диодах достигнуто при встраивании в конструкцию многослойных комбинированных отражателей путем переноса тонких слоев гетероструктуры на подложку-носитель на основе полупроводникового материала (Si, GaAs) или металла (Cu, Au). Проведен анализ влияния конструкций прибора на характеристики светоизлучающих диодов. Максимальные значения эффективности 46 % при плотности тока 10-20 A/cm² достигнуты в приборах на GaAs-подложке-носителе. Снижение резистивных потерь и увеличение оптической мощности до 730 mW при рабочем токе 1.2 A получено в приборах на металлической подложке-носителе. Ключевые слова: инфракрасный светоизлучающий диод, AlGaAs/GaInAs-гетероструктура, подложка-носитель.

M. Vasilopoulou, A. Fakharuddin, F.P. Arquer, D.G. Georgiadou, H. Kim, A.R. Yusoff, F. Gao, М.K. Nazeeruddin, H.J. Bolik, E.H. Sargent. Nat. Photon., 15, 656 (2021). DOI: 10.1038/s41566-021-00855-2
A.G. Entrop, A. Vasenev. Energy Proc., 132, 63 (2017). DOI: 10.1016/j.egypro.2017.09.636
М. Kitamura, Т. Imada, S. Kako, Y. Arakawa, Y. Jpn. J. Appl. Phys., 43, 2326 (2004). DOI: 10.1143/JJAP.43.2326
L. Han, М. Zhao, X. Tang, W. Huo, Zh. Deng. J. Appl. Phys. V, 127, (2020). DOI: 10.1063/1.5136300
Y. Yu, X. Qin, B. Huang, J. Weia, H. Zhou, J. Pan, W. Chen, Yun Qi, X. Zhang, Z. Ren. Vacuum, 69, 489 (2003). DOI: 10.1016/S0042-207X(02)00560-2
Su-Chang Ahn, Byung-Teak Lee, Won-Chan An, Dae-Kwang Kim, In-Kyu Jang, Jin-Su So, Hyung-Joo Lee. J. Korean Phys. Soc., 69 (1), 91 (2016). DOI: 10.3938/jkps.69.91
H.-J. Lee, G.-H. Park, J.-S. So, Ch.-H. Lee, J.-H. Kim, L.-K. Kwac. Infrared Phys. Technol., 118, 103879 (2021). DOI: 10.1016/j.infrared.2021.103879
H.-J. Lee, I.-K. Jang, D.-K. Kim, Y.-J. Cha, S.W. Cho. Мicromachines, 13, 695 (2022). DOI: 10.3390/mi13050695
H.-J. Lee, G.-H. Park, J.-S. So, J.-H. Kim, H.-G. Kim, L.-K. Kwac. Current Appl. Phys., 22, 36 (2021). DOI: 10.1016/j.cap.2020.12.002
E.F. Shubert. Light-Emitting Diodes (second edition) (Cambridge University Press, 2006)
А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Д.А. Малевский, С.А. Минтаиров, А.М. Надточий, М.В. Нахимович, Ф.Ю. Солдатенков, М.З. Шварц, В.М. Андреев. ФТП, 55 (8), 699 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.08.51143.9665 [A.V. Мalevskaya, N.A. Kalyuzhnyy, D.A. Мalevskii, S.A. Мintairov, A.M. Nadtochiy, М.V. Nakhimovich, F.Y. Soldatenkov, М.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Semiconductors, 55 (8), 686 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621080121]
N.A. Kalyuzhnyy, A.V. Мalevskaya, S.A. Мintairov, М.A. Mintairov, М.V. Nakhimovich, R.A. Salii, М.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Sol. Energy Мater. Sol. Cells, 262, 112251 (2023). DOI: 10.1016/j.solmat.2023.112551
А.В. Малевская, Н.А. Калюжный, Р.А. Салий, Ф.Ю. Солдатенков, М.В. Нахимович, Д.А. Малевский. Письма в ЖТФ, 50 (18), 22 (2024). DOI:10.61011/PJTF.2024.18.58625.19946
A.V. Мalevskaya, F.Yu. Soldatenkov, R.V. Levin, N.A. Kalyuzhnyy, М.Z. Shvarts. Vacuum, 233, 114030 (2025). DOI: 10.1016/j.vacuum.2025.114030

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель