Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2024, выпуск 8 » Статья стр. 1323
<<<>>>
Стенд для тестирования чувствительных к экстремальному ультрафиолетовому излучению фоторезистов
Министерство образования и науки Российской Федераци, 075-15-2021-1361
Лопатин А.Я.1, Лучин В.И.1, Нечай А.Н.1, Перекалов А.А.1, Пестов А.Е.1, Реунов Д.Г.1, Чхало Н.И.1
1Институт физики микроструктур РАН, Афонино, Кстовский р-он, Нижегородская обл., Россия
Email: lopatin@ipm.sci-nnov.ru, luchin@ipm.sci-nnov.ru, nechay@ipm.sci-nnov.ru, perekalov@ipm.sci-nnov.ru, aepestov@ipm.sci-nnov.ru, reunov@ipm.sci-nnov.ru, chkhalo@ipm.sci-nnov.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 26 апреля 2024 г.
Принята к печати: 26 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 27 июля 2024 г.
PDF версия
Описан экспериментальный стенд для тестирования чувствительных к экстремальному ультрафиолетовому излучению фоторезистов. Стенд построен на базе лазерно-плазменного источника на основе Nd : YAG-лазера (энергия импульса 0.8 J, длительность импульса 5.2 ns, диаметр пятна фокусировки 66 μm, пиковая интенсивность до 3·1012 W/cm2) и газовой струи в качестве мишени, а также зеркального монохроматора (сменное многослойное рентгеновское зеркало, оптимизированное на выбранную длину волны). Стенд оснащен набором зеркал и фильтров для экспонирования образцов на длинах волн 11.2, 13.9 и 30.4 nm. В качестве рабочего газа использованы Kr, Ar и He, ионы которых Kr X, Ar VIII и He II имеют интенсивные эмиссионные полосы в окрестности обозначенных длин волн. Проведено тестирование прибора на образцах фоторезиста, определены форма пятна фокусировки и его размеры, которые составили около 0.5x1.0 mm2. Ключевые слова: многослойные рентгеновские зеркала, монохроматор, коллектор, рентгеновский и экстремальный ультрафиолетовый диапазон длин волн, фоторезист, ЭУФ литография.
  1. М.Н. Торопов, А.А. Ахсахалян, М.В. Зорина, Н.Н. Салащенко, Н.И. Чхало, Ю.М. Токунов. ЖТФ, 90 (11), 1958 (2020). DOI: 10.21883/JTF.2020.11.49990.127-20 [M.N. Toropov, A.A. Akhsakhalyan, M.V. Zorina, N.N. Salashchenko, N.I. Chkhalo, Yu.M. Tokunov. Tech. Phys., 65 (11), 1873 (2020). DOI: 10.1134/S1063784220110262]
  2. М.Н. Торопов, А.А. Ахсахалян, И.В. Малышев, М.С. Михайленко, А.Е. Пестов, Н.Н. Салащенко, А.К. Чернышов, Н.И. Чхало. ЖТФ, 91 (10), 1583 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2021.10.51374.108-21 [M.N. Toropov, A.A. Akhsakhalyan, I.V. Malyshev M.S. Mikhaylenko, A.E. Pestov, N.N. Salaschenko, A.K. Chernyshov, N.I. Chkhalo. Tech. Phys., 92 (13), 2141 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.13.52235.108-21]
  3. N.I. Chkhalo, I.V. Malyshev, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.N. Toropov, A.A. Soloviev. Appl. Opt., 55 (3), 619 (2016). DOI: 10.1364/AO.55.000619
  4. M. Mastenbroek. Proc. SPIE, 10809, 1080904 (2018). DOI: 10.1117/12.2502785
  5. A. Zeng. SHS Web Conf., 163, 03021 (2023). DOI: 10.1051/shsconf/202316303021
  6. A. Pirati, J. van Schoot, K. Troost, R. van Ballegoij, P. Krabbendam, J. Stoeldraijer, E. Loopstra, J. Benschop, J. Finders, H. Meiling, E. van Setten, N. Mika, J. Dredonx, U. Stamm, B. Kneer, B. Thuering, W. Kaiser, T. Heil, S. Migura. Proc. SPIE, 10143, 101430G-1 (2017). DOI: 10.1117/12.2261079
  7. С.С. Андреев, М.М. Барышева, Н.И. Чхало, С.А. Гусев, А.Е. Пестов, В.Н. Полковников, Д.Н. Рогачев, Н.Н. Салащенко, Ю.А. Вайнер, С.Ю. Зуев. ЖТФ, 80 (8), 93 (2010). [S.S. Andreev, M. Barysheva, N. Chkhalo, S.A. Gusev, A. Pestov, V.N. Polkovnikov, D.N. Rogachev, N.N. Salashchenko, Yu.A. Vainer, S.Yu. Zuev. Tech. Phys., 55 (8), 1168 (2010). DOI: 10.1134/S1063784210080153]
  8. I.A. Kopylets, V.V. Kondratenko, E.N. Zubarev, D.L. Voronov, E.M. Gullikson, E.A. Vishnyakov, E.N. Ragozin. Appl. Surf. Sci., 307, 360 (2014). DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.04.038
  9. S.S. Andreev, M.M. Barysheva, N.I. Chkhalo, S.A. Gusev, A. Pestov, V. Polkovnikov, N. Salashchenko, L. Shmaenok, Y. Vainer, S. Zuev. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A, 603 (1-2), 80 (2009). DOI: 10.1016/j.nima.2008.12.165
  10. T. Tsarfati, E. Zoethout, E. Louis, R. van de Kruijs, A. Yakshin, St. Mullender, F. Bijkerk. Proc. SPIE, 7271, 72713V (2009). DOI: 10.1117/12.824434
  11. T. Tsarfati, E. Zoethout, E. Louis, F. Bijkerk. Thin Solid Films, 518 (5), 1365 (2009). DOI: 10.1016/j.tsf.2009.09.073
  12. V. Banine, A. Yakunin, D. Glushkov. Next Generation EUV Lithography: Challenges and Opportunities. Int. Workshop Extreme Ultrav. Sources, Т. 24, Dublin (2010)
  13. N.I. Chkhalo, N.N. Salashchenko, AIP Adv., 3 (8), 082130 (2013). DOI: 10.1063/1.4820354
  14. Д.Г. Волгунов, И.Г. Забродин, Б.А. Закалов, С.Ю. Зуев, И.А. Каськов, Е.Б. Клюенков, А.Е. Пестов, В.Н. Полковников, Л.А. Суслов, М.Н. Торопов, Н.И. Чхало. Известия РАН. Сер. физ., 75 (1), 54 (2011). [D.G. Volgunov, I.G. Zabrodin, B.A. Zakalov, S.Yu. Zuev, I.A. Kas'kov, E.B. Kluenkov, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, L.A. Suslov, M.N. Toropov, N.I. Chkhalo. Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys., 75 (1), 49 (2011). DOI: 10.3103/S1062873811010278]
  15. N.I. Chkhalo, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.N. Toropov. Proc. SPIE, 10224, 102241O (2016). DOI: 10.1117/12.2267125
  16. Н.И. Чхало, В.Н. Полковников, Н.Н. Салащенко, Р.А. Шапошников. ЖТФ, 92 (8), 1207 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.08.52785.102-22 [N.I. Chkhalo, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, R.A. Shaposhnikov. Tech. Phys., 67 (8), 1023 (2022). DOI: 10.21883/TP.2022.08.54567.102-22]
  17. Н.Н. Салащенко, Н.И. Чхало, Н.А. Дюжев, Поверхность, 10, 10 (2018). DOI: 10.1134/S0207352818100165 [N.N. Salashchenko, N.I. Chkhalo, N.A. Dyuzhev. J. Surf. Invest.: X-Ray, Synchrotron Neutron Tech., 12 (5), 944 (2018). DOI: 10.1134/S1027451018050324]
  18. Электронный ресурс. Режим доступа: https://www.roseltorg.ru/procedure/0173100009523000003
  19. K.C. Johnson. J. Vac. Sci. Technol. B, 30 (5), 051606 (2012). DOI: 10.1116/1.4752112
  20. S.A. Bulgakova, A.Ya. Lopatin, V.I. Luchin et al. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A, 448 (1-2), 487 (2000). DOI: 10.1016/S0168-9002(00)00237-0
  21. С.А. Булгакова, А.Я. Лопатин, В.И. Лучин, Л.М. Мазанова, Н.Н. Салащенко. Поверхность. 1, 133 (1999)
  22. С.А. Булгакова, М.М. Джонс, Е.А. Киселева, Е.В. Скороходова, А. Пестов, А.Я. Лопатин, С.А. Гусев, В.И. Лучин, Н. Чхало, Н.Н. Салащенко. Известия РАН. Сер. физ., 76 (2), 186 (2012). [S.A. Bulgakova, M.M. Johns, E.A. Kiseleva, E.V. Skorokhodov, A. Pestov, A.Ya. Lopatin, S.A. Gusev, V. Luchin, N. Chkhalo, N.N. Salashchenko. Bull. Russ. Acad. Sci.: Phys., 76 (2), 159 (2012). DOI: 10.3103/S1062873812020050]
  23. С.А. Булгакова, М.М. Джонс, А.Е. Пестов, М.Н. Торопов, Н.И. Чхало, С.А. Гусев, Е.В. Скороходов, Н.Н. Салащенко. Микроэлектроника, 42 (3), 206 (2013). DOI: 10.7868/S0544126913020063 [S.A. Bulgakova, M.M. Jons, A.E. Pestov, M.N. Toropov, N. Chkhalo, S.A. Gusev, E.V. Skorokhodov, N.N. Salashchenko. Russ. Microelectron., 42 (3), 165 (2013). DOI: 10.1134/S1063739713020054]
  24. Е.А. Вишняков, К.Н. Медников, А.А. Перцов, Е.Н. Рагозин, А.А. Рева, А.С. Ульянов, С.В. Шестов. Квантовая электроника, 39 (5), 474 (2009). [E.A. Vishnyakov, K.N. Mednikov, A.A. Pertsov, E.N. Ragozin, A.A. Reva, A. Ulyanov, S. Shestov. Quantum Elec., 39 (5), 474 (2009). DOI: 10.1070/QE2009v039n05ABEH013902]
  25. А.Я. Лопатин, В.И. Лучин, А.Н. Нечай, А.А. Перекалов, А.Е. Пестов, Н.Н. Салащенко, А.А. Соловьев, Н.Н. Цыбин, Н.И. Чхало. ЖТФ, 93 (7), 892 (2023). DOI: 10.21883/JTF.2023.07.55742.97-23 [A.Ya. Lopatin, V.I. Luchin, A.N. Nachay, A.A. Perekalov, A.E. Pestov, N.N. Salashchenko, А.А. Soloviev, N.N. Tsybin, N.I. Chkhalo. Tech. Phys., 68 (7), 829 (2023). DOI: 10.61011/TP.2023.07.56623.97-23]
  26. N.I. Chkhalo, D.E. Pariev, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, R.A. Shaposhnikov, I.L. Stroulea, M.V. Svechnikov, Yu.A. Vainer, S.Yu. Zuev. Thin Solid Films, 631, 106 (2017). DOI: 10.1016/j.tsf.2017.04.020
  27. S.A. Garakhin, N.I. Chkhalo, I.A. Kas'kov, A.Ya. Lopatin, I.V. Malyshev, A.N. Nechay, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.V. Svechnikov, N.N. Tsybin, I.G. Zabrodin, S.Yu. Zuev. Rev. Sci. Instrum., 91 (6), 063103 (2020). DOI: 10.1063/1.5144489
  28. С.Ю. Зуев, А.В. Митрофанов. Поверхность. 1, 81 (2002)
  29. E.N. Ragozin, K.N. Mednikov, A.A. Pertsov, A.S. Pirozhkov, A.A. Reva, S. Shestov, A. Ulyanov, E.A. Vishnyakov. Proc. SPIE, 7360, 73600N (2009). DOI: 10.1117/12.820750
  30. S.V. Kuzin, I.A. Zhitnik, S.V. Shestov, S.A. Bogachev, O.I. Bugaenko, A.P. Ignat'ev, A.A. Pertsov, A.S. Ulyanov, A.A. Reva, V.A. Slemzin, N.K. Sukhodrev, Yu.S. Ivanov, L.A. Goncharov, A.V. Mitrofanov, S.G. Popov, T.A. Shergina, V.A. Solov'ev, S.N. Oparin, A.M. Zykov. Solar System Res, 45 (2), 162 (2011). DOI: 10.1134/S0038094611020110
  31. M.S. Bibishkin, D.P. Chekhonadskih, N.J. Chithalo, E.B. Kluyenkov, A.E. Pestov, N.N. Salashchenko, L.A. Shmaenok, I.G. Zabrodin, S.Yu. Zuev. Proc. SPIE, 5401, 8 (2004). DOI: 10.1117/12.556949
  32. П.Н. Аруев, М.М. Барышева, Б.Я. Бер, Н.В. Забродская, В.В. Забродский, А.Я. Лопатин, А.Е. Пестов, М.В. Петренко, В.Н. Полковников, Н.Н. Салащенко, В.Л. Суханов, Н.И. Чхало. Квантовая электроника, 42 (10), 943 (2012). [P.N. Aruev, M.M. Barysheva, B.Ya. Ber, N.V. Zabrodskaya, V.V. Zabrodskii, A.Ya. Lopatin, A.E. Pestov, M.V. Petrenko, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko. Quantum Electron., 42 (10), 943 (2012). doi: 10.1070/QE2012v042n10ABEH014901)
  33. S.A. Bulgakova, A.Ya. Lopatin, V.I. Luchin et al. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A, 448 (1-2), 487 (2000). DOI: 10.1016/S0168-9002(00)00237-0

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme