Вышедшие номера
Метод m-линий при рефлектометрии ультратонких слоев
Министерство образования Республики Беларусь, 1.15 Фотоника и электроника для инноваций, 20211116
Сотский А.Б. 1, Чудаков Е.А. 1, Шилов А.В. 1, Сотская Л.И. 2
1Могилевский государственный университет имени А.А. Кулешова, Могилев, Беларусь
2Белорусско-Российский университет, Могилев, Беларусь
Email: ab_sotsky@mail.ru, kenni_mark@bk.ru, shilov@msu.by, li_sotskaya@tut.by
Поступила в редакцию: 19 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 5 октября 2023 г.
Принята к печати: 23 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 27 января 2024 г.

Получено решение векторной электродинамической задачи описания распределения интенсивности когерентного светового пучка, отраженного от плоскослоистой среды. Определены условия наблюдения m-линий в названном распределении при отражении гауссова пучка от ультратонкого (наноразмерного) слоя на подложке. Установлено, что контраст m-линий весьма чувствителен к толщине такого слоя. На этой основе предложен новый метод контроля толщины и показателя преломления ультратонких слоев. Его особенностями являются локальный контроль слоя, отсутствие опорного сигнала и отсутствие необходимости механического вращения образца, способствующие стабильности измерений. Выполнен анализ погрешностей метода. Представлены эксперименты по наблюдению и обработке m-линий при решении обратной оптической задачи для оксидных слоев на поверхности кремния. Результаты сопоставлены с данными многоугловой когерентной эллипсометрии. Ключевые слова: рефлектометрия, ультратонкий слой, m-линия, обратная оптическая задача, мода Ценнека, сфокусированный световой пучок, оксидный слой на кремнии.