Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние парных столкновений носителей зарядов на электрическую проводимость тонкого проводящего слоя
Завитаев Э.В.
1, Русаков О.В.
2, Чухлеб Е.П.3
1Мытищинский филиал Московского государственного технического университета им. Н.Э. Баумана, Мытищи, Московская обл., Россия 
2Государственный гуманитарно-технологический университет, Орехово-Зуево, Московская обл., Россия
3Центр дополнительного образования "Малая академия наук Импульс", Черноголовка, Московская обл., Россия
2Государственный гуманитарно-технологический университет, Орехово-Зуево, Московская обл., Россия
3Центр дополнительного образования "Малая академия наук Импульс", Черноголовка, Московская обл., Россия
Email: eduardzavitaev@yandex.ru, olegrusmail@mail.ru, e.chuhleb@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 29 августа 2023 г.
Принята к печати: 3 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.
Впервые аналитически решена задача о влиянии парных столкновений носителей зарядов на электрическую проводимость тонкого проводящего слоя. Допустимые значения толщины слоя ограничены размерами, при которых не проявляются квантовые и скин-эффекты, однако отношение толщины слоя к длине свободного пробега электронов может быть произвольным. В качестве граничных условий задачи приняты условия зеркально-диффузного отражения носителей зарядов от поверхностей слоя. Рассмотрены предельные случаи и проведено обсуждение полученных результатов. Ключевые слова: тонкий слой, локальная проводимость, интегральная проводимость.
- E.H. Sondheimer. Phys. Rev., 80 (3), 401 (1950). DOI: 10.1103/PhysRev.80.401
- S. De Gennaro, A. Rettori. J. Phys. F: Met. Phys., 14 (12), 237 (1984). DOI: 10.1088/0305-4608/14/12/001
- L. Wang, M. Yin, A. Khan, S. Muhtadi, F. Asif, E.S. Choi, T. Datta. Phys. Rev. Appl., 9, 024006 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.9.024006
- Дж. Займан. Электроны и фононы (ИЛ, М., 1962)
- А.И. Уткин, Э.В. Завитаев, А.А. Юшканов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 9, 85 (2016). DOI: 10.7868/S0207352816090158 [A.I. Utkin, E.V. Zavitaev, A.A. Yushkanov. J. Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 10 (5), 962 (2016). DOI: 10.1134/S1027451016050153]
- О.В. Савенко. Вестник МГОУ. Серия: физика-математика, 4, 43 (2016). DOI: 10.18384/2310-7251-2016-4-43-55
- И.А. Кузнецова, Д.Н. Романов, О.В. Савенко, А.А. Юшканов. Микроэлектроника, 46 (4), 275 (2017). DOI: 10.7868/S0544126917040032 [I.A. Kuznetsova, D.N. Romanov, O.V. Savenko, A.A. Yushkanov. Russ. Microelectron., 46 (4), 252 (2017). DOI: 10.1134/S1063739717040059]
- И.А. Кузнецова, О.В. Савенко, А.А. Юшканов. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 11, 52 (2017). DOI: 10.7868/s0207352817110063 [I.A. Kuznetsova, O.V. Savenko, A.A. Yushkanov. J. Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 11 (6), 1159 (2017). DOI: 10.1134/S1027451017060143]
- Э.В. Завитаев, О.В. Русаков, Е.П. Чухлеб. Микроэлектроника, 52 (1), 32 (2023). DOI: 10.31857/S0544126922700193 [E.V. Zavitaev, O.V. Rusakov, E.P. Chukhleb. Russ. Microelectron., 52 (1), 9 (2023). DOI: 10.1134/S1063739722700202]
- Э.В. Завитаев, О.В. Русаков, Е.П. Чухлеб. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 8, 36 (2022). DOI: 10.31857/S1028096022080180 [E.V. Zavitaev, O.V. Rusakov, E.P. Chukhleb. J. Surface Investigation: X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques, 16 (4), 592 (2022). DOI: 10.1134/S1027451022040371]
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (Наука, М., 1978)
- R.C. Munoz, J.P. Garcia, R. Henriquez, A.M. Moncada, A. Espinosa, M. Robles, G. Kremer, L. Moraga, S. Cancino, J.R. Morales, A. Ramirez, S. Oyarzun, M.A. Suarez, D. Chen, E. Zumelzu, C. Lizama. Phys. Rev. Lett., 96, 206803 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.206803
- R.C. Munoz, M.A. Su'arez, S. Oyarzun, R. Henri quez, A. Espinosa, G. Kremer, L. Moraga, S. Cancino, R. Morales. Phys. Rev. B, 81 (16), 165408 (2010). DOI: 10.1103/PhysRevB.81.165408
- J.S. Chawla, F. Gstrein, K.P. O'Brien, J.S. Clarke, D. Gall. Phys. Rev. B, 84 (23), 235423 (2011). DOI: 10.1103/PhysRevB.84.235423
- L. Moraga, R. Henriquez, B. Solis. Physica B: Condensed Matter., 470-471, 39 (2015). DOI: 10.1016/J.PHYSB.2015.04.034
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
