Вышедшие номера
Активный сверхпроводящий терагерцовый детектор
Министерство образования и науки Российской Федерации / НИТУ МИСиС, Программа стратегического академического лидерства «Приоритет-2030», К2-2022-029
Шитов С.В.1,2
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет (НИТУ) МИСиС", Москва, Россия
Email: sergey3e@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 12 мая 2023 г.
Принята к печати: 12 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2023 г.

Концепция активного сверхпроводящего терагерцового детектора для матричных применений основана на объединении в составе интегральной микросхемы двух устройств: RFTES (Radio Frequency Transition Edge Sensor) болометра и СВЧ предусилителя на основе сквида постоянного тока. Рассмотрены общие проблемы сверхнизкотемпературных детекторов, связанные с выбором усилителя, ограничивающие практическую чувствительность и функциональность таких детекторов. Предложен и обоснован способ подключения сквид-усилителя к RFTES болометру с использованием принципа парциальных нагрузок резонатора. Представлена электромагнитная модель практической структуры активного детектора, пригодная для RFTES, MKID (Microwave Kinetic Inductance Detector) и других детекторов, использующих высокодобротные сверхпроводящие резонаторы, что обеспечивает максимальную, теоретически возможную, передачу сигнала от сенсора к усилителю. Ключевые слова: RFTES, DC SQUID, малошумящий усилитель, параметрический усилитель, планарный резонатор, высокодобротный резонатор, частичная нагрузка резонатора, электромагнитное моделирование.