Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Измерение подвижности носителей заряда в образцах с низкой проводимостью методом полевого транзистора с использованием стоковых характеристик
Переводная версия: 10.21883/TP.2023.04.55948.283-22 
Russian Science Foundation, 19-13-00332-Π
Парфенов П.С.1, Корженевский Ю.Г.1, Бабаев А.А.1, Литвин А.П.1, Соколова А.В.1, Федоров А.В.1
1Университет ИТМО, Международный научно-образовательный центр физики наноструктур, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 20 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 3 февраля 2023 г.
Принята к печати: 5 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 21 марта 2023 г.
При измерении подвижности носителей заряда методом полевого транзистора в материалах с низкой проводимостью, а также в полупроводниковых материалах с высокой плотностью ловушечных состояний, таких как нанокристаллы и поликристаллические пленки, результаты бывают сильно искажены из-за накопления заряда в транзисторной структуре. Проведено сравнительное исследование измерения подвижности носителей заряда в проводящих полимерах, нанокристаллах и поликристаллических пленках при помощи анализа стоковых и сток-затворных характеристик. Показано, что использование для расчета подвижности носителей заряда стоковых характеристик вместо сток-затворных характеристик помогает избежать систематической погрешности при измерении. Ключевые слова: полевой транзистор, подвижность носителей заряда, стоковые характеристики, накопление заряда, нанокристаллы. DOI: 10.21883/JTF.2023.04.55048.283-22
- V. Podzorov. MRS Bull., 38, 15 (2013). DOI: 10.1557/mrs.2012.306
- J. Zaumseil, H. Sirringhaus. Chem. Rev., 107, 1296 (2007). DOI: 10.1021/cr0501543
- П.С. Парфенов, Н.В. Бухряков, Д.А. Онищук, А.А. Бабаев, А.В. Соколова, А.П. Литвин. ФТП, 56 (2), 236 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51968.9734 [P.S. Parfenov, N.V. Bukhryakov, D.A. Onishchuk, A.A. Babaev, A.V. Sokolova, A.P. Litvin. Semiconductors, 56 (2), 175 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.02.53049.9734]
- M. Kaisti. Biosens. Bioelectron., 98, 437 (2017). DOI: 10.1016/j.bios.2017.07.010
- H.H. Choi, K. Cho, C.D. Frisbie, H. Sirringhaus, V. Podzorov. Nat. Mater., 17, 2 (2018). DOI: 10.1038/nmat5035
- J.M. Luther, M. Law, Q. Song, C.L. Perkins, M.C. Beard, A.J. Nozik. ACS Nano, 2, 271 (2008). DOI: 10.1021/nn7003348
- О.В. Александров, С.А. Мокрушина. ФТП, 52 (6), 637 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.06.45929.8717 [O.V. Aleksandrov, S.A. Mokrushina. Semiconductors, 52 (6), 783 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618060027]
- Y. Liu, M. Gibbs, J. Puthussery, S. Gaik, R. Ihly, H.W. Hillhouse, M. Law. Nano Lett., 10, 1960 (2010). DOI: 10.1021/nl101284k
- V. Podzorov, M.E. Gershenson, Ch. Kloc, R. Zeis, E. Bucher. Appl. Phys. Lett., 84, 3301 (2004). DOI: 10.1063/1.1723695
- H. Roger. ETH Zurich., 2013. DOI: 10.3929/ETHZ-A-010103856
- Z. Qin, H. Gao, J. Liu, K. Zhou, J. Li, Y. Dang, L. Huang, H. Deng, X. Zhang, H. Dong, W. Hu. Adv. Mater., 31, 1903175 (2019). DOI: 10.1002/adma.201903175
- M.I. Nugraha, R. Hausermann, S. Watanabe, H. Matsui, M. Sytnyk, W. Heiss, J. Takeya, M.A. Loi. ACS Appl. Mater. Interfaces, 9, 4719 (2017). DOI: 10.1021/acsami.6b14934
- M.J. Speirs, D.N. Dirin, M. Abdu-Aguye, D.M. Balazs, M.V. Kovalenko, M.A. Loi. Energy Environ. Sci., 9, 2916 (2016). DOI: 10.1039/C6EE01577H
- B. Jeong, L. Veith, T.J.A.M. Smolders, M.J. Wolf, K. Asadi. Adv. Mater., 33, 2100486 (2021). DOI: 10.1002/adma.202100486
- E.V. Ushakova, A.P. Litvin, P.S. Parfenov, A.V. Fedorov, M. Artemyev, A.V. Prudnikau, I.D. Rukhlenko, A.V. Baranov. ACS Nano, 6, 8913 (2012). DOI: 10.1021/nn3029106
- X. Zhang, Q. Zeng, Y. Xiong, T. Ji, C. Wang, X. Shen, M. Lu, H. Wang, S. Wen, Y. Zhang, X. Yang, X. Ge, W. Zhang, A.P. Litvin, A.V. Baranov, D. Yao, H. Zhang, B. Yang, A.L. Rogach, W. Zheng. Adv. Funct. Mater., 30, 1910530 (2020). DOI: 10.1002/adfm.201910530
- S.A. Rutledge, A.S. Helmy. J. Appl. Phys., 114, 133708 (2013). DOI: 10.1063/1.4824104
- S.H. Kim. Bull. Korean Chem. Soc., 38, 1460 (2017). DOI: 10.1002/bkcs.11327
- Y. Kim, M. Chang, S. Cho, M. Kim, H. Kim, E. Choi, H. Ko, J. Hwang, B. Park. J. Alloys Compd., 804, 213 (2019). DOI: 10.1016/j.jallcom.2019.06.352
- A.K. Diallo, M. Gaceur, S.B. Dkhil, Y. Didane, O. Margeat, J. Ackermann, C. Videlot-Ackermann. Colloids Surf. A Physicochem. Eng. Asp., 500, 214 (2016). DOI: 10.1016/j.colsurfa.2016.04.036
- Y. Kim, B. Park. J. Phys. Chem. C Nanomater. Interfaces, 123, 30689 (2019). DOI: 10.1021/acs.jpcc.9b08819
- F. Paulus, C. Tyznik, O.D. Jurchescu, Y. Vaynzof. Adv. Funct. Mater., 31, 2101029 (2021). DOI: 10.1002/adfm.202101029
- F.M. Li, G.-W. Hsieh, S. Dalal, M.C. Newton, J.E. Stott, P. Hiralal, A. Nathan, P.A. Warburton, H.E. Unalan, P. Beecher, A.J. Flewitt, I. Robinson, G. Amaratunga, W.I. Milne. IEEE Trans. Electron Devices, 55, 3001 (2008). DOI: 10.1109/TED.2008.2005180
- B. Ebenhoch, S.A.J. Thomson, K. Geneviv cius, G. Juv ska, I.D.W. Samuel. Org. Electron., 22, 62 (2015). DOI: 10.1016/J.ORGEL.2015.03.013
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
