Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические и оптические свойства тонкопленочного феррита висмута
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.12.55208.182-22 
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , FZGM-2020-007
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , № 075-15-2021-709, RF-2296.61321X0037
Дыбов В.А.1, Калинин Ю.Е.
1, Камынин А.А.
1, Каширин М.А.
1, Макагонов В.А.
1, Никонов А.Е.
1, Сериков Д.В.
1, Ситников А.В.
1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия 
Email: dybovvlad@gmail.com, kalinin48@mail.ru, silentcurve@gmail.com, mnitro@yandex.ru, vlad_makagonov@mail.ru, nikonov.sasha1994@gmail.com, sitnikov04@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 22 августа 2022 г.
Принята к печати: 9 сентября 2022 г.
Выставление онлайн: 31 октября 2022 г.
Исследованы оптические и электрические свойства тонких пленок феррита висмута, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления в атмосфере аргона и кислорода (80%+20%). Показано, что для поликристаллических пленок феррита висмута оптическая ширина запрещенной зоны составляет ~2.3 eV, что находится в диапазоне значений, приводимых в литературе. Установлено, что для исследованных образцов электрическая проводимость не зависит от напряженности электрического поля до значения E=2.1·106 V/m. Экспериментальные результаты обсуждаются в рамках модели инжекции носителей заряда из алюминиевого электрода в зону проводимости феррита висмута. Ключевые слова: электропроводность, сильные электрические поля, коэффициент оптического поглощения, мемристорный эффект. DOI: 10.21883/JTF.2022.12.53762.182-22
- G.J. Exarhos, X.D. Zhou. Thin Solid Films, 515 (18), 7025 (2007). DOI: 10.1016/j.tsf.2007.03.014
- E. Fortunato, D. Ginley, H. Hosono, D.C. Paine. MRS Bulletin, 32 (3), 242 (2007). DOI: 10.1557/mrs2007.29
- S.J. Lee, C.S. Hwang, J.E. Pi, J.H. Yang, C.W. Byun, H.Y. Chu, K.I. Cho, S.H. Cho. Etri J., 37 (6), 1135 (2015). DOI: 10.4218/etrij.15.0114.0743
- M.D. Rossell, R. Erni, M.P. Prange, J.C. Idrobo, W. Luo, R.J. Zeches, S.T. Pantelides, R. Ramesh. Phys. Rev. Lett., 108 (4), 047601 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevLett.108.047601
- О.Б. Романова, В.В. Кретинин, С.С. Аплеснин, М.Н. Ситников, Л.В. Удод, К.И. Янушкевич. ФТТ, 63 (6), 721 (2021). DOI: 10.21883/FTT.2021.06.50928.015 [O.B. Romanova, V.V. Kretinin, S.S. Aplesnin, M.N. Sitnikov, L.V. Udod, K.I. Yanushkevich. Phys. Solid State, 63 (6), 897 (2021). DOI: 10.1134/S1063783421060184]
- J.R. Teague, R. Gerson, W.J. James. Solid State Commun., 8 (13), 1073 (1970). DOI: 10.1016/0038-1098(70)90262-0
- Y.H. Chu, L.W. Martin, M.B. Holcomb, M. Gajek, S. Han, Q. He, N. Balke, C.-H. Yang, D. Lee, W. Hu, Q. Zhan, P.-L. Yang, A. Fraile-Rodri guez, A. Scholl, S.X. Wang, R. Ramesh. Nature Mater., 7, 478 (2008). DOI: 10.1038/nmat2184
- P. Fischer, M. Polomska, I. Sosnowska, M. Szymanski. J. Phys C: Solid State Phys., 13 (10), 1931 (1980). DOI: 10.1088/0022-3719/13/10/012
- F. Scott. J. Mater. Chem., 22, 4567 (2012). DOI: 10.1039/C2JM16137K
- А.П. Пятаков, А.К. Звездин. УФН, 182, 593 (2012). DOI: 10.3367/UFNr.0182.201206b.0593 [A.P. Pyatakov, A.K. Zvezdin. Phys.-Usp., 55 (6), 557 (2012). DOI: 10.3367/UFNe.0182.201206b.0593]
- J.F. Li, J.L. Wang, M. Wuttig, R. Ramesh, N. Wang, B. Ruette, A.P. Pyatakov, A.K. Zvezdin, D. Viehland. Appl. Phys. Lett., 84 (25), 5261 (2004). DOI: 10.1063/1.1764944
- S.R. Jian, H.W. Chang, Y.C. Tseng, P.H. Chen, J.Y. Juang. Nanoscale Res. Lett., 8, 297 (2013). DOI: 10.1186/1556-276X-8-297
- D. Sando, A. Barthelemy, M. Bibes. J. Phys.: Condens. Matter., 26 (47), 473201 (2014). DOI: 10.1088/0953-8984/26/47/473201
- Resistive Switching: From Fundamentals of Nanoionic Redox Processes to Memristive Device Applications. ed. by D. Ielmini, R. Waser (Wiley-VCH Verlag GmbH \& Co. KGaA, Weinheim, Germany, 2016)
- S.A. Gridnev, Yu.E. Kalinin, V.A. Dybov, I.I. Popov, M.A. Kashirin, N.A. Tolstykh. J. Alloys Compd., 918, 165610 (2022). DOI: 10.1016/j.jallcom.2022.165610
- R.A. De Souza, V. Metlenko, D. Park, T.E. Weirich. Phys. Rev. B, 85 (17), 174109 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevB.85.174109
- J.D. Cawley, W. John, A.R. Cooper. J. Am. Ceram. Soc., 74 (9), 2086 (1991). DOI: 10.1111/j.1151-2916.1991.tb08264.x
- X. Pan, Y. Shuai, C. Wu, W. Luo, X. Sun, H. Zeng, S. Zhou, R. Bottger, X. Ou, T. Mikolajick, W. Zhang, H. Schmidt. Appl. Phys. Lett., 108 (3), 032904 (2016). DOI: 10.1063/1.4940372
- C. Wang, J. Sun, W. Ni, B. Yue, F. Hong, H. Liu, Z. Cheng. J. Am. Ceram. Soc., 102 (11), 6705 (2019). DOI: 10.1111/jace.16522
- К.А. Насыров, В.А. Гриценко. УФН, 183 (10), 1099 (2013). DOI: 10.3367/UFNr.0183.201310h.1099 [K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko. Phys.-Usp., 56 (10) 999 (2013).]
- J.I. Frenkel. Phys. Rev., 54, 647 (1938). DOI: 10.1103/PhysRev.54.647
- M. Sumets, V. Ievlev, V. Dybov, A. Kostyuchenko, D. Serikov, S. Kannykin, E. Belonogov. J. Mater. Sci. Mater. Electron., 30 (17), 16562 (2019). DOI: 10.1007/s10854-019-02033-1
- Ю.Е. Калинин, А.В. Ситников, В.В. Рыльков, К.Г. Королев, Г.С. Рыжкова. Вестник ВГТУ, 12 (6), 4 (2016)
- S.M. Selbach, M.A. Einarsrud, T. Grande. Chem. Mater., 21 (1), 169 (2009). DOI: 10.1021/cm802607p
- N. Wang, X. Luo, L. Han, Z. Zhang, R. Zhang, H. Olin, Y. Yang. Nano-Micro Lett., 12, 81 (2020). DOI: 10.1007/s40820-020-00420-6
- B.D. Viezbicke, S. Patel, B.E. Davis, D.P. Birnie. Phys. Stat. Sol. B, 252, 1700 (2015). DOI: 10.1002/pssb.201552007
- D. Sando, C. Carretero, M.N. Grisolia, A Barthelemy, V. Nagarajan, M. Bibes. Adv. Opt. Mater., 6 (2), 1700836 (2017). DOI: 10.1002/adom.201700836
- P. Machado, I. Can o, C. Menendez, C. Cazorla, H. Tan, I. Fina, M. Campoy-Quiles, C. Escudero, M. Tallarida, M. Coll. J. Mater. Chem. C, 9 (1), 330 (2021). DOI: 10.1039/d0tc04304d
- F. Carren o, J.C. Marti nezAnton, E. Bernabeu. Rev. Sci. Instrum., 65 (8), 2489 (1994). DOI: 10.1063/1.1144707
- A.R. Ansari, A.H. Hammad, M.Sh. Abdel-wahab, M. Shariq, M. Imran. Opt. Quant. Electron., 52, 426 (2020). DOI: 10.1007/s11082-020-02535-x
- D.J. Huang, H.M. Deng, F. Chen, H. Deng, P.X. Yang, J.H. Chu. J. Phys.: Conf. Ser., 276, 012168 (2011). DOI: 10.1088/1742-6596/276/1/012168
- H. Shima, H. Naganuma, S. Okamura. in Materials Science --- Advanced Topics (IntechOpen London, United Kingdom, 2013), DOI: 10.5772/54908DOI: 10.5772/54908 p. 33
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах: в 2 т. (Мир, М., 1982) [N. Mott, E. Davis Electronic Processes in Non-Crystalline Materials (Clarendon Press, Oxford, 1979)]
- D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, R.S. Williams. Nature, 53, 80 (2008). DOI: 10.1038/nature06932
- D.H. Kwon, K.M. Kim, J.H. Jang, J.M. Jeon, M.H. Lee, G.H. Kim, X.S. Li, G.S. Park, B. Lee, S. Han, M. Kim, C.S. Hwang. Nat. Nanotechnol., 5 (2), 148, (2010). DOI: 10.1038/nnano.2009.456
- W. Zhang, R. Mazzarello, M. Wuttig, E. Ma. Nat. Rev. Mater., 4, 150 (2019). DOI: 10.1038/s41578-018-0076-x
- Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 46 (5), 577 (2012). [N.A. Bogoslovskiy, K.D. Tsendin. Semiconductors, 46 (5), 559 (2012). DOI: 10.1134/S1063782612050065]
- L.O. Chua. IEEE Trans. Crcuits Syst. I Regul. Pap., 18 (5), 507 (1971). DOI: 10.1109/TCT.1971.1083337
- A. Mehonic, A.L. Shluger, D. Gao, I. Valov, E. Miranda, D. Ielmini, A. Bricalli, E. Ambrosi, C. Li, J.J. Yang, Q. Xia, A.J. Kenyon. Adv. Mater., 30 (43), 1801187 (2018). DOI: 10.1002/adma.201801187
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
