Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2022, выпуск 11 » Статья стр. 1678
<<<>>>
Локальная структура аморфных пленок (GeTe)x(Sb2Te3)
DOI: 10.21883/JTF.2022.11.53441.186-22
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.11.55175.186-22
Марченко А.В. 1, Теруков Е.И. 2,3, Насрединов Ф.С. 4, Петрушин Ю.А. 1, Серегин П.П. 1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: ppseregin@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2022 г.
Принята к печати: 8 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 3 сентября 2022 г.
PDF версия
Методом мессбауэровской спектроскопии на изотопе 119Sn показано, что примесные атомы олова в аморфных пленках (GeTe)x(Sb2Te3) (где x=0.5, 1, 2, 3) замещают четырехвалентные атомы германия, которые образуют тетраэдрическую систему химических связей, а в их локальном окружении находятся преимущественно атомы теллура. В кристаллических пленках (GeTe)x(Sb2Te3) олово замещает двухвалентный шестикоординированный германий в позициях 4  b кристаллической решетки типа NaCl. Методом мессбауэровской спектроскопии на атомах 121Sb и 125Te показано, что аморфизация пленок не изменяет локальное окружение атомов сурьмы и теллура. Ключевые слова: аморфные пленки, фазовая память, мессбауэровская спектроскопия.
  1. D. Lencer, M. Salinga, M. Wuttig. Adv. Mater., 23, 2030 (2011). DOI:10.1002/adma.201004255
  2. C. Qiao, Y.R. Guo, J.J. Wang, H. Shen, S.Y. Wang, Y.X. Zheng, R.J. Zhang, LY. Chen, C.Z. Wang, K.M. Ho. J. Alloys and Compounds, 774, 748 (2019). DOI:10.1063/5.0067157
  3. B. Zhang, X.P. Wang, Z.J. Shen, X.B. Li, C.S. Wang, Y.J. Chen, J.X. Li, J.X. Zhang, Z. Zhang, S.B. Zhang, X.D. Han. Sci. Rep., 6, 25453 (2016). DOI: 10.1038/srep25453 
  4. Xue-Peng Wang, Xian-Bin Li, Nian-Ke Chen, Qi-Dai Chen, Xiao-Dong Han, Shengbai Zhang, Hong-Bo Sun. Acta Mater., 136, 242 (2017). DOI:10.1016%2fj.actamat.2017.07.006\& partner
  5. Z. Sun, S. Kyrsta, D. Music, R. Ahuja, J.M. Schneider. Solid State Commun., 143, 240 (2007). DOI: 10.1016/j.ssc.2007.05.018
  6. P. Urban. Cryst. Eng. Comm., 15, 4823 (2013). DOI: 10.1039/C3CE26956F
  7. A. Lotnyk, U. Ross, S. Bernutz, E. Thelander, B. Rauschenbach. Sci. Rep., 6, 26724 (2016). DOI: 10.1038/srep26724
  8. Y. Zheng, Y. Wang, T. Xin, Y. Cheng, R. Huang, P. Liu, M. Luo, Z. Zhang, Z. Song, S. Feng. Commun. Chem., 2, 1 (2019). DOI.org/10.1038/s42004-019-0114-7
  9. A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominga, T. Uruga. Nat. Mater., 3, 703 (2004). DOI: 10.1038/nmat1215
  10. D.A. Baker, M.A. Paesler, G. Lucovsky, S.C. Agarwal, P.C. Taylor. Phys. Rev. Lett., 96, 255501 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.255501
  11. D.A. Baker, M.A. Paesler, G. Lucovsky, S.C. Agarwal, P.C. Taylor, J. Non-Cryst. Solids, 352, 1621 (2006). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2005.11.079
  12. P. Jovari, I. Kaban, J. Steiner, B. Beuneu, A. Schops, M.A. Webb. Phys. Rev. B, 77, 035202 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevB.77.035202
  13. Z. Sun, J. Zhou, R. Ahuja. Phys. Rev. Lett., 96, 055507 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.055507
  14. M. Jung, H.J. Shin, K. Kim, J.S.Noh, J. Chung. Appl. Phys. Lett., 89, 043503 (2006). DOI: 10.1063/1.2236216 89
  15. J.R. Stellhorn, S. Hosokawa, S. Kohara. Analytical Sci., 36, 5 (2020). DOI: 10.2116/analsci.19SAR02
  16. А.В. Марченко, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, К.Б. Шахович. ФТП, 53, 718 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47570.9032 [A.V. Marchenko, P.P. Seregin, E.I. Terukov, K.B. Shakhovich. Semiconductors, 53, 711 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619050166]
  17. P.P. Seregin, V.P. Sivkov, F.S. Nasredinov, L.N. Vasilev, Yu.V. Krylnikov, Y.P. Kostikov. Phys. Stat. Sol. (a), 39, 437 (1977).
  18. Г.А. Бордовский, А.В. Марченко, Ф.С. Насрединов, Ю.А. Петрушин, П.П., Серегин. ФХС, 47, 179 (2021). DOI: 10.31857/S0132665121020037 [G.A. Bordovskii, A.V. Marchenko, F.S. Nasredinov, Ya.A. Petrushin, P.P. Seregin. Glass Phys. Chem., 47, 166 (1921). DOI: 10.1134/S1087659621020036]
  19. А.В. Марченко, Е.И. Теруков, Ф.С. Насрединов, Ю.А. Петрушин, П.П. Серегин. ФТП, 55, 3 (2021). DOI: 10.21883/JTF.2022.11.53441.186-22 [A.V. Marchenko, E.I. Terukov, F.S. Nasredinov, Ya.A. Petrushin. Semiconductors, 55, 1 (1921). DOI: 10.1134/S1063782621010127]
  20. F. Ledda, C. Muntoni, A. Rucci, S. Serci, G. Alonzo, M. Consiglio, T. Bressani. Hyperfine Interactions, 41, 591, (1988)
  21. S. Rigamonti, G. Petrini. Phys. Stat. Sol. (a), 41, 591 (1970)
  22. Г.А. Бордовский, Е.И. Теруков, Н.И. Анисимова, А.В. Марченко, П.П. Серегин. ФТП, 43, 1232 (2009). [G.A. Bordovskii, E.I. Terukov., N.I. Anisimova, A.V. Marchenko, P.P. Seregin. Semiconductors, 43, 1193 (2009). DOI: 10.1134/S1063782609090164]
  23. M. Micoulaut, K. Gunasekera, S. Ravindren, P. Boolchand. Phys. Rev. B, 90, 094207 (2014). DOI: 10.1103/PhysRevB.90.094207
  24. P. Boolchand, B.B. Triplett, S.S. HannaS. Mossbauer Effect Methodology (New England Nuclear Corporation, 1974)
  25. M.K. Gauer, I. Dezsi, U. Gonser, G. Langouche, H. Ruppersberg. J. Non-Cryst. Solids, 101, 31 (1988). DOI: 10.1016/0022-3093(88)90365-1
  26. M.K. Gauer, I. Dezsi, U. Gonser, G. Langouche, H. Ruppersberg. J. Non-Cryst. Solids, 109, 247 (1989). DOI: 10.1016/0022-3093(88)90365-1
  27. R. Mantovan, R. Fallica, A. Mokhles Gerami, T.E. Molhol, C. Wiemer, M. Longo, H.P. Gunnlaugsson, K. Johnston, H. Masenda, D. Naidoo, M. Ncube, K. Bharuth-Ram, M. Fanciulli, H.P. Gislason, G. Langouche, S. Glafsson, G. Weyer. Scientific Rep., 7, 8234 (2017). DOI: 10.1038/s41598-017-08275-5
  28. R.W. Olesinski, G.J. Abbaschian. Bulletin of Alloy Phase Diagrams, 5, 265 (1984)
  29. T. Chattopadhyay, J.X. Boucherle, H.G. von Schnering. J. Phys. C, 20, 1431 (1987)
  30. K. Bobokhuzhaev, A. Marchenko, P. Seregin. Structural and Anti-Structural Defects in Chalcogenide Semiconductors. Mossbauer Spectroscopy (LAP Lambert Academic Publishing, 2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme