Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Обобщенное приближение эффективного поля для неоднородной среды с включениями в многослойной оболочке
Переводная версия: 10.21883/TP.2022.11.55169.133-22 
Лавров И.В.
1, Бардушкин В.В.
1, Яковлев В.Б.
1
1Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия 
Email: iglavr@mail.ru, bardushkin@mail.ru, yakvb@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 28 июля 2022 г.
Принята к печати: 29 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 3 сентября 2022 г.
Предложен подход для вычисления эффективных физических характеристик неоднородной среды с несколькими уровнями вложенности ее микроструктуры - обобщенное приближение эффективного поля. С помощью данного подхода получено выражение для тензора эффективной диэлектрической проницаемости неоднородной среды с эллипсоидальными включениями в многослойной оболочке, границы всех слоев которой являются эллипсоидами. Предложенный подход позволяет учитывать вероятностные распределения ориентаций и форм включений, а также наличие нескольких типов включений. Рассмотрены два случая матричных композитов: 1) со сферическими изотропными включениями с многослойной оболочкой; 2) с эллипсоидальными анизотропными включениями с многослойной оболочкой. Показано, что для неоднородной среды с однородными включениями данное приближение дает такой же результат, как обобщенное сингулярное приближение. Ключевые слова: неоднородная среда, композит, матрица, включение, многослойная оболочка, обобщенное приближение эффективного поля, обобщенное сингулярное приближение, эффективная диэлектрическая проницаемость.
- H. Gleiter. Acta Mater., 48 (1), 1 (2000). DOI: 10.1016/S1359-6454(99)00285-2
- Н.Н. Трофимов, М.З. Канович, Э.М. Карташов, В.И. Натрусов, А.Т. Пономаренко, В.Г. Шевченко, В.И. Соколов, И.Д. Симонов-Емельянов. Физика композиционных материалов (Мир, М., 2005), т. 1
- Н.Н. Трофимов, М.З. Канович, Э.М. Карташов, В.И. Натрусов, А.Т. Пономаренко, В.Г. Шевченко, В.И. Соколов, И.Д. Симонов-Емельянов. Физика композиционных материалов (Мир, М., 2005), т. 2
- R.D. Averitt, D. Sarkar, N.J. Halas. Phys. Rev. Lett., 78 (22), 4217 (1997). DOI: 10.1103/PhysRevLett.78.4217
- J.B. Jackson, N.J. Halas. J. Phys. Chem. B, 105 (14), 2743 (2001). DOI: 10.1021/jp003868k
- А. Sihvola. PIER, 62, 317 (2006). DOI: 10.2528/PIER06042801
- Д.В. Гузатов, А.А. Ораевский, А.Н. Ораевский. Квантовая электроника, 33 (9), 817 (2003). [D.V. Guzatov, A.A. Oraevsky, A.N. Oraevsky. Quant. Electron., 33 (9), 817 (2003). DOI: 10.1070/QE2003v033n09ABEH002505]
- D.C. Tzarouchis, А. Sihvola. IEEE Transactions on Antennas and Propagation, 66 (1), 323 (2018). DOI: 10.1109/TAP.2017.2769688
- A.G. Every, Y. Tzou, D.P.H. Hasselman, R. Raj. Acta Metall. Mater., 40 (1), 123 (1992). DOI: 10.1016/0956-7151(92)90205-S
- S.V. Kidalov, F.M. Shakhov. Materials, 2 (4), 2467 (2009). DOI: 10.3390/ma2042467
- K. Pietrak, M. Kubis, M. Langowski, M. Kropielnicki, P. Wultanski. Composites Theory and Practice, 17 (4), 183 (2017). DOI: 10.5281/zenodo.1188082
- И.В. Лавров, А.А. Кочетыгов, В.В. Бардушкин, В.Б. Яковлев. Тепловые процессы в технике, 12 (2), 78 (2020). DOI: 10.34759/tpt-2020-12-1-78-86
- В.Ю. Чухланов, О.Г. Селиванов. Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований, 8 (1), 26 (2014)
- E.H. Kerner. Proc. Phys. Soc. B, 69 (8), 802 (1956)
- Л.А. Апресян, Д.В. Власов, Д.А. Задорин, В.И. Красовский. ЖТФ, 87 (1), 10 (2017). DOI: 10.21883/JTF.2017.01.44011.1841 [L.A. Apresyan, D.V. Vlasov, D.A. Zadorin, V.I. Krasovskii. Tech. Phys., 62 (1), 6 (2017). DOI: 10.1134/S1063784217010029]
- В.С. Зарубин, Г.Н. Кувыркин, И.Ю. Савельева. Радиооптика. МГТУ им. Н.Э. Баумана. Электрон. журн., 3, 29 (2016). DOI: 10.7463/rdopt.0316.0846170
- A. Sihvola. Electromagnetic Mixing Formulas and Applications (The Institution of Electrical Engineers, London, 1999)
- В.И. Колесников, В.В. Бардушкин, И.В. Лавров, А.П. Сычев, В.Б. Яковлев. ДАН, 476 (3), 280 (2017). DOI: 10.7868/S0869565217270081 [V.I. Kolesnikov, V.V. Bardushkin, I.V. Lavrov, A.P. Sychev, V.B. Yakovlev. Dokl. Phys., 62 (9), 415 (2017). DOI: 10.1134/S1028335817090087]
- N. Bonfoh, F. Dinzart, H. Sabar. Appl. Mathem. Modell., 87, 584 (2020). DOI: 10.1016/j.apm.2020.06.005
- В.И. Колесников, В.Б. Яковлев, В.В. Бардушкин, И.В. Лавров, А.П. Сычев, Е.Н. Яковлева. ДАН, 452 (1), 27 (2013). DOI: 10.7868/S0869565213260083 [V.I. Kolesnikov, V.B. Yakovlev, V.V. Bardushkin, I.V. Lavrov, A.P. Sychev, E.N. Yakovleva. Dokl. Phys., 58 (9), 379 (2013). DOI: 10.1134/S1028335813090012]
- А.Г. Фокин. ЖТФ, 41 (6), 1073 (1971). [A.G. Fokin. Sov. Phys. Tech. Phys., 16, 849 (1971).]
- С.М. Никольский. Курс математического анализа (Наука, М., 1991), т. 2
- С.Р. де Гроот, Л.Г. Сатторп. Электродинамика (Наука, М., 1982), [Пер. с англ. S.R. de Groot, L.G. Suttorp. Foundations of Electrodynamics (North-Holland Publishing Company, Amsterdam, 1972)]
- A. Sihvola, I.V. Lindell. IEEE/URSI Symposium, Syracuse, July 1988. 23.5. P. 388--391
- Я.С. Дубнов. Основы векторного исчисления (ГИТТЛ, М., 1952), т. 2.
- И.В. Лавров, В.Б. Яковлев. ЖТФ, 87 (7), 963 (2017). DOI: 10.21883/JTF.2017.07.44663.1964 [I.V. Lavrov, V.B. Yakovlev. Tech. Phys., 62 (7), 979 (2017). DOI: 10.1134/S106378421707009X]
- В.И. Колесников, И.В. Лавров, В.В. Бардушкин, А.П. Сычев, В.Б. Яковлев. Докл. РАН. Физика, технические науки, 498 (1), 11 (2021). DOI: 10.31857/S268674002103010X [V.I. Kolesnikov, I.V. Lavrov, V.V. Bardushkin, A.P. Sychev, V.B. Yakovlev. Dokl. Phys., 66 (5), 123 (2021). DOI: 10.1134/S1028335821050049]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
