Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2019, выпуск 11 » Статья стр. 1795
<<<>>>
Модификация поверхностных свойств эпитаксиальных слоев PbSnTe<In> с составом вблизи инверсии зон
DOI: 10.21883/JTF.2019.11.48347.128-19
Переводная версия: 10.1134/S1063784219110264
Тарасов А.С.1, Ищенко Д.В. 1, Акимов А.Н.1, Ахундов И.О.1, Голяшов В.А. 1, Климов А.Э. 1, Пащин Н.С. 1, Супрун С.П. 1, Федосенко Е.В. 1, Шерстякова В.Н. 1, Терещенко О.Е. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: miracle4348@gmail.com, klimov@isp.nsc.ru, fedos3000@gmail.com, teresh@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2019 г.
В окончательной редакции: 28 марта 2019 г.
Принята к печати: 15 апреля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
PDF версия
Приведены результаты изучения выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии высокоомных слоев Pb1-xSnxTe<In> на подложках BaF2 (111) с составами, близкими к инверсии зон. Проведены исследования вольт-амперных характеристик и релаксационных зависимостей фототока структур в зависимости от химической обработки поверхности и последующей экспозиции образцов на воздухе. Обнаружена существенная трансформация наблюдаемых характеристик от физико-химического состояния поверхности. Установлено, что химическая обработка поверхности в растворе соляной кислоты в изопропиловом спирте приводит к увеличению тока до 104 раз с последующим восстановлением вольт-амперных характеристик при экспозиции образцов на воздухе в течение нескольких суток. Ключевые слова: обработка поверхности, PbSnTe<In>, поверхность, твердый раствор, эпитаксиальные пленки.
  1. Liu J.W., Duan W.H., Fu L. // Phys. Rev. B. 2013. Vol. 88. P. 241303(R)
  2. Xu S.Y., Liu C., Alidoust N., Neupane M., Qian D., Belopolski I., Denlinger J.D., Wang Y.J., Lin H., Wray L.A., Landolt G., Slomski B., Dil J.H., Marcinkova A., Morosan E., Gibson Q., Sankar R., Chou F.C., Cava R.J., Bansil A., Hasan M.Z. // Nat. Commun. 2012. Vol. 3. P. 1192
  3. Калюжная Г.А., Киселева К.В. // Тр. Физического ин-та. 1987. Т. 177. N 5
  4. Zhong R., He X., Schneeloch J.A., Cheng Zhang, Tiansheng Liu, Pletikosic I., Yilmaz T., Sinkovic B., Qiang Li, Wei Ku, Valla T., Tranquada J.M., Genda Gu. // Phys. Rev. B. 2015. Vol. 91. P. 195321
  5. Tereshchenko O.E., Chikichev S.I., Terekhov A.S. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999. Vol. 17. P. 2655
  6. Ищенко Д.В., Кучумов Б.М. // Микроэлектроника. 2017. Т. 46. N 4. С. 301
  7. Klimov A.E., Shumsky V.N. // Phys. B: Condens.Matter. 2009. Vol. 404. P. 5028
  8. Berchenko N.N., Nikiforov A.Yu., Fadeyev S.V. // Surf. Interface Anal. 2006. Vol. 38. P. 518
  9. Tereshchenko O.E., Terekhov A.S., Paget D., Chiaradia P., Bonnet J.E., Belkhou R., Taleb-Ibrahimi A. // Surf. Sci. 2002. Vol. 507-510. P. 411
  10. Tereshchenko O.E., Shaibler G.E., Yaroshevich A.S., Shevelev S.V., Terekhov A.S., Lundin V.V., Zavarin E.E., Besyulkin A.I. // Phys. Solid State. 2004. Vol. 46. P. 1949
  11. Tereshchenko O.E. // Appl. Surf. Sci. 2006. Vol. 252. P. 7684
  12. Tanaka Y., Sato T., Nakayama K., Souma S., Takahashi T., Ren Z., Novak M., Segawa K., Ando Y. // Phys. Rev. B. 2013. Vol. 87. P. 155105
  13. Sun C.Q., Li C.M., Bai H.L., Jiang E.Y. // Nanotech. 2005. Vol. 16. N 8. P. 1290
  14. Sun C.Q. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 69. P. 045105
  15. Zhang X., Wang T., Chen W., Wang S., Peng D. // Frontiers in Phys. 2017. Vol. 5. N 1
  16. Sun C.Q. // Progress in Solid State Chem. 2007. Vol. 35. N 1. P. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme