Вышедшие номера
Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей
Переводная версия: 10.1134/S106378421808011X
Российский научный фонд, 17-79-30035/2017
Малевская А.В. 1, Калиновский В.С. 1, Ильинская Н.Д. 1, Малевский Д.А. 1, Контрош Е.В.1, Шварц М.З. 1, Андреев В.М. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, vmandreev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 декабря 2017 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2018 г.

Разработана многослойная система омических контактов для GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей излучения. Предложена и исследована технология "чернения" омических контактов с целью уменьшения коэффициента отражения оптического сигнала от поверхности многослойного контакта на основе структуры Ag/Au/Ag. Достигнуто снижение коэффициента отражения излучения от контактов более чем в 10 раз за счет чернения омических контактов.