Вышедшие номера
Моделирование динамики резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка, распространяющегося в омическом плазменном канале произвольной проводимости
Колесников Е.К.1, Мануйлов А.С.1, Петров В.С.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.manuylov@spbu.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2017 г.

Исследована пространственная динамика резистивной шланговой неустойчивости релятивистского электронного пучка в случаях, когда время зарядовой нейтрализации много больше, порядка и много меньше времени токовой компенсации. Получено, что наибольшим пространственным инкрементом нарастания указанная неустойчивость обладает в случае, когда время зарядовой нейтрализации порядка скинового времени.