"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции
Минобрнауки России, Проектная часть государственного задания, 8.1751.2017/ПЧ
РФФИ, Инициативные научные проекты, 15-02-07824
РФФИ, Инициативные научные проекты, 16-07-01102
Минобрнауки России, грант Президента РФ для молодых кандидатов наук, МК- 8221.2016.2
Дорохин М.В. 1, Зайцев С.В.2, Рыков А.В. 1, Здоровейщев А.В. 1, Малышева Е.И.1, Данилов Ю.А.1, Зубков В.И. 3, Фролов Д.C.3, Яковлев Г.Е.3, Кудрин А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru, zdorovei@nifti.unn.ru, vzubkovspb@mai.ru
Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Исследованы оптические и транспортные свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, легированными атомами марганца или хрома в процессе выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии. Показана возможность получения циркулярно-поляризованной люминесценции за счет легирования квантовых точек атомами Mn или Cr, причем знак степени циркулярной поляризации зависит от вида вводимой примеси. Обнаруженный эффект объясняется особенностями излучательной рекомбинации в квантовых точках в присутствии резидентных электронов и дырок. DOI: 10.21883/JTF.2017.10.44999.1989
  • Poggio M., Myers R.C., Stern N.P., Gossard A.C, Awschalom D.D // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 235313
  • Буравлев А.Д., Неведомский В.Н., Убыйвовк Е.В., Сапега В.Ф., Хребтов А.И., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. ФТП. 2013. Vol. 47. N 8. P. 1033
  • Holub M., Chakrabarti S., Fathpour S., Bhattacharya P., Lei Y., Ghosh S. Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. N 6. P. 973
  • Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. // ФТП. 2016
  • Holub M., Bhattacharya P. // Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. R179
  • Bartsch G., Gerbracht M., Yakovlev D.R., Blokland J.H., Christianen P.C.M., Zhukov E.A., Dzyubenko A.B., Karczewski G., Wojtowicz T., Kossut J., Maan J.C., Bayer M. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 235317
  • Gundogdu K., Hall K.C., Koerperick E.J., Pryor C.E., Flatte M.E., Boggess Thomas F., Shchekin O.D., Deppe D.G. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. P. 113111
  • Ilegems M., Digle R., Rupp L.W. Jr. // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46. N 7. P. 3059
  • Zubkov V., Kucherova O., Frolov D., Zubkova A. // Phys. St. Sol. C. 2013. Vol. 10. N 3. P. 342
  • Яковлев Г.Я., Фролов Д.С., Зубкова А.В., Левина А.А., Зубков В.И., Соломонов А.В., Стерлядкин О.К., Сорокин С.А. // ФТП. 2016. Т. 50. N 3. С. 324
  • Yakovlev D.R., Bayer M. Spin Physics in Semiconductors / Ed. by M.I. Dyakonov / Berlin: Springer, 2008. Chap. 6
  • Wimbauer Th., Oettinger K., Efros Al.L., Meyer B.K., Brugger H. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50. P. 8889
  • Marie X., Urbaszek B., Krebs O., Amand T. Spin Physics in Semiconductors / Ed. by M.I. Dyakonov. Berlin: Springer, 2008. Chap. 4
  • Cibert J., Scalbert D. Spin Physics in Semiconductors / Ed. by M.I. Dyakonov. Berlin: Springer, 2008. Chap. 13
  • Kudelski A., Lema\^ i tre A., Miard A., Voisin P., Graham T.C.M., Warburton R.J., Krebs O. // Phys. Rev. Lett. 2007. Vol. 99. P. 247209
  • Doi A., Aoyagi Y., Namba S. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48. N 26. P. 1787
  • Автореф. канд. дис. Здоровейщев А.В. Н. Новгород. 2006. 22 с
  • Vasilevskiy M.I,, Baidus N.V., Cavaco A., Sobolev N.A., Carmo M.C., Alves E., Zvonkov B.N. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. N 8. P. 083548
  • Zucca R. // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. N 5. P. 1987
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.