Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs / GaAs, легированными атомами переходных элементов. II. Исследование циркулярно-поляризованной люминесценции

DOI: 10.21883/JTF.2017.10.44999.1989

Минобрнауки России, Проектная часть государственного задания, 8.1751.2017/ПЧ

РФФИ, Инициативные научные проекты, 15-02-07824

РФФИ, Инициативные научные проекты, 16-07-01102

Минобрнауки России, грант Президента РФ для молодых кандидатов наук, МК- 8221.2016.2

Дорохин М.В. ¹, Зайцев С.В.², Рыков А.В. ¹, Здоровейщев А.В.

¹, Малышева Е.И.¹, Данилов Ю.А.¹, Зубков В.И.

³, Фролов Д.C.³, Яковлев Г.Е.³, Кудрин А.В.¹

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

³Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

St. Petersburg State Electrotechnical University “LETI", St. Petersburg, Russia

Email: dorokhin@nifti.unn.ru, zdorovei@nifti.unn.ru, vzubkovspb@mai.ru

Поступила в редакцию: 12 июля 2016 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы оптические и транспортные свойства гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs, легированными атомами марганца или хрома в процессе выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии. Показана возможность получения циркулярно-поляризованной люминесценции за счет легирования квантовых точек атомами Mn или Cr, причем знак степени циркулярной поляризации зависит от вида вводимой примеси. Обнаруженный эффект объясняется особенностями излучательной рекомбинации в квантовых точках в присутствии резидентных электронов и дырок. DOI: 10.21883/JTF.2017.10.44999.1989

Poggio M., Myers R.C., Stern N.P., Gossard A.C, Awschalom D.D // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 235313
Буравлев А.Д., Неведомский В.Н., Убыйвовк Е.В., Сапега В.Ф., Хребтов А.И., Самсоненко Ю.Б., Цырлин Г.Э., Устинов В.М. ФТП. 2013. Vol. 47. N 8. P. 1033
Holub M., Chakrabarti S., Fathpour S., Bhattacharya P., Lei Y., Ghosh S. Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 85. N 6. P. 973
Дорохин М.В., Здоровейщев А.В., Малышева Е.И., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н. // ФТП. 2016
Holub M., Bhattacharya P. // Phys. D: Appl. Phys. 2007. Vol. 40. R179
Bartsch G., Gerbracht M., Yakovlev D.R., Blokland J.H., Christianen P.C.M., Zhukov E.A., Dzyubenko A.B., Karczewski G., Wojtowicz T., Kossut J., Maan J.C., Bayer M. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 235317
Gundogdu K., Hall K.C., Koerperick E.J., Pryor C.E., Flatte M.E., Boggess Thomas F., Shchekin O.D., Deppe D.G. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. P. 113111
Ilegems M., Digle R., Rupp L.W. Jr. // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46. N 7. P. 3059
Zubkov V., Kucherova O., Frolov D., Zubkova A. // Phys. St. Sol. C. 2013. Vol. 10. N 3. P. 342
Яковлев Г.Я., Фролов Д.С., Зубкова А.В., Левина А.А., Зубков В.И., Соломонов А.В., Стерлядкин О.К., Сорокин С.А. // ФТП. 2016. Т. 50. N 3. С. 324
Yakovlev D.R., Bayer M. Spin Physics in Semiconductors / Ed. by M.I. Dyakonov / Berlin: Springer, 2008. Chap. 6
Wimbauer Th., Oettinger K., Efros Al.L., Meyer B.K., Brugger H. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50. P. 8889
Marie X., Urbaszek B., Krebs O., Amand T. Spin Physics in Semiconductors / Ed. by M.I. Dyakonov. Berlin: Springer, 2008. Chap. 4
Cibert J., Scalbert D. Spin Physics in Semiconductors / Ed. by M.I. Dyakonov. Berlin: Springer, 2008. Chap. 13
Kudelski A., Lema\^ i tre A., Miard A., Voisin P., Graham T.C.M., Warburton R.J., Krebs O. // Phys. Rev. Lett. 2007. Vol. 99. P. 247209
Doi A., Aoyagi Y., Namba S. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48. N 26. P. 1787
Автореф. канд. дис. Здоровейщев А.В. Н. Новгород. 2006. 22 с
Vasilevskiy M.I,, Baidus N.V., Cavaco A., Sobolev N.A., Carmo M.C., Alves E., Zvonkov B.N. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 103. N 8. P. 083548
Zucca R. // J. Appl. Phys. 1977. Vol. 48. N 5. P. 1987

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель