"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние неупругих и упругих потерь энергии ионов Хе на развитие водородных блистеров в кремнии
Реутов В.Ф., Дмитриев С.Н., Сохацкий А.С., Залужный А.Г.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: reutov@jinr.ru
Поступила в редакцию: 17 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Изучен эффект влияния облучения тяжелыми ионами на образование блистеров на поверхности кремния, предварительно ионно-легированного водородом. Путем изменения в широком интервале доз облучения и энергии бомбардирующих ионов Хе сделана попытка дифференцировать неупругие и упругие процессы взаимодействия ионов с атомами Si посредством использования методики облучения образца высокоэнергетическими заряженными частицами через изогнутый поглощающий фильтр. Установлено, что в зоне неупругого взаимодействия независимо от величины удельных ионизационных потерь энергии тяжелых ионов имеет место полное подавление образования блистеров в процессе послерадиационного отжига. В то же время в зоне упругого взаимодействия, наоборот, имеет место стимулированное развитие водородной пористости, проявляющееся в виде блистеров и флэкингов.
  • Реутов В.Ф., Ибрагимов Ш.Ш. Способ изготовления тонких пластин кремния. А. c. СССР на изобретение N 1282757, 30.12.1983
  • Bruel M. Patent USA N 5 374 564, 1995
  • Bruel M. // Electron. Lett. 1995. Vol. 31. N 14. P. 1201--1202
  • Henley F., Lamm A., Kang S., Liu Z., Tiam L. Direct film transfer (DFT) technology for kerf-free silicon wafering. 23-=SUP=-rd-=/SUP=- European Photovoltaic Solar Energy Conference, 1--5 September 2008/ Valencia, Spain
  • Реутов В.Ф., Дмитриев С.Н. // Письма в ЖТФ. 2007. Т. 23. Вып. 5. С. 41--45
  • Реутов В.Ф., Залужный А.Г., Кобзев А.П., Сохацкий А.С. // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 9. С. 63--70
  • Reutov V.F. // J. Nucl. Mater. 1996. Vol. 233--237. P.1586--1589
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.