"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование боковых эффектов при имплантации в многослойные мишени
Комаров Ф.Ф.1, Мозолевский И.Е.1, Рогач В.П.1
1Белорусский государственный университет,, Минск
Поступила в редакцию: 5 ноября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

С увеличением степени интеграции в современной технологии производства интегральных схем точное моделирование двумерных эффектов становится все более актуальным. В настоящей работе предлагается эффективное решение указанной проблемы с помощью программного комплекса двумерного моделирования локальной ионной имплантации в многослойные мишени, основанного на численном решении уравнения Больцмана.
  • Furukawa S., Matsumura H., Ishiwara H. Jap. J. Appl. Phys. 1972. Vol. 23. P. 134
  • Буренков А.Ф., Курганов А.Г., Конопляник Г.Г. Поверхность. 1989. N 8. С. 52
  • Каргашин А.Е., Садовников А.Д. Радиоэлектроника. 1990. N 3. С. 51
  • Barthel A., Lorenz J., Ryssel H. Nucl. Instr. and Meth. 1989. Vol. b37/38. P. 312
  • Ziegler J.F., Biersack J.P., Littmark J. The Stopping and Range of Ions in Solids. New York: Pergamon, 1985
  • Giles M.D. IEEE Transactions on Computer-Aided Design. 1988. Vol. CAD-5. P. 679
  • Takeda T., Yoshi A. IEEE Electron Device Lett. 1983. Vol. EDL-4. P. 430
  • Комаров Ф.Ф., Корзюк А.В., Мозолевский И.Е., Рогач В.П. Микроэлектроника. 1992. Т. 21. С. 60--66
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.