Кинетика электрического поля, волны тока и яркости в тонкопленочных электролюминесцентных структурах
Сухарев Ю.Г.1, Андриянов А.В.1, Миронов В.С.1
1Одесский политехнический институт,
Поступила в редакцию: 12 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.
Теоретически исследованы зависимости напряженности электрического поля, тока и яркости в полупроводниковой пленке тонкопленочных электролюминесцентных структур (ТПЭЛС) от времени при возбуждении их синусоидальным напряжением. В качестве параметров использованы толщины и диэлектрические проницаемости полупроводниковой и диэлектрических пленок, плотность и энергия поверхностных электронных состояний (ПЭС) границы раздела диэлектрик-полупроводник. Проведен сравнительный анализ теоретических зависимостей с результатами экспериментальных исследований для структур на основе сульфида цинка. Компьютерное моделирование показало, что величина фазового сдвига между максимумом тока в полупроводниковой пленке и максимумом напряжения возбуждения зависит от амплитуды напряжения возбуждения и от локализации ПЭС на границе раздела диэлектрик-полупроводник. При теоретическом анализе волн яркости в ТПЭЛС необходимо учитывать влияние напряженности электрического поля, при котором происходит ускорение носителей заряда, на квантовую эффективность электролюминесценции.
- Kobayashi H., Tanaka S. Acta Politechnica Scandinavica. 1990. Vol. 170. P. 69--76
- Власенко Н.А., Балясная С.И., Ролик В.А. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. 1986. Т. 10. С. 77--81
- Onton A., Marrello V. Adv. Image Pickup and Display. New York, 1982. Vol. 5. P. 137--197
- Piper W.W., Williams F.E. Sol. St. Phys. 1958. Vol. 6. P. 95--173
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 456 с
- Ogawa M., Nakada S., Sakurai M., Yoshioka T. J. Luminescence. 1984. Vol. 29. P. 11--29
- Mach R., Muller G.O., Schulz G. Phys. Stat. Sol. (a). 1984. Vol. 81. P. 723--732
- Ruhle W., Marrello V., Onton A. J. Electron. Mater. 1979. Vol. 8. P. 839--853
- Sano Y., Nunomura K. Electroluminescence. Proc. 4 th Int. Workshop. Tottori (Japan), 1988. P. 77--80
- Kobayashi H., Tueta R.J., Menn R. IEEE Trans. Electron Devices. 1982. Vol. ED-29. N 10. P. 1626--1630
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
