"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Наносекундный импульсный отжиг кремния, имплантированного ионами магния
Галкин Н.Г., Ваванова С.В., Галкин К.Н., Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Нуждин В.И.1
1Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского КазНЦ РАН, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 25 января 2012 г.
Выставление онлайн: 22 декабря 2012 г.

Проведена имплантация ионов магния в монокристаллический кремний при комнатной температуре с последующим импульсным ионным отжигом. Изучены морфология поверхности, кристалличность и оптические свойства имплантированного кремния до и после импульсного отжига. Показано, что в результате ионной имплантации приповерхностная область кремния (до ~0.1 mu) становится аморфной. Наносекундный импульсный ионный отжиг приводит к рекристаллизации кремния и формированию кристаллических преципитатов силицида магния. Определены оптимальные условия (доза имплантации и плотность энергии импульса) для формирования преципитатов силицида магния в приповерхностном слое кремния.
  • Grimaldi M.G., Bongiorno C., Spinella C., Crilli E., Martinelli L., Gemelli M., Migas D.B., Meglio L., Fanciulli M. // Phys. Rev. B. 2002. Vol. 66. P. 085 319 (1--10)
  • Suemasu T., Fujii T., Takakura K., Hasegawa F. // Thin Sol. Films. 2001. Vol. 381. P. 209--214
  • Li C., Suemasu T., Hasegawa F. // J. Appl. Phys. 2005. 97. P. 043 529-1--043 529-3
  • Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Теруков Е.И., Кудоярова В.Х., Weiser G., Kuehne H. // ФТП. 2001. Т. 35. С. 1320--1325
  • Galkin N.G., Galkin K.N., Vavanova S.V. // E-J. Surf. Sci. \& Nanotechnol. 2005. Vol. 3. P. 12--20
  • Semiconducting Silicide. / Ed. V.E. Borisenko. Berlin: Springer Verlag. 2000. 394 p
  • Sakamoto T., Iida T., Fukushima N., Honda Y, Tada M., Taguchi Y., Mito Y., Taguchi H., Takanashi Y. // Thin Sol. Films. 2011. Vol. 519. P. 8528--8531
  • Angelov Ch., Miklia V., Amov B., Goranova E. // J. Optoelectr. and Adv. Mater. 2005. Vol. 7, No 1. P. 369--372
  • Интернет адрес: http://www.srim.org
  • Handbook of Refractory Compound / Ed. by G.V. Samsonov, I.M. Vinitskii. NY: IFI/Plenum, 980. 555 p
  • Galkin K.N., Galkin N.G. // Phys. Procedia. 2011. Vol. 11, N 3. P. 55--58
  • Iqbal Z., VepYek S., Webb A.P., Capezzuto P. // Sol. Stat. Commun. 1981. Vol. 37, N 12. P. 993--996
  • Buchenaur C.J., Cardona M. // Phys. Rev. B. 1971. Vol. 3, N. 8. P. 2504--2507
  • Anastassakis E., Perry C.H. // Phys. Rev. B. 1971. Vol. 4, N. 4. P. 1251--1257
  • Оптические свойства полупроводников. Справочник / Под ред. В.И. Гавриленко, А.М. Грехова, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Киев: Наукова думка, 1987
  • Au-Yang M.Y., Cohen M.L. // Phys. Rev. 1969. Vol. 178. N 3. P. 1358--1364
  • Galkin N.G., Vavanova S.V., Maslov A.M., Galkin K.N., Gerasimenko A.V., Kaidalova T.A. // Thin Sol. Films. 2007. Vol. 515. P. 8230--8236
  • Vazquez F., Forman R.A., Cardona M. // Phys. Rev. 1986. Vol. 176, N 3. P. 905--908
  • Stella A., Brothers A.D., Hopkins R.H., Lynch D.W. // Phys. Stat. Sol. 1967. Vol. 23. N 2. P. 697--702
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.