"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Формирование и методика исследования ультратонких слоев силицида кобальта в структурах Ti/Co/Ti, TiN/Ti/Co и TiN/Co на кремнии
Рудаков В.И.1, Денисенко Ю.И.1, Наумов В.В.1, Симакин С.Г.1
1Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия
Email: valeryrudakov@rambler.ru
Поступила в редакцию: 4 мая 2011 г.
Выставление онлайн: 20 января 2012 г.

Исследованы процессы формирования ультратонких слоев CoSi2 в структурах Ti(8 nm)/Co(10 nm)/Ti(5 nm), TiN(18 nm)/Ti(2 nm)/Co(8 nm) и TiN(18 nm)/Co(8 nm), полученных магнетронным распылением на поверхности Si(100). Структуры подвергались двухстадийному быстрому термическому отжигу. В промежутке между стадиями отжига с поверхности химически удалялся "жертвенный" слой, а на две последние структуры дополнительно наносился аморфный кремний alpha-Si толщиной 17 nm. На различных этапах технологического маршрута проводилось комплексное исследование структур с помощью времяпролетной "катионной" вторичной ионной масс-спектрометрии, оже-электронной спектроскопии и сканирующей электронной микроскопии, совмещенной с рентгеновским дисперсионным микроанализом. Показано, что представленный комплекс аналитических измерений позволяет эффективно решать проблемы, связанные с физическим контролем процесса образования ультратонких слоев силицидов.
  1. Wacquant F., Regnier C., Basco M.-T., Julien C. Advanced short-time thermal processing for Si-based CMOS devices / Ed. by F. Roozeboom et al. The Electrochem. Soc., 2003. P. 191--196
  2. Bei Li, Jianlin Liu. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 105. P. 084 905
  3. Силициды для СБИС / Под ред. Ш. Мьюрарка. М.: Мир, 1986. 176 с
  4. Donaton R.A., Maex K., Vantomme A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. N10. P. 1266--1268
  5. Белоусов И.В., Кузнецов Г.В., Пчеляков О.П. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 3. С. 909--912
  6. Detavernier C., Lavoie C., van Meirhaeghe R.L. // Thin Sol. Films 2004. Vol. 468. N 1--2. P. 174
  7. Рудаков В.И., Гусев В.Н. // Микроэлектроника. 2008. Т. 37. N 4. С. 245--257
  8. US Patent 6410429. H 01L 21/44. Filed Mar. 1, 2001
  9. Vulpio M., Fazio D., Bileci M. et al. // Proc. of the 204 th Electrochem. Soc. Meeting. 2003. Abs. 594
  10. Gao Y. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 64. P. 3760--3762
  11. Magee C.W., Harrington W.L., Botnick E.M. // Int. J. Mass Spectr. 1990. N 103. P. 45--46
  12. Marie Y., Gao Y., Saldi F., Migeon H.N. // Surf. Interface Anal. 1994. Vol. 23. N 1. P. 38--43
  13. Greh T. Improvements in TOF--SIMS Instrumentation for Analytical Application and Fundamental Research // Inaugural-Dissertation zur Erlangung des Doktorgrades der Naturwissenschaften im Fachbereich Physik der Mathematisch--Naturwissenschaftlichen Fakultat der Westfalischen--Wilhelms Universitat. Munster, 2003. P. 100. (http://deposit.ddb.de/cgibin/dokserv?idn=967441099\& dok\_var=d1\&dok\_ext= pdf\&filename=967441099.pdf)
  14. Рудаков В.И., Денисенко Ю.И., Наумов В.В., Симакин С.Г. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 3. С. 36--44
  15. Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В. и др. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 4. С. 63--70
  16. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Малыгин Д.Е. и др. // ФТТ. 2005. Т. 47. Вып. 10. С. 1901--1906

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.