Kolosov S. A.1, Krivobok V. S.1, Pashkeev D. A.1
1Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia
Email: krivobok@lebedev.ru
A metastable rearrangement of transport properties as well as photoresponse in the far IR spectral range was detected for a GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure with silicon-doped quantum wells upon short-term illumination with near-IR emission. It is shown that this effect is associated with silicon DX centers formed in the vicinity of the GaAs/AlxGa1-xAs interfaces. Keywords: R photodetector, quantum well, DX-center, molecular beam epitaxy.
- F. Jiang, M. Shi, J. Zhou, Y. Bu, J.-P. Ao, X.S. Chen, Adv. Photon. Res., 2 (9), 2000187 (2021). DOI: 10.1002/adpr.202000187
- R. Ivanov, D. Visser, S. Smuk, S. Hognadottir, L. Hoglund, L. Bendrot, T. Kohl, L. vZurauskaite, D. Evans, D. Rihtnesberg, D.G. Buldu, A. Smuk, S. Sehlin, S. Almqvist, M. Englund, P. Tinghag, E. Costard, Proc. SPIE, 13046, 1304615 (2024). DOI: 10.1117/12.3016057
- N.A. Kul'chitskii, A.V. Naumov, V.V. Startsev, Fotonika, 16 (1), 22 (2022) (in Russian). DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2022.16.1.22.36
- V.S. Krivobok, D.A. Pashkeev, D.A. Litvinov, L.N. Grigor'eva, S.A. Kolosov, Tech. Phys. Lett., 46 (3), 256 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020030256
- V.S. Krivobok, A.D. Kondorskiy, D.A. Pashkeev, E.A. Ekimov, A.D. Shabrin, D.A. Litvinov, L.N. Grigoreva, S.A. Kolosov, M.A. Chernopitssky, A.V. Klekovkin, P.A. Forsh, Tech. Phys. Lett., 47, 388 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021040210
- P.M. Mooney, Rad. Eff. Def. Solids, 111-112 (1-2), 281 (1989). DOI: 10.1080/10420158908213003
- E.F. Schubert, J.B. Stark, T.H. Chiu, B. Tell, Appl. Phys. Lett., 53 (4), 293 (1988). DOI: 10.1063/1.99917
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.