Technical Physics
To authors
Volumes and Issues
- 2023
- 2022
Study of the influence of the energy of argon ions on the surface roughness of the main sections of single-crystal silicon
The paper presents the results of studying the energy dependences of the sputtering yields and the value of the effective surface roughness of single-crystal silicon upon irradiation with argon ions with an energy of 200-1000 eV. As a result of the work, the parameters of ion-beam etching with accelerated Ar ions were determined, providing a high sputtering yield (etching rate) and an effective roughness value in the spatial frequency range 4.9·10-2-6.3·101 μm-1 less than 0.3 nm for the main cuts monocrystalline silicon <100>, <110> and <111>. Keywords: sputtering yield, roughness, single-crystalline, monocrystalline, accelerated ions.
- L. Samoylova, H. Sinn, F. Siewert, H. Mimura, K. Yamauchi, T. Tschentscher. Proc. SPIE, 7360, 73600E (2009). DOI: 10.1117/12.822251
- R.A. Paquin, M.R. Howells. Proc. SPIE, 3152 (1997). DOI: 10.1117/12.295549
- H. Xiao, Y. Dai, J. Duan, Y. Tian, J. Li. Appl. Surf. Sci., 544, 148954 (2021). DOI: 10.1016/j.apsusc.2021.148954
- T. Arnold, G. Bohm, R. Fechner, J. Meister, A. Nickel, F. Frost, T. Hansel, A. Schindler. Nucl. Instrum. Meth. Phys. B, 616 (2-3), 147-156 (2010). DOI: 10.1016/j.nima.2009.11.013
- M. Ghigo, S. Basso, M. Civitani, R. Gilli, G. Pareschi, B. Salmaso, G. Vecchi, W.W. Zhang. Proc. SPIE, 10706, 107063I (2018). DOI: 10.1117/12.2313939
- N.I. Chkhalo, I.A. Kaskov, I.V. Malyshev, M.S. Mikhaylenko, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, M.N. Toropov, I.G. Zabrodin. Precis Eng., 48, 338--346 (2017). DOI: 10.1016/j.precisioneng.2017.01.004
- X. Li, D. Wang, F. Nie, P. Wu, S. Zhao. Proc. SPIE, 12073, 120730L (2021). DOI: 10.1117/12.2605262
- E. Vassallo, M. Pedroni, S.M. Pietralunga, R. Caniello, A. Cremona, F. Di Fonzo, F. Ghezzi, F. Inzoli, G. Monteleone, G. Nava, V. Spampinato, A. Tagliaferri, M. Zani, G. Angella. Thin Solid Films, 603, 173-179 (2016). DOI: 10.1016/j.tsf.2016.02.008
- Z. Fang, Y. Zhang, R. Li, Y. Liang, H. Deng. Int. J. Mach. Tools Manuf., 159, 103649 (2020). DOI: 10.1016/j.ijmachtools.2020.103649
- W. Liao, Y. Dai, X. Xie, L. Zhou. Appl. Opt., 53 (19), 4266 (2014). DOI: 10.1364/AO.53.004266
- W. Liao, Y. Dai, X. Xie, L. Zhou. Appl. Opt., 53 (19), 4275 (2014). DOI: AO.53.004275
- Telecom STV. Silicon Wavers. [Electronic resource] Available at: http://www.telstv.ru/?page=en_silicon_wafers , free
- N.I. Chkhalo, N.N. Salashchenko, M.V. Zorina. Rev. Sci. Instrum., 86, 016102 (2015). DOI: 10.1063/1.4905336
- M.S. Mikhailenko, N.I. Chkhalo, A.V. Mil'kov, A.E. Pestov, V.N. Polkovnikov, N.N. Salashchenko, I.L. Strulya, M.V. Zorina, S.Yu. Zuev. Surf. Coat. Technol., 311, 351-356 (2017). DOI: 10.1016/j.surfcoat.2017.01.023
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.