ЖТФ, 2007, том 77, выпуск 10

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Геометрические эффекты в наноразмерных эпитаксиальных пленках титаната бария-стронция

В.М.Мухортов,1 В.В.Колесников,1 Ю.И.Головко,1 С.В.Бирюков,1 А.А.Маматов,1 Ю.И.Юзюк 2

1 Южный научный центр РАН,
344006 Ростов-на-Дону, Россия
2 Ростовский государственный университет,
344006 Ростов-на-Дону, Россия
e-mail: muhortov@aaanet.ru

(Поступило в Редакцию 30 марта 2006 г. В окончательной редакции 22 февраля 2007 г.)

Исследованы наноразмерные (6-950 nm) эпитаксиальные пленки Ba0.8Sr0.2TiO3 на (001) MgO с целью изучения влияния толщины пленки на особенности проявления сегнетоэлектрических свойств. Данные комбинационного рассеяния света и рентгеновской дифрактометрии показывают, что при толщине пленки ~ 70 nm происходит структурный фазовый переход, при котором резко изменяются параметры решетки пленки.

Спектры комбинационного рассеяния света наноразмерных пленок подтвердили наличие в них сегнетоэлектрического состояния и изменение симметрии при переходе пленок через критическую толщину, что проявилось в резком смещении пиков, соответствующих A1 (TO) и E (TO) компонентам мягкой моды. В области толщины пленок <100 nm в зависимости диэлектрической проницаемости от толщины появляются два максимума при толщине ~ 18 и ~36 nm. Диэлектрическая нелинейность в области первого максимума существенно больше, чем в области второго.

PACS: 52.80.Pi, 63.20.-e, 68.35.Rh, 77.55.+f

 PDF версия (312Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2007, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster