ЖТФ, 2005, том 75, выпуск 4

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Радиационная стойкость перспективных арсенид галлиевых полевых транзисторов Шотки

Е.В.Киселева, М.А.Китаев, С.В.Оболенский, В.Т.Трофимов, В.А.Козлов

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского,
603950 Нижний Новгород, Россия
e-mail: obolensk@rf.unn.ru

(Поступило в Редакцию 17 августа 2004)

Исследована радиационная стойкость арсенид галлиевых полевых транзисторов Шотки с длиной канала 30-80 nm. Показано, что уровень стойкости определяется квазибаллистическими эффектами в канале транзистора и составляет 5·1014-5·1015 cm-2 быстрых нейтронов.

 PDF версия (106Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2005, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster