"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационная стойкость перспективных арсенид галлиевых полевых транзисторов Шотки
Киселева Е.В.1, Китаев М.А.1, Оболенский С.В.1, Трофимов В.Т.1, Козлов В.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 17 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.

Исследована радиационная стойкость арсенид галлиевых полевых транзисторов Шотки с длиной канала 30-80 nm. Показано, что уровень стойкости определяется квазибаллистическими эффектами в канале транзистора и составляет 5·1014-5·1015 cm-2 быстрых нейтронов.
  • Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. М.: Мир, 1991. 632 с
  • Пожела Ю. Физика быстродействующих транзисторов. Вильнюс: Мокслас, 1989. 264 с
  • Аствацатурьян Е.Р., Громов Д.В., Ломако В.М. Радиационные эффекты в приборах и интегральных схемах на арсениде галлия. Минск: Университетское, 1992. 219 с
  • Оболенский С.В. // Изв. вузов: Электроника. 2002. N 6. С. 67--71
  • Зулиг Р. // Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988. С. 501--547
  • Бобыль А.В., Конакова Р.В., Кононов В.К. и др. // Электронная техника. Сер. Управление качеством. 1992. Вып. 4--5. С. 31--40
  • Демарина Н.В., Оболенский С.В. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 1. С. 66--71
  • Оболенский С.В. // Микроэлектроника. 2004. N 2. С. 153--159
  • Волчков Н.А., Журавлев К.С., Китаев М.А. и др. // Изв. АН. Сер. физ. 2004. Т. 68. N 1. С. 93--97
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.