ЖТФ, 2003, том 73, выпуск 2

 Содержание  Предыдущая статья  Следующая статья  Поиск  

Моделирование формирования плазмы в прикатодном слое разряда эффективных эксиламп

А.Н.Ткачев, С.И.Яковленко

Институт общей физики РАН,
119991 Москва, Россия

(Поступило в Редакцию 22 апреля 2002 г. В окончательной редакции 15 августа 2002 г.)

На основе моделированияи имеющихся экспериментальных данных предложены аналитические аппроксимации величин, характеризующих процесс размножения электронов в прикатодной области. Получено критическое значение поля, при превышении которого наблюдается убегание электронов. На основе предложенных аппроксимаций рассмотрена задача о зависимости параметров плазмы (электронных и ионных плотностей и токов, напряженности электрического поля) от расстояния до поверхности катода. Предложены простые формулы, определяющие полный ток, ширину прикатодной области и падение потенциала как функцию напряженности поля на поверхности катода.

 PDF версия (278Kb)   Другие выпуски  Другие журналы   Помощь 
Copyright (C) 2003, Коллектив авторов  Разработано...  webmaster