"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Методы рентгеновской дифракционной диагностики сильнолегированных монокристаллов полупроводников
Шульпина И.Л., Кютт Р.Н., Ратников В.В., Прохоров И.А., Безбах И.Ж., Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2009 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2010 г.

На примере монокристаллов Si(As,P,B) и GaSb(Si) продемонстрированы возможности рентгенодифракционных методов диагностики (определения реальной структуры) сильнолегированных кристаллов полупроводников. Особое внимание уделено характеризации состояния примеси --- находится она в кристаллах в виде твердого раствора или на разных стадиях его распада. Найдено оптимальное сочетание рентгеновских методов для получения наиболее полной информации о микросегрегации и структурной неоднородности в кристаллах со слабым и сильным поглощением рентгеновских лучей. Основой этого сочетания являются методы рентгеновской дифрационной топографии и дифрактометрии с повышенной чувствительностью к значениям напряжения кристаллической решетки.
  • Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука, 1967. 415 с
  • Rouvimov S., Kyutt R., Kearns J. et al. // Solid State Phenomena. 2004. Vol. 95--96. P. 17
  • Мильвидский М.Г., Картавых А.В., Раков В.В. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. Вып. 9. С. 17
  • Serebryakov Yu.A., Prokhorov I.A., Vlasov V.N. et al. // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 304. P. 11
  • Lomov A.A., Zaumseil P., Winter U. // Acta Cryst. 1985. Vol. A41. P. 223
  • Lefeld-Sosnovska M., Grokowski J., Kowalski G. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1995. Vol. 28. P. A42
  • Мильвидский М.Г., Осипьян Ю.А., Смирнова И.А. и др. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2001. Вып. 6. С. 5
  • Klang P., Holy V. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. Vol. 38. P. A105
  • Kyutt R.N., Shulpina I.L., Mosina G.N. et al. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. Vol. 38. P. A111
  • Кютт Р.Н., Рувимов С.С., Шульпина И.Л. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. N 24. С. 79
  • Боуэн Д.К., Таннер Б.Л. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. СПб.: Наука, 2002. 274 с
  • Шульпина И.Л. // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. 2007. Т. 73. N 5. С. 30
  • Barushel J., Hartwig J. Basic courses of X-TOP 2002. Grenoble, France, 2002. P. 1--38
  • Dederichs P.H. // J. Phys. F: Met. Phys. 1973. Vol. 3. P. 471
  • Кютт Р.Н., Рувимов С.С., Шульпина И.Л. // Тез. докл. IV Рос. конф. "Кремний-2007". М., 2007. С. 113
  • Шульпина И.Л., Рувимов С.С., Кютт Р.Н. // Сб. мат. 4-го Междунар. сем. "Современный анализ дифракционных данных". Великий Новгород, 2008. С. 232
  • Шульпина И.Л., Рувимов С.С., Кютт Р.Н. // Поверхность. 2009 (в печати)
  • Larson B.C. // J. Appl. Cryst. 1975. Vol. 8. P. 150
  • Прохоров И.А., Серебряков Ю.А., Коробейникова Е.Н. и др. // Поверхность. 2007. Вып. 5. С. 36
  • Прохоров И.А., Безбах И.Ж., Захаров Б.Г., Шульпина И.Л. // Там же. С. 42
  • Prokhorov I.A., Serebryakov Yu.A., Zakharov B.G. et al. // J. Cryst. Growth. 2008. Vol. 310. N 24. P. 5477
  • Schwuttke G.H. // J. Appl. Phys. 1962. Vol. 33. P. 2760
  • Hornstra J., Bartels W.J. // J. Cryst. Growth. 1978. Vol. 44. P. 513
  • Barth H., Hosemann R. // Zs. Naturforsch. 1958. Bd 13a. S. 792
  • Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. М.: Мир, 1967. 476 с
  • Фистуль В.И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М.: Металлургия, 1992. 240 с
  • Fewster P.F., Andrew N.L. // J. Appl. Cryst. 1995. Vol. 28. P. 451
  • Бушуев В.А., Кютт Р.Н., Хапачев Ю.П. Физические принципы рентгенодифрактометрического определения параметров реальной структуры многослойных эпитаксиальных пленок. Нальчик, 1996. 181 с
  • Кютт Р.Н. // Кристаллография. 1988. Т. 33. Вып. 4. С. 827--830
  • Волошин А.Э., Смольский И.Л. // Кристаллография. 1993. Т. 38. Вып. 8. С. 12
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.