Вышедшие номера
Получение атомарно-чистых поверхностей кремния в низкоэнергетичной СВЧ-плазме низкого давления
Шаныгин В.Я.1, Яфаров Р.К.1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Email: pirpc@renet.ru
Поступила в редакцию: 28 января 2009 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2009 г.

Исследованы закономерности влияния режимов и химического состава низкоэнергетичной высокоионизованной плазмы электронно-циклотронного резонанса СВЧ газового разряда низкого давления на скорость травления и наноморфологию поверхности монокристаллического кремния различных кристаллографических ориентаций. Рассмотрены модельные механизмы процессов, обеспечивающих управление скоростью и качеством атомарно-чистых поверхностей травления кремниевых кристаллов заданных ориентаций. PACS: 52.77.Bn
  1. Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. М.: Наука, 2006. 490 с
  2. Технология СБИС / Под ред. С. Зи. М.: Мир, 1985. 404 с
  3. Вигдорович В.Н., Гуляев Ю.В., Яфаров Р.К. // ДАН. 1988. Т. 300. N 3. С. 604
  4. Гуляев Ю.В., Яфаров Р.К. // Зарубежная электронная техника. 1997. N 1. С. 77
  5. Данилин Б.С., Киреев В.Ю. // Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов. М.: Энергоатомиздат, 1987. 264 с
  6. Гуляев Ю.В., Яфаров Р.К. Эффективность использования мощности в установках СВЧ вакуумно-плазменной обработки структур микроэлектроники. М., 1989. 53 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.