Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2009, выпуск 11 » Статья стр. 41
<<<>>>
Эллипсометрический in situ контроль квантовых наноструктур с градиентными слоями
Швец В.А., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: shvets@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 20 ноября 2008 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2009 г.
PDF версия
Рассмотрены методические вопросы, связанные с эллипсометрическим контролем при выращивании квантовых наноструктур с градиентным распределением состава. Показано, что чувствительность эллипсометрических измерений можно заметно повысить, если использовать при интерпретации данных информацию о производных (dpsi)/(dDelta), которые получают в процессе роста структур. При таком подходе удается различать структуры с различными значениями градиентов состава. При этом кривые, построенные в координатах "параметр Delta-производная (dpsi)/(dDelta)" имеют характерные изломы в тех точках, где наблюдается скачок градиента состава. Сделана оценка точности рассматриваемого подхода применительно к эллипсометрам серии ЛЭФ и показано, что для структур с большим градиентом (delta x/d~0.5 nm-1) возможно его измерение в самом начале роста, когда толщина градиентного слоя не правышает 1 nm. PACS: 62.23.St, 07.60.Fs
  1. Varavin V.S., Vasiliev V.V., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Ovsyuk V.N., Sidorov Yu.G., Suslyakov A.O., Yakushev M.V., Aseev A.L. // Opto-electronics rewiew. 2003. Vol. 11. N 2. P. 99--111
  2. Svitashev K.K., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Nis I.E., Varavin V.S., Liberman V., Remesnik V.G. // Cryst. Res. Technol. 1994. Vol. 29. N 7. P. 931
  3. Свиташев К.К., Швец В.А., Мардежов А.С., Дворецкий С.А., Сидоров Ю.Г., Варавин В.С. // ЖТФ. 1995. Т. 65. Вып. 9. С. 110
  4. Svitashev K.K., Shvets V.A., Mardezhov A.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Mikhailov N.N., Spesivtsev E.V., Rykhlitsky S.V. // Mat. Sci. Engin. 1997. Vol. B44. P. 164
  5. Shvets V.A., Rykhlitski S.V., Spesivtsev E.V., Aulchenko N.A., Mikhailov N.N., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G. // Thin Sol. Films. 2004. Vol. 455-456. P. 688
  6. Михайлов Н.Н., Швец В.А., Дворецкий С.А., Спесивцев Е.В., Сидоров Ю.Г., Рыхлицкий С.В., Смирнов Р.Н. // Автометрия. 2003. Т. 39. N 2. С. 71
  7. Mikhailov N.N., Smirnov R.N., Dvoretsky S.A., Sidorov Yu.G., Shvets V.A., Spesivtsev E.V., Rykhlitski S.V. // Int. J. Nanotechnology. 2006. Vol. 3. N 1. P. 120
  8. Дворецкий С.А., Икусов Д.Г., Квон Д.Х., Михайлов Н.Н., Дай Н., Смирнов Р.Н., Сидоров Ю.Г., Швец В.А. // Автометрия. 2007. Т. 43. N 4. С. 104
  9. Germanenko A.V., Minkov G.D., Larionova V.A., Rut O.E., Becker C.G., Landwehr G. // Phys. Rev. B. 1995. Vol. 52. N 24. P. 17 254--17 259
  10. Becker C.R., Ortner K., Zhang X.C., Pfeuffer-Jeschke A., Latussek V., Guil Y.S., Daumer V., Buhmann H., Landwehr G., Molenkamp L.W. // Physica. E. 2004. Vol. 20. P. 463
  11. А. с. N 16314 РФ. Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В. Эллипсометр. Опубл. 20.12.2000. Б. и. "Полезные модели. Промышленные образцы". N 35
  12. Швец В.А. // Автометрия. 1993. N 6. С. 25

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme