Влияние интенсивности сигнала оптического возбуждения на импульсный отклик МПМ-фотодиода
Аверин С.В.1, Кузнецов П.И.1, Алкеев Н.В.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
Email: sva278@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 17 марта 2008 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2009 г.
Исследовано влияние интенсивности сигнала оптического возбуждения на импульсный отклик фотодетектора в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ). Отклик детектора лучше при низком уровне сигнала оптического возбуждения. При большом уровне энергии импульса оптического возбуждения возможно улучшение сигнала отклика детектора при увеличении смещения. Установлены преимущества МПМ-диода на основе GaN при детектировании излучения с большой энергией импульса. Анализ показывает, что при энергии импульса оптического возбуждения 60 pJ на длине волны 290 nm, быстродействие GaN МПМ-детектора может достигать ~ 25 ps. PACS: 73.40.Sx, 42.79.Pw, 07.57.Kp, 85.25.Pb
- Бланк Т.Б., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1025
- Ambacher O.J. // Phys. D: Appl. Phys. 1998. Vol. 31. P. 2653--2710
- Ito M., Wada M. // IEEE J. Quantum Electronics. 1986. Vol. 22. N 7. P. 1073--1007
- Averine S.V., Sachot R., Hugi J., de Fays M., Ilegems M. // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80. N 3. P. 1553--1558
- Averine S.V., Chan Y.C., Lam Y.L. // Solid-State Electronics. 2001. Vol. 45. N 3. P. 441--446
- Averine S.V., Sachot R. // IEE Proceedings-Optoelectronics. 2000. Vol. 147. N 3. P. 145--150
- Aверин С.В. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 6. С. 51--56
- Аверин С.В., Гуляев Ю.В., Илегемс М., Сашо Р. // Квант. электрон. 1998. Т. 25. N 2. С. 183--186
- Aliberti K., Wraback M., Stead M., Newman P., Shen H. // Appl. Phys. Lett., 2002. Vol. 80. N 16. P. 2848--2850
- Bhapkar U.V., Shur M.S. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. N 4. P. 1649--1655
- Mishra U.K., Wu Yi-F., Keller B.P., Keller S. and Denbaars S.P. // IEEE Trans. Microwave Theory and Technique. 1998. Vol. 46. N 6. P. 756-760
- Albrecht J.D., Wang R.P., Ruden P.P., Farahmand M., and Brennan K.F. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. N 9. P. 4777--4781
- Joshi R.P., Dharamsi A.N., McAdoo J. // Appl. Phys. Lett., 1994. Vol. 64. N 26. P. 3611--3613
- Kato K. // IEEE Trans. Microwave Theory and Technique. 1999. Vol. 47. N 7. P. 1265--1281
- Carrano J.C., Li T., Braun D.L., Grudovski P.A., Eiting C.J., Dupuis R.D., Campbell J.C. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. N 17. P. 2405--2407
- Li J., Xu Y., Hsiang T.Y., Donaldson W.R. // Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84. N 12. P. 2091--2093
- Gelmont B., Kim K., Shur M. // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 74. N 3. P. 1818--1821
- Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. NY: John Wiley \& Sons, 1981. P. 46
- Li J., Donaldson W.R. // IEEE Photonics Technol. Lett. 2003. Vol. 15. N 8. P. 1141--1143
- Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Якущева Г.Г., Дмитриев М.Д. // Радиотехника и электроника. 2005. Т. 50. N 3. С. 394--398
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
