Вышедшие номера
Взаимодействие атомов кобальта с окисленной поверхностью Si (111)7x 7
Гомоюнова М.В.1, Войстрик Т.Е.1, Пронин И.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Marina.Gomoyunova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 июля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2009 г.

Методом фотоэлектронной спектроскопии высокого разрешения (100 meV) с использованием синхротронного излучения изучено взаимодействие атомов кобальта с поверхностью Si (111)7x 7, окисленной in situ в атмосфере кислорода при давлении 10-5 Pa (экспозиция 20 Лэнгмюр) и температуре 500oC. Показано, что такая обработка поверхности приводит к образованию окисной пленки сложного состава, занимающей примерно 80% поверхности подложки и имеющей толщину ~6 Angstrem. Обнаружено, что при комнатной температуре в области покрытий до 6 монослоев, атомы кобальта не адсорбируются на сформированном окисном слое, а мигрируют к пятнам чистой поверхности кремния. На этих участках сначала образуется тонкий слой дисилицида кобальта, а затем на нем растет твердый раствор Co-Si. Часть атомов кобальта проникает под окисный слой, образуя на границе SiOx-Si трехкомпонентную интерфейсную фазу Co-Si-O, а также метастабильный дисилицид кобальта со структурой типа CsCl. PACS: 68.37.-d, 79.60.-i