О диффузионных длинах адатомов Ga на поверхностях AlAs(111) и GaAs(111)
Сибирев Н.В., Дубровский В.Г., Аршанский Е.Б., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М.1
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: NickSibirev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 28 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.
Получено уравнение, позволяющее рассчитывать эффективную диффузионную длину по измеренным значениям высоты и плотности нитевидных нанокристаллов в рамках диффузионной модели роста. На основе экспериментальных данных по выращиванию нитевидных нанокристаллов GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии проведена оценка диффузионных длин адатомов Ga по поверхностях GaAs(111) и AlAs(111). Показано, что при типичных условиях осаждения диффузионная длина Ga составляет величину порядка нескольких сотен нанометров. PACS: 68.70.+w, 68.43.Jk, 61.46.Hk
- Дубровский В.Г., Сибирев Н.В., Сурис Р.А., Цырлин Г.Э., Устинов В.М., Tchernycheva M., Harmand J.C. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 9. С. 1103
- Froberg L.E., Seifert W., Johansson J. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 76. P. 153 401
- Persson A.I., Froberg L.E., Jeppesen S., Bjork M.T., Samuelson L. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. P. 034 313
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V., Suris R.A., Cirlin G.E., Harmand J.C., Ustinov V.M. // Surf. Sci. 2007. Vol. 601. P. 4395
- Dubrovskii V.G., Sibirev N.V. // J. Cryst. Growth. 2007. Vol. 304. P. 504
- Tchernycheva M., Travers L., Patriarche G., Harmand J.C., Cirlin G.E., Dubrovskii V.G. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 102. P. 094 313
- Dubrovskii V.G., Soshnikov I.P., Sibirev N.V., Cirlin G.E., Ustinov V.M. // J. Cryst. Growth. 2006. Vol. 289. P. 31
- Dubrovskii V.G., Cirlin G.E., Soshnikov I.P., Tonkikh A.A., Sibirev N.V., Samsonenko Yu.B., Ustinov V.M. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71. P. 205 325
- Ledentsov N.N., Shchukin V.A., Bimberg D., Ustinov V.M., Cherkashin N.A., Musikhin Yu.G., Volovik B.V., Cirlin G.E., Alferov Zn.I. // Semicond. Sci. Technol. 2001. Vol. 16. P. 502
- Abstreiter G., Schittenhelm P., Engel C., Silveria E., Zrenner A., Meertens D., Jager W. // Semicond. Sci. Technol. 1996. Vol. 11. P. 1521
- Беленький В.З. Геометрико-вероятностные модели кристаллизации. М.: Наука, 1980. 88 с
- Кукушкин С.А., Осипов А.В. // УФН. 1998. Т. 168. С. 1083
- Wagner R.S., Ellis W.C. // Appl. Phys. Lett. 1964. Vol. 4. P. 89
- Landolt--Bornstein--Group III Condensed Matter. Vol. 41A1a. Springer--Verlag, 2006
- Koshiba S., Nakamura Y., Tsuchiva M., Noge H., Kano H., Nagamune Y., Noda T., Sakaki H. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. P. 4138
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук