Вышедшие номера
О диффузионных длинах адатомов Ga на поверхностях AlAs(111) и GaAs(111)
Сибирев Н.В., Дубровский В.Г., Аршанский Е.Б., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Устинов В.М.1
1Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: NickSibirev@yandex.ru
Поступила в редакцию: 28 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

Получено уравнение, позволяющее рассчитывать эффективную диффузионную длину по измеренным значениям высоты и плотности нитевидных нанокристаллов в рамках диффузионной модели роста. На основе экспериментальных данных по выращиванию нитевидных нанокристаллов GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии проведена оценка диффузионных длин адатомов Ga по поверхностях GaAs(111) и AlAs(111). Показано, что при типичных условиях осаждения диффузионная длина Ga составляет величину порядка нескольких сотен нанометров. PACS: 68.70.+w, 68.43.Jk, 61.46.Hk