Вышедшие номера
Определение углов наклона и высот граней квантовых точек из анализа диффузного и зеркального рентгеновского рассеяния
Горай Л.И., Чхало Н.И., Цырлин Г.Э.1,2
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lig@skylink.spb.ru
Поступила в редакцию: 5 февраля 2008 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2009 г.

С помощью высокоразрешающей скользящей рентгеновской рефлектометрии (ВСРР) проведен анализ рентгеновского рассеяния на образцах с многослойными ансамблями квантовых точек (КТ), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии в системе In(Ga)As/GaAs. Впервые экспериментально обнаружены пики интенсивности диффузного рассеяния для структур как с коррелированными по вертикали, так и некоррелированными КТ. Показано, что положение пика полностью определяется углом наклона alpha пирамидальных граней КТ (так называемое "условие блеска дифракционных решеток"), что ранее было предсказано теоретически. Сравнение с результатами моделирования рассеяния на основе метода граничных интегральных уравнений показывает, что простое геометрическое условие позволяет точно определять значение alpha по положению пика интенсивности, форма которого определяется многими параметрами. Как следует из теории и эксперимента, ширина и высота пиков, полученных для образца с коррелированными по вертикали КТ, больше, чем в противоположном случае. По положению и амплитуде брэгговских пиков определены величины шероховатости/взаимодиффузии интерфейсов и высота КТ. Таким образом, традиционное использование ВСРР для определения параметров сверхрешетки и несовершенства границ расширено в предложенном методе до определения геометрии КТ. PACS: 42.25.Dd, 42.25.Fx, 61.05.C-, 68.65.-k