Вышедшие номера
Огранение кристаллов сапфира, выращиваемых из расплава способом Степанова
Носов Ю.Г.1, Бахолдин С.И.1, Крымов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yu.nosov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 апреля 2008 г.
Выставление онлайн: 20 января 2009 г.

Методами фотогониографии и оптической микроскопии изучено проявление граней на цилиндрических монокристаллах сапфира, выращенных из расплава по способу Степанова. Установлены кристаллографические индексы обнаруженных граней и изучена микроструктура слоев роста. Установлена связь огранения с условиями выращивания. Результаты сопоставлены с известными данными по огранению кристаллов сапфира, выращиваемых раствор-расплавными методами и теоретическими расчетами удельной свободной поверхностной энергии граней. PACS: 61.50.f, 81.10.Fq