Вышедшие номера
Фотостимулированная релаксация внутренних механических напряжений в эпитаксиальных КНС-структурах
Джибути З.В.1, Долидзе Н.Д.1, Эристави Г.Л.1
1Тбилисский государственный университет им. Ив. Джавахишвили, Тбилиси, Грузия
Email: nugo42@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 октября 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Исследована природа и оценены величины внутренних механических напряжений в тонких эпитаксиальных пленках КНС-структур ("кремний на сапфире"). Показано, что внутренние механические напряжения величиной ~109 Pa имеют характер сжатия. Исследовано влияние импульсного лазерного и лампового отжигов на процессы релаксации внутренних механических напряжений, показано, что при определенных режимах отжига релаксация может достигнуть 90%. Предложен электронный механизм отжига структурных дефектов, основанный на изменении квантового состояния электронной подсистемы кристалла при импульсном фотонном отжиге. PACS: 61.72.-y, 78.20.-e, 61.80.B