Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2008, выпуск 6 » Статья стр. 49
<<<>>>
Фоточувствительность поверхностно-барьерных и точечных структур на монокристаллах Cd1-xMnxTe
Ильчук Г.А., Петрусь Р.Ю., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yuryrud@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.
PDF версия
Предложены и впервые получены два новых типа фоточувствительных структур на монокристаллах твердых растворов алмазоподобных магнитных полупроводников Cd1-xMnxTe (x=0-0.7). Выполнены исследования фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных In/Cd1-xMnxTe и сварных структур св/Cd1-xMnxTe при T=300 K. Проведен сопоставительный анализ закономерностей спектров фоточувствительности полученных структур, что позволило определить характер межзонных оптических переходов и значения ширины запрещенной зоны в кристаллах Cd1-xMnxTe. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в разработках приборов магнитной фотоэлектроники. PACS: 71.55.Gs, 73.40.Lq, 73.50.Pz, 78.20.-e
  1. Furduna J.K. // J. Appl. Phys. 1988. Vol. 64. P. R29
  2. Goede O., Heimbrodt W. // Phys. Stat. Sol. (b). 1988. Vol. 146. P. 11
  3. Agekyan V.F. // Phys. Solid State. 2002. Vol. 44. P. 2013
  4. Park L.D., Yamamoto S., Watanaba J., Takamura W., Nakahara J. // J. Phys. Soc. Jpn. 1997. Vol. 66. P. 3289
  5. Агекян В.Ф., Васильев Н.Н., Серов А.Ю., Философов Н.Г., Kazerewski G. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 2074
  6. Аверкиева Г.К., Бойко М.Е., Константинова Н.Н., Попова Т.Б., Прочухан В.Д., Рудь Ю.В. // ФТТ. 1992. Т. 34. С. 2284
  7. Матвеев О.А., Рудь Ю.В., Санин К.В. // ЖНМ. 1969. Т. 5. С. 1650
  8. Матвеев О.А., Прокофьев С.В., Рудь Ю.В. // ЖНМ. 1969. Т. 5. С. 1175
  9. Sze S.M. Physics of Semiconductors Devices. N.T.: Willey Interscience Publ., 1981. 880 p
  10. Ламперт Г., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
  11. Ambrazevicius G., Babonas G., Rud'Y.V. // Phys. Stat. Sol. (b). 1984. Vol. 125. P. 759
  12. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme