Вышедшие номера
Фоточувствительность поверхностно-барьерных и точечных структур на монокристаллах Cd1-xMnxTe
Ильчук Г.А., Петрусь Р.Ю., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: yuryrud@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 июня 2007 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2008 г.

Предложены и впервые получены два новых типа фоточувствительных структур на монокристаллах твердых растворов алмазоподобных магнитных полупроводников Cd1-xMnxTe (x=0-0.7). Выполнены исследования фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных In/Cd1-xMnxTe и сварных структур св/Cd1-xMnxTe при T=300 K. Проведен сопоставительный анализ закономерностей спектров фоточувствительности полученных структур, что позволило определить характер межзонных оптических переходов и значения ширины запрещенной зоны в кристаллах Cd1-xMnxTe. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в разработках приборов магнитной фотоэлектроники. PACS: 71.55.Gs, 73.40.Lq, 73.50.Pz, 78.20.-e