"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Характеристики фотовольтаического рентгеновского детектора на основе эпитаксиальной структуры арсенида галлия
Дворянкин В.Ф.1, Дворянкина Г.Г.1, Дикаев Ю.М.1, Ермаков М.Г.1, Ермакова О.Н.1, Кудряшов А.А.1, Петров А.Г.1, Телегин А.А.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
Email: vfd217@ire216.msk.su
Поступила в редакцию: 26 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2007 г.

Исследованы характеристики фотовольтаического рентгеновского детектора на основе эпитаксиальной структуры p+-n-n'-n+ арсенида галлия, выращенной методом газофазной эпитаксии. Приведены типичные вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики эпитаксиальных структур и профиль встроенного электрического поля в обедненной области n-GaAs. С помощью облучения детектора gamma-излучением измерена эффективность сбора заряда в фотовольтаическом детекторе без смещения и при напряжении смещения 17 V. Показано, что фотовольтаический рентгеновский детектор на основе GaAs может работать без смещения при комнатной температуре. Измерена чувствительность детектора в зависимости от эффективной энергии рентгеновского излучения и угла падения рентгеновских фотонов. PACS: 07.85.Fv, 81.05.-t
  • McGregor D.S., Hermon H. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A. 1998. Vol. 410. P. 101--124
  • Batter C.M. // Nucl. Instr. and Meth. in Phys. Res. A. Vol. 395. P. 1--9
  • Ахмадуллин Р.А., Дворянкин В.Ф., Дворянкина Г.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 2002. Т. 28. Вып. 1. С. 34--38
  • Ландау Л.Д. Сборник трудов / Под ред. Е.М. Лифшица. М.: Наука, 1969. Т. 1. 512 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.