Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование наноразмерных островков CrSi2 на Si(111)7x7 и покрывающих эпитаксиальных слоев кремния в гетероструктурах Si(111)/нанокристаллиты CrSi2/Si
Галкин Н.Г., Турчин Т.В., Горошко Д.Л., Доценко С.А., Плехов Е.Д., Чередниченко А.И.1
1Институт химии Дальневосточного отделения РАН, Владивосток, Россия 
Email: ngalk@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 13 декабря 2006 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2007 г.
Методами дифракции медленных электронов и дифференциальной отражательной спектроскопии исследован процесс самоформирования наноразмерных островков дисилицида хрома (CrSi2) на Si(111). Показано, что полупроводниковая природа островков проявляется с начальных стадий осаждения хрома при температуре подложки 500oC, а переход с двумерного механизма роста на трехмерный наблюдается при толщине слоя хрома более 0.06 nm. Определены максимальная плотность островков и их размеры. Исследована молекулярно-лучевая эпитаксия кремния поверх наноразмерных островков CrSi2, определена оптимальная температура роста и получены атомарно-гладкие пленки кремния при толщине 50 nm. Методом ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии с ионным травлением на образцах со встроенными нанокристаллитами (НК) доказано формирование валентной полосы и, следовательно, кристаллической структуры CrSi2. Выращены эпитаксиальные мультислойные структуры со встроенными НК CrSi2. PACS: 81.07.-b, 81.70.-q
- Semiconducting Silicides / Ed. by V.E. Borisenko. Berlin: Springer-Verlag, 2000
- Fathauer R.W., Grunthaner P.J., Lin T.L., Chang K.T., Mazur J.H., and Danielson D.N. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. Vol. 6. P. 708
- Wetzel P., Pirri C., Peruchetti J.C., Bolmont D., and Gewinner G. // Sol. State Commun. 1988. Vol. 65. P. 1217
- Plusnin N.I., Galkin N.G., Kamenev A.N., Lifshits V.G., and Lobachev S.A. // Phys. Chem. Mech. Surf. 1989. Vol. 2. P. 55
- Plusnin N.I., Galkin N.G., and Lifshits V.G. // Surf. Rev. Lett. 1995. Vol. 2. P. 439--450
- Galkin N.G., Velitchko T.V., Skripka S.V., and Khrustalev A.B. // Thin Solid Films. 1996. Vol. 280. P. 211--220
- Galkin N.G., Maslov A.M., and Konchenko A.V. // Thin Solid Films. 1997. Vol. 311. P. 230--238
- Plusnin N.I., Galkin N.G., Lifshits V.G., and Milenin A.P. // Physics of Low-Dimensional Structures. 1999. N 1--2. P. 55--66
- Utas O.V., Utas T.V., Kotlyar V.G., Zotov A.V., Saranin A.A., Lifshits V.G. // Surf. Sci. 2005. Vol. 596. P. 53--60
- Dotsenko S.A., Galkin N.G., Gouralnik A.S., and Koval L.V. // Surface Sci. and Nanotechnology. 205. N 3. P. 113--119
- Galkin N.G., Ivanov V.A., Konchenko A.V., and Goroshko D.L. // Instr. and Exp. Techniques. 1999. Vol. 42. P. 284
- Chiaradia P. and Del Sole R. // Surf. Rev. Lett. 1999. Vol. 6. P. 517
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
