Вышедшие номера
Двойной заряженный слой на границе между стенкой и симметричной плазмой
Альтеркоп Б.А., Дубинова И.Д., Дубинов А.Е.1
1Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
Email: dubinov@rol.ru
Поступила в редакцию: 11 ноября 2006 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2007 г.

Показано, что особенности образования и структура стационарного заряженного слоя на границе между симметричной плазмой и стенкой существенно зависят от отношений tau± (для обеих компонент плазмы) тепловой скорости к скорости потока плазмы в начале слоя, а также от знака и величины электростатического потенциала стенки varphiW. Полученный критерий существования слоя зависит от tau± и не зависит от знака varphiW. Сформулированы условия, при которых в пристеночной области симметричной плазмы может формироваться структура типа "двойной слой". Двойной заряженный слой содержит два подслоя с различными знаками заряда при фиксированной полярности стенки. При этом подслой, примыкающий к плазме, имеет знак заряда, противоположный полярности стенки, в то время как подслой, примыкающий к стенке, имеет знак заряда, совпадающий с ее полярностью. Определены области значений параметров симметричной плазмы, при которых двойной слой существует. Найдено, что подобная структура может формироваться не при всех значениях параметров плазмы, при которых заряженный слой существует, и на возможность его формирования влияют как tau±, так и знак потенциала стенки. PACS: 52.40.Kh, 52.30.Ex, 52.40.Hf