"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Моделирование профилей распределения индия в квантоворазмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs
Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б., Мармалюк А.А.1
1ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
Email: marm@siplus.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2005 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2007 г.

Использован новый подход к описанию явлений, сопровождающих рост тонких эпитаксиальных слоев InGaAs методом гидридной эпитаксии металлоорганических соединений, в основе которого лежит представление приграничного слоя газовой фазы как квазижидкого. Разработана расчетная модель для построения концентрационных профилей компонентов в гетероструктурах с квантовыми ямами, базирующаяся на допущении существования вблизи межфазной границы состояния, близкого к термодинамическому равновесию. Моделирование концентрационных профилей осуществляется совместным решением уравнений, описывающих гетерогенные равновесия, и материального баланса на границе раздела фаз. Представлены результаты моделирования профилей распределения индия в квантоворазмерных гетероструктурах InGaAs/GaAs для варьируемых условий эпитаксиального процесса (температуры, соотношения компонентов в исходной газовой фазе, толщины приграничного слоя). Полученные результаты хорошо согласуются с имеющимися экспериментальными данными. PACS: 81.07.Ta
  • Stringfellow G.B. Organometallic Vapor Phase Epitaxy: Theory and Practice. London: Academic Press, 1999. 572 p
  • Акчурин Р.Х. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 1999. N 2. С. 4--12
  • Bugge F., Zeimer U., Gramlich S. et al. // J. Cryst. Growth. 2000. Vol. 221. N 1--4. P. 496--502
  • Дроздов Ю.Н., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н. и др. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 2. С. 203--208
  • Орлов Л.К., Ивина Н.Л. // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 2. С. 199--204.
  • Jamaquchi K., Okada T., Hiwatashi F. // Appl. Surf. Sci. 1997. Vol. 117--118. P. 700--704
  • Potin V., Hahn E., Rozenauer A. et al. // J. Cryst. Growth. 2004. Vol. 262. N 1--4. P. 145--150
  • Pitts O.J., Watkins S.P., Wang C.X. et al. // J. Cryst. Growth. 2003. Vol. 254. P. 28--34
  • Dussaigne A., Damilano B., Grandjean N. // J. Cryst. Growth. 2003. Vol. 251. P. 471--475
  • Zheng Y.J., Lam A.M., Eugstram J.R. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. N 6. P. 817--819
  • Grenet G., Bergignet E., Gendry M. et al. // Surf. Sci. 1996. Vol. 352--354. P. 734--739
  • Mesrine M., Massies J., Deparis C. et al. // J. Crtst. Growth. 1997. Vol. 175--176. P. 1242--1246
  • Muraki K., Fukatsu S., Shiraki Y. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 61. N 5. P. 557--559
  • Dehaese O., Wallert X., Mallot F. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66. N 1. P. 52--55
  • Karpov S.Yu., Talalaev R.A., Evstratov I.Yu., Makarov Yu.N. // Phys. Stat. Solidi (a). 2002. Vol. 192. P. 417
  • Акчурин Р.Х. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2004. N 3. С. 48--51
  • Yoshida M., Watanabe H., Uesugi F.J. // Electrochem. Soc. 1985. Vol. 132. P. 677--679
  • Lee P.W., Omstead T.R., McKenna D.R., Jensen K.F. // J. Cryst. Growth. 1987. Vol. 85. P. 165--174
  • Мармалюк А.А. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2005. N 1. С. 17--23
  • Кузнецов В.В., Москвин П.П., Сорокин В.С. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1991. 176 с
  • Паниш М.Б., Илегемс М. Материалы для оптоэлектроники. М.: Мир, 1976. 405 с
  • Marmalyuk A.A., Govorkov O.I., Petrovsky A.V. et al. // J. Cryst. Growth. 2002. Vol. 237--239. Pt. 1. P. 264--268
  • Akchurin R.Kh., Andreev A.Y., Govorkov O.I. et al. // Appl. Surf. Sci. 2002. Vol. 188. P. 209--213
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.