"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Измерения магнитных параметров электропроводящих магнитных пленок наноразмерной толщины с использованием анизотропного магниторезистивного эффекта
Медведь А.В.1, Крышталь Р.Г.1, Крикунов А.И.1
1Институт радиотехники и электроники РАН, Фрязино, Московская область, Россия
Email: avm@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 15 марта 2006 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2006 г.

Исследованы угловые зависимости анизотропного магнетосопротивления (АМС) в электропроводящих ферромагнитных пленках наноразмерной толщины и слоистых структурах, содержащих такие пленки и имеющих форму узких прямоугольных полосок, применяемую при изготовлении спин-туннельных магнитных переходов, обладающих гигантским магнетосопротивлением. Экспериментально показана возможность определения с помощью угловых измерений АМС основных магнитных параметров, важных при создании магнитных переходов. Определены ось магнитной анизотропии, величина магнитного поля насыщения и коэрцитивная сила в пленках пермаллоя (Py) толщиной 25 nm, в структурах пленка FeMn (15 nm)-пленка Py (10 nm), выращенных магнетронным методом на подложке из окисленного кремния и в структуре FeMn (15 nm)-Py (10 nm)-SiC (1.5 nm)-Py (10 nm), выращенной на ситалловой подложке. Обнаружено, что при одинаковых условиях нанесения слоев Py в структурах пленка FeMn-пленка Py ось магнитной анизотропии Py оказывается повернутой на 90o по отношению к оси анизотропии Py в структурах, не имеющих слоя FeMn. В структуре FeMn (15 nm)-Py (10 nm)-SiC (1.5 nm)-Py (10 nm) с использованием АМС измерена величина обменного смещения поля перемагничивания, которая хорошо согласуется с результатом измерения, выполненного индукционным методом. PACS: 75.75.+a
  • Гуляев Ю.В., Зильберман П.Е., Эпштейн Э.М. // Радиотехника. 2003. N 8. С. 31--35
  • Tong Zhao, Kunliang Zhang, Hideo Fujiwara // JAP. 2002. Vol. 91. N 10. P. 6890--6892
  • Franco V., Ramos-Martos J., Conde A. // Rev. Sci. Instrum. 1996. Vol. 67. N 12. P. 4167--4170
  • Fassbender J. // Spin dynamics in confined magnetic structures II // Ed. by B. Hillebrands, K. Ounadjela. Berlin: Springer, 2003
  • Milelr B.H., Dan Dahlberg E. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69. N 25. P. 3932--3934
  • Burholz K.-U., Mattheis R. // IEEE Trans. On Magnetics. 2002. Vol. 38. N 5. P. 2767--2769
  • Чеботкевич Л.А., Воробьев Ю.Д., Самардак А.С. и др. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 5. С. 863--866
  • Wang D., Nordman C., Daughton J.M. et al. // IEEE Trans. on Magnetics. 2004. Vol. 40. N 4. P. 2269--2271
  • Медведь А.В., Крышталь Р.Г., Крикунов А.И. и др. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. Вып. 20. С. 44--46. (Medved A., Kryshtal R., Krikunov A. et al. // Int. Conf. "Micro- and nanoelectronics 2005". Moscow--Zvenigorod, Russia. 2005. P. PI-33)
  • Shpiro A. Two problems in spin-dependent transport in metallic magnetic multylayers. Ph.D. Thesis. Dept. of Physics. New York University, USA, 2004
  • Wang T.G., Pitford-Long A.K. // J. of Magnetism and Magnetic Materials. 2004. Vol. 279. P. 82--90
  • Бонч-Бруевич В.А., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. 677 с
  • Муравьёв А.М., Касаткин С.И., Попадинец Ф.Ф. // Заводская лаборатория. 2001. N 7. С. 23--26
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.