Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Термическая стабильность аморфных тонких Ta-Si-N-пленок в системе металлизации Au/GaN

Кучук А.В., Кладько В.П., Мачулин В.Ф., Piotrowska A.¹

¹Institute of Electron Technology, Warsaw, Poland

Email: kuchuk@isp.kiev.ua

Поступила в редакцию: 9 ноября 2005 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2006 г.

PDF версия

Трехкомпонентные барьерные Ta-Si-N-пленки были получены с помощью реактивного высокочастотного магнетронного распыления мишени Ta₅Si₃ в разряде газовой смеси Ar-N₂. Пленки тестировались как диффузионные барьеры между Au и GaN. Для определения эффективности их использования в качестве антидиффузионных слоев использовались методы просвечивающей электронной микроскопии, вторично-ионной масс-спектрометрии и рентгеноструктурного анализа. Продемострирована возможность работы оптимального по свойствам диффузионного барьера (Ta₃₄Si₂₅N₄₁) в системе металлизции Au/GaN при температуре свыше 800^oC. Обсуждается корреляция состава пленок, микроструктуры, удельного электросопротивления, термической стабильности и антидиффузионных свойств. PACS: 81.07.-b

Morcos H., Stite S., Gao G.B. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. N 3. P. 1363
Piotrowska A. // Electron Technology. 1991. Vol. 24. N 3--4. P. 3
Nicolet M.-A. // Thin Solid Films. 1978. Vol. 52. P. 415
Kolawa E., Molarius J.M., Nieh C.W. et al // J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. Vol. 8. P. 3006
Fisher D., Scherg T., Bauer T. et al. // Microelectron. Eng. 2000. Vol. 50. P. 459
Kim D.J., Kim Y.T., Park J.-W. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. P. 4847
Suh Y.-S., Heuss G., Misra V. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2004. Vol. 22. P. 175
Kuchuk A., Kaminska E., Piotrowska A. et al. // Thin Solid Films. 2004. Vol. 459. P. 292
Kuchuk A., Ciosek J., Piotrowska A. et al. // Vacuum. 2004. Vol. 74. P. 195
Kaminska E., Piotrowska A., Golaszewska K. et al. // J. All. Comp. 2004. Vol. 371. P. 129
Nicolet M.-A. // Defect and Diffusion Forum. 1997. Vol. 143--147. P. 1271
Nicolet M.-A. // Microelectron. Eng. 2001. Vol. 55. P. 357
Nicolet M.-A. // Appl. Surf. Sci. 1995. Vol. 91. P. 269

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель